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1. 发明专利

TWI291080B 採用熱流步驟形成微細穿孔之方法有权
简体标题：采用热流步骤形成微细穿孔之方法
公开(公告)号：TWI291080B
公开(公告)日：2007-12-11
申请号：TW093112784
申请日：2004-05-06
申请人：信越化學工業股份有限公司 SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：竹村勝也 TAKEMURA, KATSUYA , 關明寬 SEKI, AKIHIRO , 福田英次 FUKUDA, EIJI
IPC分类号： G03F
CPC分类号： G03F7/40 , H01L21/76802
摘要：提供光阻材料之批次改變，熱流後之穿孔尺寸可一定，或於同一燒焙溫度縮小尺寸，即流動量可一定，形成穿孔之方法。提供含塗敷光阻材料於基板之步驟，與加熱步驟，與以藉由穿孔圖像用遮光膜進行曝光之步驟，與熱處理之步驟，與其後以顯像液現像之步驟，與將所得之穿孔圖像的含熱流步驟之穿孔圖像形成方法，該光阻材料含有與光阻材料中之成分不反應且不使解像性能變化之有機化合物，該光阻材料之批次改變時，由增減該有機化合物之添加量，該批次變更前後之穿孔圖像可得到統一性之形成穿孔方法。
简体摘要：提供光阻材料之批次改变，热流后之穿孔尺寸可一定，或于同一烧焙温度缩小尺寸，即流动量可一定，形成穿孔之方法。提供含涂敷光阻材料于基板之步骤，与加热步骤，与以借由穿孔图像用遮光膜进行曝光之步骤，与热处理之步骤，与其后以显像液现像之步骤，与将所得之穿孔图像的含热流步骤之穿孔图像形成方法，该光阻材料含有与光阻材料中之成分不反应且不使解像性能变化之有机化合物，该光阻材料之批次改变时，由增减该有机化合物之添加量，该批次变更前后之穿孔图像可得到统一性之形成穿孔方法。

2. 发明专利

TW200639588A 正型光阻材料及形成圖型之方法 POSITIVE RESIST COMPOSITION, AND PATTERNING PROCESS USING THE SAME 审中-公开
简体标题：正型光阻材料及形成图型之方法 POSITIVE RESIST COMPOSITION, AND PATTERNING PROCESS USING THE SAME
公开(公告)号：TW200639588A
公开(公告)日：2006-11-16
申请号：TW095105128
申请日：2006-02-15
申请人：信越化學工業股份有限公司 SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：武田隆信 TAKEDA, TAKANOBU , 福田英次 FUKUDA, EIJI , 前田和規 MAEDA, KAZUNORI , 渡邊聰 WATANABE, SATOSHI
IPC分类号： G03F
CPC分类号： G03F7/0392
摘要：〔課題〕提供具有與先前之正型光阻材料同等或更高之高感度、高解像度，特別於高反射基板上的圖型形狀良好，且減輕駐波之發生，顯示出邊緣粗糙度少之特性的正型光阻材料。〔解決手段〕至少基質樹脂中所含之高分子化合物為包含於波長248nm之光中具有具吸收之酸不安定基的重複單位，且，該重複單位為於前述基質樹脂中所含之全部高分子化合物的重複單位中，以1％～10％之比例含有為其特徵的正型光阻材料。
简体摘要：〔课题〕提供具有与先前之正型光阻材料同等或更高之高感度、高解像度，特别于高反射基板上的图型形状良好，且减轻驻波之发生，显示出边缘粗糙度少之特性的正型光阻材料。〔解决手段〕至少基质树脂中所含之高分子化合物为包含于波长248nm之光中具有具吸收之酸不安定基的重复单位，且，该重复单位为于前述基质树脂中所含之全部高分子化合物的重复单位中，以1％～10％之比例含有为其特征的正型光阻材料。

3. 发明专利

TW200500805A 採用熱流步驟形成微細穿孔之方法审中-公开
简体标题：采用热流步骤形成微细穿孔之方法
公开(公告)号：TW200500805A
公开(公告)日：2005-01-01
申请号：TW093112784
申请日：2004-05-06
申请人：信越化學工業股份有限公司 SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：竹村勝也 TAKEMURA, KATSUYA , 關明寬 SEKI, AKIHIRO , 福田英次 FUKUDA, EIJI
IPC分类号： G03F
CPC分类号： G03F7/40 , H01L21/76802
摘要：提供光阻材料之批次改變，熱流後之穿孔尺寸可一定，或於同一燒焙溫度縮小尺寸，即流動量可一定，形成穿孔之方法。提供含塗敷光阻材料於基板之步驟，與加熱步驟，與以藉由穿孔圖像用遮光膜進行曝光之步驟，與熱處理之步驟，與其後以顯像液現像之步驟，含有所得之穿孔圖像的含熱流步驟之穿孔圖像形成方法，該光阻材料含有與光阻材料中之成分不反應且不使解像性能變化之有機化合物，該光阻材料之批次改變時，由增減該有機化合物之添加量，該批次變更前後之穿孔圖像可得到統一性之形成穿孔方法。
简体摘要：提供光阻材料之批次改变，热流后之穿孔尺寸可一定，或于同一烧焙温度缩小尺寸，即流动量可一定，形成穿孔之方法。提供含涂敷光阻材料于基板之步骤，与加热步骤，与以借由穿孔图像用遮光膜进行曝光之步骤，与热处理之步骤，与其后以显像液现像之步骤，含有所得之穿孔图像的含热流步骤之穿孔图像形成方法，该光阻材料含有与光阻材料中之成分不反应且不使解像性能变化之有机化合物，该光阻材料之批次改变时，由增减该有机化合物之添加量，该批次变更前后之穿孔图像可得到统一性之形成穿孔方法。

4. 发明专利

TWI306990B 新穎之磺醯基重氮甲烷化合物、光產生酸劑、以及使用其之光阻材料及圖型之形成方法 NOVEL SULFONYLDIAZOMETHANE COMPOUNDS, PHOTOACID GENERATOR, RESIST MATERIALS AND PATTERNING PROCESS USING THE SAME 有权
简体标题：新颖之磺酰基重氮甲烷化合物、光产生酸剂、以及使用其之光阻材料及图型之形成方法 NOVEL SULFONYLDIAZOMETHANE COMPOUNDS, PHOTOACID GENERATOR, RESIST MATERIALS AND PATTERNING PROCESS USING THE SAME
公开(公告)号：TWI306990B
公开(公告)日：2009-03-01
申请号：TW093125831
申请日：2004-08-27
申请人：信越化學工業股份有限公司 SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：小林克浩 KOBAYASHI, KATSUHIRO , 大澤洋一 OHSAWA, YOUICHI , 金生剛 KINSHO, TAKESHI , 福田英次 FUKUDA, EIJI , 田中惠生 TANAKA, SHIGEO
IPC分类号： G03F
CPC分类号： C07D317/72 , C07C317/28 , C07C2601/14 , C07D319/08 , G03F7/0045 , G03F7/0382 , G03F7/0392 , G03F7/0395 , Y10S430/106 , Y10S430/111
摘要：本發明係提供一種適用於塗佈後、顯像後、剝離後之雜質少,特別是顯像後之圖型輪廓形狀優異之光阻材料,化學增幅正型光阻材料之磺醯基重氮甲烷化合物及光酸產生劑,及使用這些之光阻材料及圖型之形成方法。
本發明係提供以下述一般式(1)所示之磺醯基重氮甲烷化合物,含有該磺醯基重氮甲烷化合物所成之光酸產生劑。本發明提供(A)以酸之作用使對鹼性顯像液之溶解性產生變化的樹脂及(B)藉由輻射線照射產生酸之上述一般式(1)所示之磺醯基重氮甲烷化合物所成之化學增幅正型光阻材料。本發明係提供含有:將此光阻材料塗佈於基板上的步驟,其次進行加熱處理之步驟,曝光步驟,其後必要時加熱處理後,使用顯像液之步驟所成之圖型之形成方法。
简体摘要：本发明系提供一种适用于涂布后、显像后、剥离后之杂质少,特别是显像后之图型轮廓形状优异之光阻材料,化学增幅正型光阻材料之磺酰基重氮甲烷化合物及光酸产生剂,及使用这些之光阻材料及图型之形成方法。本发明系提供以下述一般式(1)所示之磺酰基重氮甲烷化合物,含有该磺酰基重氮甲烷化合物所成之光酸产生剂。本发明提供(A)以酸之作用使对碱性显像液之溶解性产生变化的树脂及(B)借由辐射线照射产生酸之上述一般式(1)所示之磺酰基重氮甲烷化合物所成之化学增幅正型光阻材料。本发明系提供含有:将此光阻材料涂布于基板上的步骤,其次进行加热处理之步骤,曝光步骤,其后必要时加热处理后,使用显像液之步骤所成之图型之形成方法。

5. 发明专利

TW200521630A 新穎之磺醯基重氮甲烷化合物、光產生酸劑、以及使用其之光阻材料及圖型之形成方法 NOVEL SULFONYLDIAZOMETHANE COMPOUNDS, PHOTOACID GENERATOR, RESIST MATERIALS AND PATTERNING PROCESS USING THE SAME 审中-公开
简体标题：新颖之磺酰基重氮甲烷化合物、光产生酸剂、以及使用其之光阻材料及图型之形成方法 NOVEL SULFONYLDIAZOMETHANE COMPOUNDS, PHOTOACID GENERATOR, RESIST MATERIALS AND PATTERNING PROCESS USING THE SAME
公开(公告)号：TW200521630A
公开(公告)日：2005-07-01
申请号：TW093125831
申请日：2004-08-27
申请人：信越化學工業股份有限公司 SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：小林克浩 KOBAYASHI, KATSUHIRO , 大澤洋一 OHSAWA, YOUICHI , 金生剛 KINSHO, TAKESHI , 福田英次 FUKUDA, EIJI , 田中惠生 TANAKA, SHIGEO
IPC分类号： G03F
CPC分类号： C07D317/72 , C07C317/28 , C07C2601/14 , C07D319/08 , G03F7/0045 , G03F7/0382 , G03F7/0392 , G03F7/0395 , Y10S430/106 , Y10S430/111
摘要：本發明係提供一種適用於塗佈後、顯像後、剝離後之雜質少，特別是顯像後之圖型輪廓形狀優異之光阻材料，化學增幅正型光阻材料之磺醯基重氮甲烷化合物及光酸產生劑，及使用這些之光阻材料及圖型之形成方法。本發明係提供以下述一般式(1)所示之磺醯基重氮甲烷化合物，含有該磺醯基重氮甲烷化合物所成之光酸產生劑。本發明提供(A)以酸之作用使對鹼性顯像液之溶解性產生變化的樹脂及(B)藉由輻射線照射產生酸之上述一般式(1)所示之磺醯基重氮甲烷化合物所成之化學增幅正型光阻材料。本發明係提供含有：將此光阻材料塗佈於基板上的步驟，其次進行加熱處理之步驟，曝光步驟，其後必要時加熱處理後，使用顯像液之步驟所成之圖型之形成方法。093125831-p01.bmp
简体摘要：本发明系提供一种适用于涂布后、显像后、剥离后之杂质少，特别是显像后之图型轮廓形状优异之光阻材料，化学增幅正型光阻材料之磺酰基重氮甲烷化合物及光酸产生剂，及使用这些之光阻材料及图型之形成方法。本发明系提供以下述一般式(1)所示之磺酰基重氮甲烷化合物，含有该磺酰基重氮甲烷化合物所成之光酸产生剂。本发明提供(A)以酸之作用使对碱性显像液之溶解性产生变化的树脂及(B)借由辐射线照射产生酸之上述一般式(1)所示之磺酰基重氮甲烷化合物所成之化学增幅正型光阻材料。本发明系提供含有：将此光阻材料涂布于基板上的步骤，其次进行加热处理之步骤，曝光步骤，其后必要时加热处理后，使用显像液之步骤所成之图型之形成方法。093125831-p01.bmp

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