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1. 发明专利

TW200846827A 正型光阻材料及圖型之形成方法 POSITIVE RESIST COMPOSITIONS AND PATTERNING PROCESS 审中-公开
简体标题：正型光阻材料及图型之形成方法 POSITIVE RESIST COMPOSITIONS AND PATTERNING PROCESS
公开(公告)号：TW200846827A
公开(公告)日：2008-12-01
申请号：TW096144145
申请日：2007-11-21
申请人：信越化學工業股份有限公司 SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：田中惠生 TANAKA, SHIGEO , 關明寬 SEKI, AKIHIRO , 竹村勝也 TAKEMURA, KATSUYA , 西恒寬 NISHI, TSUNEHIRO
IPC分类号： G03F , C08F , H01L
摘要：一種正型光阻材料,其為含有(A)基於酸之作用而形成對鹼顯影液為可溶之樹脂成份,與(B)感應活性光線或放射線而發生酸之化合物,其中,樹脂成份(A)為具有下述通式(1)所表示之重複單位的高分子化合物,且,發生酸之化合物(B)為下述通式(2)所表示之鹽化合物之正型光阻材料。
096144145P01.bmp
(R^1為H或甲基;R^2為含氟取代基;n為1或2;a、b、c、d分別為0.01以上,未達1之數,a+b+c+d=1。)
096144145P02.bmp
(R^3、R^4、R^5為H,或可含有雜原子之1價烴基。R^6為可含有雜原子之1價烴基。)本發明之光阻材料,可提供於微細加工技術,特別是於ArF微影蝕刻技術中具有極高之解析性,且具有良好之之光罩忠實性,特別是提供具有較小線路側壁不均(LER;Line Edge Roughness)之圖型。
简体摘要：一种正型光阻材料,其为含有(A)基于酸之作用而形成对碱显影液为可溶之树脂成份,与(B)感应活性光线或放射线而发生酸之化合物,其中,树脂成份(A)为具有下述通式(1)所表示之重复单位的高分子化合物,且,发生酸之化合物(B)为下述通式(2)所表示之盐化合物之正型光阻材料。 096144145P01.bmp (R^1为H或甲基;R^2为含氟取代基;n为1或2;a、b、c、d分别为0.01以上,未达1之数,a+b+c+d=1。) 096144145P02.bmp (R^3、R^4、R^5为H,或可含有杂原子之1价烃基。R^6为可含有杂原子之1价烃基。)本发明之光阻材料,可提供于微细加工技术,特别是于ArF微影蚀刻技术中具有极高之解析性,且具有良好之之光罩忠实性,特别是提供具有较小线路侧壁不均(LER;Line Edge Roughness)之图型。

2. 发明专利

TW200848931A 正型光阻材料及圖型之形成方法审中-公开
简体标题：正型光阻材料及图型之形成方法
公开(公告)号：TW200848931A
公开(公告)日：2008-12-16
申请号：TW096144131
申请日：2007-11-21
申请人：信越化學工業股份有限公司 SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：田中惠生 TANAKA, SHIGEO , 關明寬 SEKI, AKIHIRO , 竹村勝也 TAKEMURA, KATSUYA , 西恒寬 NISHI, TSUNEHIRO
IPC分类号： G03F
CPC分类号： G03F7/2041 , G03F7/0046 , G03F7/0397
摘要：本發明係一種正型光阻材料,其特徵係含有:藉由酸之作用成為可溶於鹼顯像液的樹脂成分(A)及感應活性光線或輻射線產生酸的化合物(B),其中樹脂成分(A)為具有下述一般式(1)表示之重複單位的高分子化合物。
096144131P01.bmp
(式中,R^1係H或甲基。R^2係甲基或乙基。R^3係H或CO2R^5。R^4係含氟取代基。R^5係可含有雜原子之一價烴基。n為1或2。a係0.30以上0.60以下,b係0.15以上0.40以下,c係0.10以上0.50以下,d係0.01以上0.30以下,a+b+c+d=1)。本發明之光阻材料係在微細加工技術,特別是ArF微影技術中,具有通孔圖型形成時之極高解像性,且可提供良好之光罩忠實性與確保真圓性之矩形性高的圖型。
简体摘要：本发明系一种正型光阻材料,其特征系含有:借由酸之作用成为可溶于碱显像液的树脂成分(A)及感应活性光线或辐射线产生酸的化合物(B),其中树脂成分(A)为具有下述一般式(1)表示之重复单位的高分子化合物。 096144131P01.bmp (式中,R^1系H或甲基。R^2系甲基或乙基。R^3系H或CO2R^5。R^4系含氟取代基。R^5系可含有杂原子之一价烃基。n为1或2。a系0.30以上0.60以下,b系0.15以上0.40以下,c系0.10以上0.50以下,d系0.01以上0.30以下,a+b+c+d=1)。本发明之光阻材料系在微细加工技术,特别是ArF微影技术中,具有通孔图型形成时之极高解像性,且可提供良好之光罩忠实性与确保真圆性之矩形性高的图型。

3. 发明专利

TWI306990B 新穎之磺醯基重氮甲烷化合物、光產生酸劑、以及使用其之光阻材料及圖型之形成方法 NOVEL SULFONYLDIAZOMETHANE COMPOUNDS, PHOTOACID GENERATOR, RESIST MATERIALS AND PATTERNING PROCESS USING THE SAME 有权
简体标题：新颖之磺酰基重氮甲烷化合物、光产生酸剂、以及使用其之光阻材料及图型之形成方法 NOVEL SULFONYLDIAZOMETHANE COMPOUNDS, PHOTOACID GENERATOR, RESIST MATERIALS AND PATTERNING PROCESS USING THE SAME
公开(公告)号：TWI306990B
公开(公告)日：2009-03-01
申请号：TW093125831
申请日：2004-08-27
申请人：信越化學工業股份有限公司 SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：小林克浩 KOBAYASHI, KATSUHIRO , 大澤洋一 OHSAWA, YOUICHI , 金生剛 KINSHO, TAKESHI , 福田英次 FUKUDA, EIJI , 田中惠生 TANAKA, SHIGEO
IPC分类号： G03F
CPC分类号： C07D317/72 , C07C317/28 , C07C2601/14 , C07D319/08 , G03F7/0045 , G03F7/0382 , G03F7/0392 , G03F7/0395 , Y10S430/106 , Y10S430/111
摘要：本發明係提供一種適用於塗佈後、顯像後、剝離後之雜質少,特別是顯像後之圖型輪廓形狀優異之光阻材料,化學增幅正型光阻材料之磺醯基重氮甲烷化合物及光酸產生劑,及使用這些之光阻材料及圖型之形成方法。
本發明係提供以下述一般式(1)所示之磺醯基重氮甲烷化合物,含有該磺醯基重氮甲烷化合物所成之光酸產生劑。本發明提供(A)以酸之作用使對鹼性顯像液之溶解性產生變化的樹脂及(B)藉由輻射線照射產生酸之上述一般式(1)所示之磺醯基重氮甲烷化合物所成之化學增幅正型光阻材料。本發明係提供含有:將此光阻材料塗佈於基板上的步驟,其次進行加熱處理之步驟,曝光步驟,其後必要時加熱處理後,使用顯像液之步驟所成之圖型之形成方法。
简体摘要：本发明系提供一种适用于涂布后、显像后、剥离后之杂质少,特别是显像后之图型轮廓形状优异之光阻材料,化学增幅正型光阻材料之磺酰基重氮甲烷化合物及光酸产生剂,及使用这些之光阻材料及图型之形成方法。本发明系提供以下述一般式(1)所示之磺酰基重氮甲烷化合物,含有该磺酰基重氮甲烷化合物所成之光酸产生剂。本发明提供(A)以酸之作用使对碱性显像液之溶解性产生变化的树脂及(B)借由辐射线照射产生酸之上述一般式(1)所示之磺酰基重氮甲烷化合物所成之化学增幅正型光阻材料。本发明系提供含有:将此光阻材料涂布于基板上的步骤,其次进行加热处理之步骤,曝光步骤,其后必要时加热处理后,使用显像液之步骤所成之图型之形成方法。

4. 发明专利

TW200900861A 正型光阻材料及圖型之形成方法 POSITIVE RESIST COMPOSITIONS AND PATTERNING PROCESS 审中-公开
简体标题：正型光阻材料及图型之形成方法 POSITIVE RESIST COMPOSITIONS AND PATTERNING PROCESS
公开(公告)号：TW200900861A
公开(公告)日：2009-01-01
申请号：TW096144172
申请日：2007-11-21
申请人：信越化學工業股份有限公司 SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：西恒寬 NISHI, TSUNEHIRO , 竹村勝也 TAKEMURA, KATSUYA , 田中惠生 TANAKA, SHIGEO
IPC分类号： G03F
摘要：一種正型光阻材料,其為含有(A)基於酸之作用而形成對鹼顯影液為可溶之樹脂成份,與(B)感應活性光線或放射線而發生酸之化合物,其中,樹脂成份(A)為具有下述通式(1)所表示之重複單位的高分子化合物,且,發生酸之化合物(B)為下述通式(2)所表示之鹽化合物之正型光阻材料。
096144172P01.bmp
(R^1為H、甲基,或三氟甲基。R^2為酸不穩定基。R^3為H或CO2R^4。R^4為1價烴基。X為O、S、CH2,或CH2CH2。m為1或2。n為1或2。a、b、c、d分別為0.01以上,未達1之數,a+b+c+d=1)。
096144172P02.bmp
(R^5、R^6、R^7為H,或1價烴基。R^8為1價烴基)。本發明之光阻材料,可提供於微細加工技術,特別是於ArF微影蝕刻技術中具有極高之解析性,且具有較小線路側壁不均(Line Edge Roughness)之圖型。
简体摘要：一种正型光阻材料,其为含有(A)基于酸之作用而形成对碱显影液为可溶之树脂成份,与(B)感应活性光线或放射线而发生酸之化合物,其中,树脂成份(A)为具有下述通式(1)所表示之重复单位的高分子化合物,且,发生酸之化合物(B)为下述通式(2)所表示之盐化合物之正型光阻材料。 096144172P01.bmp (R^1为H、甲基,或三氟甲基。R^2为酸不稳定基。R^3为H或CO2R^4。R^4为1价烃基。X为O、S、CH2,或CH2CH2。m为1或2。n为1或2。a、b、c、d分别为0.01以上,未达1之数,a+b+c+d=1)。 096144172P02.bmp (R^5、R^6、R^7为H,或1价烃基。R^8为1价烃基)。本发明之光阻材料,可提供于微细加工技术,特别是于ArF微影蚀刻技术中具有极高之解析性,且具有较小线路侧壁不均(Line Edge Roughness)之图型。

5. 发明专利

TW200848933A 正型光阻材料及圖型之形成方法审中-公开
简体标题：正型光阻材料及图型之形成方法
公开(公告)号：TW200848933A
公开(公告)日：2008-12-16
申请号：TW096145148
申请日：2007-11-28
申请人：信越化學工業股份有限公司 SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：關明寬 SEKI, AKIHIRO , 田中惠生 TANAKA, SHIGEO , 竹村勝也 TAKEMURA, KATSUYA , 西恒寬 NISHI, TSUNEHIRO
IPC分类号： G03F , H01L , C08F
CPC分类号： G03F7/0397 , G03F7/0046 , G03F7/2041 , Y10S430/111
摘要：本發明之正型光阻材料,其係含有:藉由酸之作用成為可溶於鹼顯像液的樹脂成分(A)及感應活性光線或輻射線產生酸的化合物(B),其中樹脂成分(A)為具有下述一般式(1)表示之重複單位的高分子化合物,
096145148P01.bmp
(式中,R^1係氫原子、甲基或三氟甲基。R^2係氫原子或CO2R^4基。R^3係碳數1-15之含氟取代基。R^4係可含有雜原子之碳數1-20之一價烴基。m為1或2。n為1或2。a、b、c、d係各重複單位的存在比,a、b、c、d係超過0未達1之數,a+b+c+d=1)。本發明之光阻材料係在微細加工技術,特別是ArF微影技術中,具有極高解像性,且可提供LER較小的圖型。
简体摘要：本发明之正型光阻材料,其系含有:借由酸之作用成为可溶于碱显像液的树脂成分(A)及感应活性光线或辐射线产生酸的化合物(B),其中树脂成分(A)为具有下述一般式(1)表示之重复单位的高分子化合物, 096145148P01.bmp (式中,R^1系氢原子、甲基或三氟甲基。R^2系氢原子或CO2R^4基。R^3系碳数1-15之含氟取代基。R^4系可含有杂原子之碳数1-20之一价烃基。m为1或2。n为1或2。a、b、c、d系各重复单位的存在比,a、b、c、d系超过0未达1之数,a+b+c+d=1)。本发明之光阻材料系在微细加工技术,特别是ArF微影技术中,具有极高解像性,且可提供LER较小的图型。

6. 发明专利

TW200521630A 新穎之磺醯基重氮甲烷化合物、光產生酸劑、以及使用其之光阻材料及圖型之形成方法 NOVEL SULFONYLDIAZOMETHANE COMPOUNDS, PHOTOACID GENERATOR, RESIST MATERIALS AND PATTERNING PROCESS USING THE SAME 审中-公开
简体标题：新颖之磺酰基重氮甲烷化合物、光产生酸剂、以及使用其之光阻材料及图型之形成方法 NOVEL SULFONYLDIAZOMETHANE COMPOUNDS, PHOTOACID GENERATOR, RESIST MATERIALS AND PATTERNING PROCESS USING THE SAME
公开(公告)号：TW200521630A
公开(公告)日：2005-07-01
申请号：TW093125831
申请日：2004-08-27
申请人：信越化學工業股份有限公司 SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：小林克浩 KOBAYASHI, KATSUHIRO , 大澤洋一 OHSAWA, YOUICHI , 金生剛 KINSHO, TAKESHI , 福田英次 FUKUDA, EIJI , 田中惠生 TANAKA, SHIGEO
IPC分类号： G03F
CPC分类号： C07D317/72 , C07C317/28 , C07C2601/14 , C07D319/08 , G03F7/0045 , G03F7/0382 , G03F7/0392 , G03F7/0395 , Y10S430/106 , Y10S430/111
摘要：本發明係提供一種適用於塗佈後、顯像後、剝離後之雜質少，特別是顯像後之圖型輪廓形狀優異之光阻材料，化學增幅正型光阻材料之磺醯基重氮甲烷化合物及光酸產生劑，及使用這些之光阻材料及圖型之形成方法。本發明係提供以下述一般式(1)所示之磺醯基重氮甲烷化合物，含有該磺醯基重氮甲烷化合物所成之光酸產生劑。本發明提供(A)以酸之作用使對鹼性顯像液之溶解性產生變化的樹脂及(B)藉由輻射線照射產生酸之上述一般式(1)所示之磺醯基重氮甲烷化合物所成之化學增幅正型光阻材料。本發明係提供含有：將此光阻材料塗佈於基板上的步驟，其次進行加熱處理之步驟，曝光步驟，其後必要時加熱處理後，使用顯像液之步驟所成之圖型之形成方法。093125831-p01.bmp
简体摘要：本发明系提供一种适用于涂布后、显像后、剥离后之杂质少，特别是显像后之图型轮廓形状优异之光阻材料，化学增幅正型光阻材料之磺酰基重氮甲烷化合物及光酸产生剂，及使用这些之光阻材料及图型之形成方法。本发明系提供以下述一般式(1)所示之磺酰基重氮甲烷化合物，含有该磺酰基重氮甲烷化合物所成之光酸产生剂。本发明提供(A)以酸之作用使对碱性显像液之溶解性产生变化的树脂及(B)借由辐射线照射产生酸之上述一般式(1)所示之磺酰基重氮甲烷化合物所成之化学增幅正型光阻材料。本发明系提供含有：将此光阻材料涂布于基板上的步骤，其次进行加热处理之步骤，曝光步骤，其后必要时加热处理后，使用显像液之步骤所成之图型之形成方法。093125831-p01.bmp

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