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1. 发明专利

TW593761B 熱噴塗方法及所使用之稀土金屬氧化物粉末有权
简体标题：热喷涂方法及所使用之稀土金属氧化物粉末
公开(公告)号：TW593761B
公开(公告)日：2004-06-21
申请号：TW090116050
申请日：2001-06-29
申请人：信越化學工業股份有限公司 SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：塚谷敏彥 , 高井康 , 前田孝雄 MAEDA, TAKAO
IPC分类号： C23C
CPC分类号： C23C4/11 , Y10T428/25 , Y10T428/26 , Y10T428/2982
摘要：本發明揭示使用一種由氧化物顆粒組成之獨特的熱噴塗粉末，以電漿熱噴塗方法處理，形成具高度抗腐蝕或抗蝕刻之稀土氧化物或稀土基材組合氧化物熱噴塗層之有效方法。熱噴塗顆粒之特徵為其特定平均粒子直徑5~80μm，特定分散指數0.1~0.7及特定BET比表面積為1~5m2/g，和其含非常低含量的鐵雜質，以氧化物重量計之不超過5ppm。此處使用的火焰噴塗粉末，其特點為包括球狀粒子組態、粒子直徑D90、體密度及累積孔體積等數種其他測粒參數。
简体摘要：本发明揭示使用一种由氧化物颗粒组成之独特的热喷涂粉末，以等离子热喷涂方法处理，形成具高度抗腐蚀或抗蚀刻之稀土氧化物或稀土基材组合氧化物热喷涂层之有效方法。热喷涂颗粒之特征为其特定平均粒子直径5~80μm，特定分散指数0.1~0.7及特定BET比表面积为1~5m2/g，和其含非常低含量的铁杂质，以氧化物重量计之不超过5ppm。此处使用的火焰喷涂粉末，其特点为包括球状粒子组态、粒子直径D90、体密度及累积孔体积等数种其他测粒参数。

2. 发明专利

TW200720484A 稀土類金屬構件及其製造方法审中-公开
简体标题：稀土类金属构件及其制造方法
公开(公告)号：TW200720484A
公开(公告)日：2007-06-01
申请号：TW095123402
申请日：2006-06-28
申请人：信越化學工業股份有限公司 SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：塚谷敏彥 TSUKATANI, TOSHIHIKO , 中野瑞 NAKANO, HAJIME , 前田孝雄 MAEDA, TAKAO
IPC分类号： C23G , H01L
CPC分类号： H01J37/32431 , C22B59/00 , C22C28/00 , C23G1/10 , H01J37/32477 , H01J2237/022 , Y10S438/968
摘要：本發明係提供一種稀土類金屬構件,其全部為稀土類金屬所形成的稀土類金屬構件,其特徵為從最表面到深度2��m以內的部分之稀土類金屬元素以外的1種以上金屬元素的含量分別為100ppm以下。藉由使用稀土類金屬元素以外的1種以上金屬元素的含量分別為100ppm以下之稀土類金屬製作構件,藉由加工後稀土類金屬構件以有機酸系封鎖劑洗淨,可提供表面為高純度結晶直徑大而粒界少、耐鹵素性(耐腐蝕性)優異之稀土類金屬構件。
简体摘要：本发明系提供一种稀土类金属构件,其全部为稀土类金属所形成的稀土类金属构件,其特征为从最表面到深度2��m以内的部分之稀土类金属元素以外的1种以上金属元素的含量分别为100ppm以下。借由使用稀土类金属元素以外的1种以上金属元素的含量分别为100ppm以下之稀土类金属制作构件,借由加工后稀土类金属构件以有机酸系封锁剂洗净,可提供表面为高纯度结晶直径大而粒界少、耐卤素性(耐腐蚀性)优异之稀土类金属构件。

3. 发明专利

TW200428416A 高耐電壓性構件审中-公开
简体标题：高耐电压性构件
公开(公告)号：TW200428416A
公开(公告)日：2004-12-16
申请号：TW092137113
申请日：2003-12-26
申请人：信越化學工業股份有限公司 SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：前田孝雄 MAEDA, TAKAO , 島聰 SHIMA, SATOSHI
IPC分类号： H01B , C23C
CPC分类号： H02H1/00 , C23C4/11 , C23C24/04
摘要：〔用以解決課題之手段〕本發明為一種高耐電壓性構件，其特徵為由含有原子序64～71的稀土元素(Rere earth elements)氧化物之溶射皮膜所構成之高耐電壓溶射皮膜材料。〔發明之效果〕本發明提供一種高耐電壓性構件，可妥適地作為介電體滾筒(dielectric roll)、加熱基板、半導體製造裝置的靜電吸盤構件、微波發熱體等之用。
简体摘要：〔用以解决课题之手段〕本发明为一种高耐电压性构件，其特征为由含有原子序64～71的稀土元素(Rere earth elements)氧化物之溶射皮膜所构成之高耐电压溶射皮膜材料。〔发明之效果〕本发明提供一种高耐电压性构件，可妥适地作为介电体滚筒(dielectric roll)、加热基板、半导体制造设备的静电吸盘构件、微波发热体等之用。

4. 发明专利

TWI295327B 高耐電壓性構件有权
简体标题：高耐电压性构件
公开(公告)号：TWI295327B
公开(公告)日：2008-04-01
申请号：TW092137113
申请日：2003-12-26
申请人：信越化學工業股份有限公司 SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：前田孝雄 MAEDA, TAKAO , 島聰 SHIMA, SATOSHI
IPC分类号： H01B , C23C
CPC分类号： H02H1/00 , C23C4/11 , C23C24/04
摘要： [用以解決課題之手段]本發明為一種高耐電壓性構件，其特徵為由含有原子序64~71的稀土元素(Rere earth elements)氧化物之溶射皮膜所構成之高耐電壓溶射皮膜材料。[發明之效果]本發明提供一種高耐電壓性構件，可妥適地作為介電體滾筒(dielectric roll)、加熱基板、半導體製造裝置的靜電吸盤構件、微波發熱體等之用。
简体摘要： [用以解决课题之手段]本发明为一种高耐电压性构件，其特征为由含有原子序64~71的稀土元素(Rere earth elements)氧化物之溶射皮膜所构成之高耐电压溶射皮膜材料。[发明之效果]本发明提供一种高耐电压性构件，可妥适地作为介电体滚筒(dielectric roll)、加热基板、半导体制造设备的静电吸盘构件、微波发热体等之用。

5. 发明专利

TW200730668A 經多層塗敷之耐腐蝕性構件审中-公开
简体标题：经多层涂敷之耐腐蚀性构件
公开(公告)号：TW200730668A
公开(公告)日：2007-08-16
申请号：TW095138772
申请日：2006-10-20
申请人：信越化學工業股份有限公司 SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：塚谷敏彥 TSUKATANI, TOSHIHIKO , 中野瑞 NAKANO, HAJIME , 前田孝雄 MAEDA, TAKAO
IPC分类号： C23F , H01L
CPC分类号： C23C4/18 , C23C4/02 , C23C4/11 , C23C4/134 , C23C24/04 , H01J37/32477 , H01J37/32559
摘要：本發明係提供一種曝露於鹵素系氣體氣氛、或鹵素系氣體電漿氣氛之耐腐蝕性構件,於基材表面被覆複數之材料所成,其被覆層之最表面為稀土類元素之氟化物,其下面具有未達5%氣孔率之稀土類元素之氧化物層為其特徵之耐腐蝕性構件。本發明之耐腐蝕性構件可提昇對於鹵素系腐蝕性氣體、或其電漿之耐腐蝕性,可抑制其用於半導體製造裝置、平面顯示器製造裝置時因電漿蝕刻所產生之微粒污染。另外,因可抑制經由洗淨所造成構件之損傷,故可實現構件之高壽命。因此,可長期且高效率生產高品質製品。
简体摘要：本发明系提供一种曝露于卤素系气体气氛、或卤素系气体等离子气氛之耐腐蚀性构件,于基材表面被覆复数之材料所成,其被覆层之最表面为稀土类元素之氟化物,其下面具有未达5%气孔率之稀土类元素之氧化物层为其特征之耐腐蚀性构件。本发明之耐腐蚀性构件可提升对于卤素系腐蚀性气体、或其等离子之耐腐蚀性,可抑制其用于半导体制造设备、平面显示器制造设备时因等离子蚀刻所产生之微粒污染。另外,因可抑制经由洗净所造成构件之损伤,故可实现构件之高寿命。因此,可长期且高效率生产高品质制品。

6. 发明专利

TW200501212A 耐電漿構件及其製造方法审中-公开
简体标题：耐等离子构件及其制造方法
公开(公告)号：TW200501212A
公开(公告)日：2005-01-01
申请号：TW093113237
申请日：2004-05-11
申请人：信越化學工業股份有限公司 SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：前田孝雄 MAEDA, TAKAO
IPC分类号： H01L
CPC分类号： C23C4/02 , C23C4/11 , Y10T428/12736 , Y10T428/12743
摘要：一種耐電漿構件，為於鋁合金或施以陽極氧化加工之鋁合金基材上，形成含Y，Gd，Tb，Dy，Ho或Er氧化物噴鍍皮膜之構件，其特徵為該皮膜與基材之密合強度為20MPa以上，顯微型威氏硬度為450kgf／mm^2，以上，噴鍍狀態之表面粗糙度為Ra5μm以下，Rmax35μm以下，絕緣破壞強度為25kV／mm以上，1MHz～1GHz之正切介電質損耗角(tanδ)為8×10^-3以下者。本發明之耐電漿構件，為不必要表面研磨加工之緻密構件，可適合使用於半導體製造裝置或液晶，電漿顯示器製造裝置用耐電漿構件。又，依本發明之製造方法可確實的製造相關之耐電漿構件。
简体摘要：一种耐等离子构件，为于铝合金或施以阳极氧化加工之铝合金基材上，形成含Y，Gd，Tb，Dy，Ho或Er氧化物喷镀皮膜之构件，其特征为该皮膜与基材之密合强度为20MPa以上，显微型威氏硬度为450kgf／mm^2，以上，喷镀状态之表面粗糙度为Ra5μm以下，Rmax35μm以下，绝缘破坏强度为25kV／mm以上，1MHz～1GHz之正切介电质损耗角(tanδ)为8×10^-3以下者。本发明之耐等离子构件，为不必要表面研磨加工之致密构件，可适合使用于半导体制造设备或液晶，等离子显示器制造设备用耐等离子构件。又，依本发明之制造方法可确实的制造相关之耐等离子构件。

7. 发明专利

TW200427870A 含氟化物之薄膜及被覆構件审中-公开
简体标题：含氟化物之薄膜及被覆构件
公开(公告)号：TW200427870A
公开(公告)日：2004-12-16
申请号：TW092136021
申请日：2003-12-18
申请人：信越化學工業股份有限公司 SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：前田孝雄 MAEDA, TAKAO , 中野瑞 NAKANO, HAJIME , 島聰 SHIMA, SATOSHI
IPC分类号： C23F
CPC分类号： C23C30/00 , C23C4/04 , C23C24/04 , C23C30/005 , Y10T428/31678
摘要：本發明提供一種含有第IIIA族元素之氟化物的薄膜，係至少含有第IIIA族元素、與氟元素之皮膜者；其特徵為，含有第IIIA族氟化物相，而且此氟化物相為正交晶系，含有50％以上之屬於空間群Pnma的結晶相。使用本發明，為授與曝露於腐蝕性鹵素原料存在之大氣下的構件耐蝕性，在其表面形成含有第IIIA族之氟化物的皮膜中，藉由控制其結晶相之狀態，可以抑制因腐蝕而產生的變色之故，藉由此含第IIIA族氟化物皮膜之所含結晶相，能提高耐蝕性；更由於此結晶相為正交晶系，乃實質的單相，能抑制皮膜之變色。又，皮膜之硬度，以顯微型威氏硬度計測定，在硬度Hv100以上，為能減低．抑制皮膜之損耗量者。
简体摘要：本发明提供一种含有第IIIA族元素之氟化物的薄膜，系至少含有第IIIA族元素、与氟元素之皮膜者；其特征为，含有第IIIA族氟化物相，而且此氟化物相为正交晶系，含有50％以上之属于空间群Pnma的结晶相。使用本发明，为授与曝露于腐蚀性卤素原料存在之大气下的构件耐蚀性，在其表面形成含有第IIIA族之氟化物的皮膜中，借由控制其结晶相之状态，可以抑制因腐蚀而产生的变色之故，借由此含第IIIA族氟化物皮膜之所含结晶相，能提高耐蚀性；更由于此结晶相为正交晶系，乃实质的单相，能抑制皮膜之变色。又，皮膜之硬度，以显微型威氏硬度计测定，在硬度Hv100以上，为能减低．抑制皮膜之损耗量者。

8. 发明专利

TWI313306B 含氟化物之薄膜及被覆構件有权
简体标题：含氟化物之薄膜及被覆构件
公开(公告)号：TWI313306B
公开(公告)日：2009-08-11
申请号：TW092136021
申请日：2003-12-18
申请人：信越化學工業股份有限公司 SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：前田孝雄 MAEDA, TAKAO , 中野瑞 NAKANO, HAJIME , 島聰 SHIMA, SATOSHI
IPC分类号： C23F
CPC分类号： C23C30/00 , C23C4/04 , C23C24/04 , C23C30/005 , Y10T428/31678
摘要：本發明提供一種含有第IIIA族元素之氟化物的薄膜,係至少含有第IIIA族元素、與氟元素之皮膜者;其特徵為,含有第IIIA族氟化物相,而且此氟化物相為正交晶系,含有50%以上之屬於空間群Pnma的結晶相。
使用本發明,為授與曝露於腐蝕性鹵素原料存在之大氣下的構件耐蝕性,在其表面形成含有第IIIA族之氟化物的皮膜中,藉由控制其結晶相之狀態,可以抑制因腐蝕而產生的變色之故,藉由此含第IIIA族氟化物皮膜之所含結晶相,能提高耐蝕性;更由於此結晶相為正交晶系,乃實質的單相,能抑制皮膜之變色。
又,皮膜之硬度,以顯微型威氏硬度計測定,在硬度Hv100以上,為能減低‧抑制皮膜之損耗量者。
简体摘要：本发明提供一种含有第IIIA族元素之氟化物的薄膜,系至少含有第IIIA族元素、与氟元素之皮膜者;其特征为,含有第IIIA族氟化物相,而且此氟化物相为正交晶系,含有50%以上之属于空间群Pnma的结晶相。使用本发明,为授与曝露于腐蚀性卤素原料存在之大气下的构件耐蚀性,在其表面形成含有第IIIA族之氟化物的皮膜中,借由控制其结晶相之状态,可以抑制因腐蚀而产生的变色之故,借由此含第IIIA族氟化物皮膜之所含结晶相,能提高耐蚀性;更由于此结晶相为正交晶系,乃实质的单相,能抑制皮膜之变色。又,皮膜之硬度,以显微型威氏硬度计测定,在硬度Hv100以上,为能减低‧抑制皮膜之损耗量者。

9. 发明专利

TW200745381A 導電性耐電漿構件审中-公开
简体标题：导电性耐等离子构件
公开(公告)号：TW200745381A
公开(公告)日：2007-12-16
申请号：TW096114052
申请日：2007-04-20
申请人：信越化學工業股份有限公司 SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：前田孝雄 MAEDA, TAKAO , 牧野勇一 MAKINO, YUUICHI , 中野瑞 NAKANO, HAJIME , 植原一郎 UEHARA, ICHIRO
IPC分类号： C23C , C23F , H01L
CPC分类号： C23C4/08 , C23C4/06 , Y10T428/31678
摘要： [解決手段]一種導電性耐電漿構件,係曝露於鹵素系氣體電漿氛圍的耐電漿構件,其特徵為:於基材之曝露於電漿的部分中之至少一部分,形成釔金屬的噴塗膜、或釔金屬與氧化釔及/或氟化釔的混合噴塗膜,施加導電性。[效果]本發明的耐蝕性的導電性耐電漿構件,係有導電性,使對於鹵素系腐蝕性氣體、或是該電漿之耐蝕性提高,可抑制在使用半導體製造裝置或平面顯示器製造裝置時之因電漿蝕刻的粒子污染。
简体摘要： [解决手段]一种导电性耐等离子构件,系曝露于卤素系气体等离子氛围的耐等离子构件,其特征为:于基材之曝露于等离子的部分中之至少一部分,形成钇金属的喷涂膜、或钇金属与氧化钇及/或氟化钇的混合喷涂膜,施加导电性。[效果]本发明的耐蚀性的导电性耐等离子构件,系有导电性,使对于卤素系腐蚀性气体、或是该等离子之耐蚀性提高,可抑制在使用半导体制造设备或平面显示器制造设备时之因等离子蚀刻的粒子污染。

10. 发明专利

TW200728501A 耐腐蝕性構件审中-公开
简体标题：耐腐蚀性构件
公开(公告)号：TW200728501A
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：TW095138779
申请日：2006-10-20
申请人：信越化學工業股份有限公司 SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：中野瑞 NAKANO, HAJIME , 塚谷敏彥 TSUKATANI, TOSHIHIKO , 前田孝雄 MAEDA, TAKAO
IPC分类号： C23C
CPC分类号： C23C4/04 , C23C4/02 , C23C24/04 , Y10T428/24355 , Y10T428/24413
摘要：本發明係提供一種耐腐蝕性構件,其係可暴露於氯系氣體或氯系電漿的材料,其特徵為暴露於氯系氣體或氯系電漿後,材料表面即使暴露於大氣中也不吸濕。可提供其暴露於氯系氣體或氯系電漿的面,從耐腐蝕材料不產生氯化物的粒子,且以水系洗淨的情況下,也因不顯現腐蝕基材的液體性質,不損壞基材、耐腐蝕性不降低之耐腐蝕性構件。
简体摘要：本发明系提供一种耐腐蚀性构件,其系可暴露于氯系气体或氯系等离子的材料,其特征为暴露于氯系气体或氯系等离子后,材料表面即使暴露于大气中也不吸湿。可提供其暴露于氯系气体或氯系等离子的面,从耐腐蚀材料不产生氯化物的粒子,且以水系洗净的情况下,也因不显现腐蚀基材的液体性质,不损坏基材、耐腐蚀性不降低之耐腐蚀性构件。

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