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    • 3. 发明专利
    • 圖案形成方法
    • 图案形成方法
    • TW201305731A
    • 2013-02-01
    • TW101114232
    • 2012-04-20
    • 信越化學工業股份有限公司SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
    • 小林知洋KOBAYASHI, TOMOHIRO金生剛KINSHO, TAKESHI關明寬SEKI, AKIHIRO熊木健太郎KUMAKI, KENTARO
    • G03F7/038H01L21/027
    • G03F7/0395G03F7/0397G03F7/203G03F7/2041G03F7/325
    • 本發明提供一種負型圖案形成方法,包含以下步驟:將包含開環置換聚合體氫化物作為基礎樹脂的光阻組成物塗佈於基板上,該開環置換聚合體氫化物,由具有利用酸不穩定基保護羧基之次結構的重複單元與具有內酯結構的重複單元構成;將進行塗佈後加熱處理而製作的光阻膜以高能量射線曝光;以及在實施曝光後加熱處理後,利用含有有機溶劑的顯影液選擇性地溶解光阻膜的未曝光部分。本發明之包含開環置換聚合體氫化物的光阻組成物,在有機溶劑顯影中的溶解對比高,且於利用曝光、加熱處理之酸不穩定基經去保護的狀態中,亦展現高耐乾式蝕刻性。藉由使用該光阻組成物,並進行利用有機溶劑顯影的負型圖案形成,可提升細微溝槽圖案或孔圖案之解析性能,同時可發揮高耐乾式蝕刻性。
    • 本发明提供一种负型图案形成方法,包含以下步骤:将包含开环置换聚合体氢化物作为基础树脂的光阻组成物涂布于基板上,该开环置换聚合体氢化物,由具有利用酸不稳定基保护羧基之次结构的重复单元与具有内酯结构的重复单元构成;将进行涂布后加热处理而制作的光阻膜以高能量射线曝光;以及在实施曝光后加热处理后,利用含有有机溶剂的显影液选择性地溶解光阻膜的未曝光部分。本发明之包含开环置换聚合体氢化物的光阻组成物,在有机溶剂显影中的溶解对比高,且于利用曝光、加热处理之酸不稳定基经去保护的状态中,亦展现高耐干式蚀刻性。借由使用该光阻组成物,并进行利用有机溶剂显影的负型图案形成,可提升细微沟槽图案或孔图案之解析性能,同时可发挥高耐干式蚀刻性。