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1. 发明专利

TWI497209B 圖案形成方法及光阻組成物有权
简体标题：图案形成方法及光阻组成物
公开(公告)号：TWI497209B
公开(公告)日：2015-08-21
申请号：TW103102985
申请日：2014-01-27
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：船津顯之 , FUNATSU, KENJI , 熊木健太郎 , KUMAKI, KENTARO , 關明寬 , SEKI, AKIHIRO , 小林知洋 , KOBAYASHI, TOMOHIRO , 長谷川幸士 , HASEGAWA, KOJI
IPC分类号： G03F7/038
CPC分类号： G03F7/0382 , G03F7/0397 , G03F7/38 , G03F7/40

2. 发明专利

TW201437756A 圖案形成方法及光阻組成物审中-公开
简体标题：图案形成方法及光阻组成物
公开(公告)号：TW201437756A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：TW103102985
申请日：2014-01-27
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：船津顯之 , FUNATSU, KENJI , 熊木健太郎 , KUMAKI, KENTARO , 關明寬 , SEKI, AKIHIRO , 小林知洋 , KOBAYASHI, TOMOHIRO , 長谷川幸士 , HASEGAWA, KOJI
IPC分类号： G03F7/038
CPC分类号： G03F7/0382 , G03F7/0397 , G03F7/38 , G03F7/40
摘要：本發明提供一種圖案形成方法，係將包含含有具通式(1a)之酸不穩定基之通式(1)表示之重複單元a1的高分子化合物及視需要的酸產生劑的光阻組成物塗佈在基板上，加熱處理後以高能射線將上述光阻膜曝光，加熱處理後使用由有機溶劑製得之顯影液使未曝光部溶解，獲得曝光部不溶解之負型圖案。 (R1代表氫原子或甲基。破折線代表鍵結手。) 將本發明之高分子化合物作為基礎樹脂的光阻組成物，於曝光、PEB後之有機溶劑顯影能獲得高溶解對比度，能以良好尺寸控制及廣焦點深度形成微細的孔圖案。
简体摘要：本发明提供一种图案形成方法，系将包含含有具通式(1a)之酸不稳定基之通式(1)表示之重复单元a1的高分子化合物及视需要的酸产生剂的光阻组成物涂布在基板上，加热处理后以高能射线将上述光阻膜曝光，加热处理后使用由有机溶剂制得之显影液使未曝光部溶解，获得曝光部不溶解之负型图案。 (R1代表氢原子或甲基。破折线代表键结手。) 将本发明之高分子化合物作为基础树脂的光阻组成物，于曝光、PEB后之有机溶剂显影能获得高溶解对比度，能以良好尺寸控制及广焦点深度形成微细的孔图案。

3. 发明专利

TW201305731A 圖案形成方法审中-公开
简体标题：图案形成方法
公开(公告)号：TW201305731A
公开(公告)日：2013-02-01
申请号：TW101114232
申请日：2012-04-20
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：小林知洋 , KOBAYASHI, TOMOHIRO , 金生剛 , KINSHO, TAKESHI , 關明寬 , SEKI, AKIHIRO , 熊木健太郎 , KUMAKI, KENTARO
IPC分类号： G03F7/038 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/0395 , G03F7/0397 , G03F7/203 , G03F7/2041 , G03F7/325
摘要：本發明提供一種負型圖案形成方法，包含以下步驟：將包含開環置換聚合體氫化物作為基礎樹脂的光阻組成物塗佈於基板上，該開環置換聚合體氫化物，由具有利用酸不穩定基保護羧基之次結構的重複單元與具有內酯結構的重複單元構成；將進行塗佈後加熱處理而製作的光阻膜以高能量射線曝光；以及在實施曝光後加熱處理後，利用含有有機溶劑的顯影液選擇性地溶解光阻膜的未曝光部分。本發明之包含開環置換聚合體氫化物的光阻組成物，在有機溶劑顯影中的溶解對比高，且於利用曝光、加熱處理之酸不穩定基經去保護的狀態中，亦展現高耐乾式蝕刻性。藉由使用該光阻組成物，並進行利用有機溶劑顯影的負型圖案形成，可提升細微溝槽圖案或孔圖案之解析性能，同時可發揮高耐乾式蝕刻性。
简体摘要：本发明提供一种负型图案形成方法，包含以下步骤：将包含开环置换聚合体氢化物作为基础树脂的光阻组成物涂布于基板上，该开环置换聚合体氢化物，由具有利用酸不稳定基保护羧基之次结构的重复单元与具有内酯结构的重复单元构成；将进行涂布后加热处理而制作的光阻膜以高能量射线曝光；以及在实施曝光后加热处理后，利用含有有机溶剂的显影液选择性地溶解光阻膜的未曝光部分。本发明之包含开环置换聚合体氢化物的光阻组成物，在有机溶剂显影中的溶解对比高，且于利用曝光、加热处理之酸不稳定基经去保护的状态中，亦展现高耐干式蚀刻性。借由使用该光阻组成物，并进行利用有机溶剂显影的负型图案形成，可提升细微沟槽图案或孔图案之解析性能，同时可发挥高耐干式蚀刻性。

4. 发明专利

TWI573828B 收縮材料及圖案形成方法有权
简体标题：收缩材料及图案形成方法
公开(公告)号：TWI573828B
公开(公告)日：2017-03-11
申请号：TW104140884
申请日：2015-12-07
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：熊木健太郎 , KUMAKI, KENTARO , 渡邊聰 , WATANABE, SATOSHI , 土門大將 , DOMON, DAISUKE , 畠山潤 , HATAKEYAMA, JUN
IPC分类号： C08L25/00 , C08L33/14 , C08F212/14 , C08F212/32 , C08F220/30 , C08K5/05 , C08K5/06 , C08K5/101 , G03F7/40 , H01L21/027

5. 发明专利

TWI531857B 圖案形成方法及光阻組成物有权
简体标题：图案形成方法及光阻组成物
公开(公告)号：TWI531857B
公开(公告)日：2016-05-01
申请号：TW102121348
申请日：2013-06-17
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：畠山潤 , HATAKEYAMA, JUN , 長谷川幸士 , HASEGAWA, KOJI , 提箸正義 , SAGEHASHI, MASAYOSHI , 片山和弘 , KATAYAMA, KAZUHIRO , 熊木健太郎 , KUMAKI, KENTARO , 小林知洋 , KOBAYASHI, TOMOHIRO
IPC分类号： G03F7/00 , C08F220/18 , C08F220/26 , C08F220/34 , C08F220/38 , G03F7/038 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/38 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , C08F220/10 , C08F220/14 , C08F220/16 , C08F220/24 , C08F222/10 , C08F222/14 , C08F228/02 , G03F7/0002 , G03F7/0017 , G03F7/004 , G03F7/0382 , G03F7/0397 , G03F7/20 , G03F7/325

6. 发明专利

TW201441761A 圖案形成方法及光阻組成物审中-公开
简体标题：图案形成方法及光阻组成物
公开(公告)号：TW201441761A
公开(公告)日：2014-11-01
申请号：TW103107070
申请日：2014-03-03
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：小林知洋 , KOBAYASHI, TOMOHIRO , 片山和弘 , KATAYAMA, KAZUHIRO , 熊木健太郎 , KUMAKI, KENTARO , 林傳文 , LIN, CHUANWEN , 大橋正樹 , OHASHI, MASAKI , 福島將大 , FUKUSHIMA, MASAHIRO
IPC分类号： G03F7/004 , C08F20/26 , C08F20/18 , C08K5/42 , G03F7/038 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/0395 , G03F7/0397 , G03F7/11 , G03F7/2041 , G03F7/325 , G03F7/38 , G03F7/40
摘要：本發明提供一種負型圖案形成方法，係將光阻組成物塗佈於基板，進行加熱處理以製成光阻膜，對於光阻膜以高能射線曝光，施以加熱處理後，以含有有機溶劑之顯影液使光阻膜之未曝光部分予以選擇性地溶解;該光阻組成物含有:具酸不穩定基且因酸作用使極性改變之高分子化合物[A]、式(1)之光酸產生劑[B]、及有機溶劑[C];R1-COOC(CF3)2-CH2SO3- R2R3R4S+ (1) (R1為1價烴基、R2、R3及R4為烷基、烯基、側氧基烷基、芳基、芳烷基或芳基側氧基烷基，或R2、R3及R4中的任2個以上也可彼此鍵結並與式中之硫原子一起形成環)。依照本發明，能減小微細之溝圖案之邊緣粗糙度，且能抑制逆推拔形狀並減輕圖案倒塌。
简体摘要：本发明提供一种负型图案形成方法，系将光阻组成物涂布于基板，进行加热处理以制成光阻膜，对于光阻膜以高能射线曝光，施以加热处理后，以含有有机溶剂之显影液使光阻膜之未曝光部分予以选择性地溶解;该光阻组成物含有:具酸不稳定基且因酸作用使极性改变之高分子化合物[A]、式(1)之光酸产生剂[B]、及有机溶剂[C];R1-COOC(CF3)2-CH2SO3- R2R3R4S+ (1) (R1为1价烃基、R2、R3及R4为烷基、烯基、侧氧基烷基、芳基、芳烷基或芳基侧氧基烷基，或R2、R3及R4中的任2个以上也可彼此键结并与式中之硫原子一起形成环)。依照本发明，能减小微细之沟图案之边缘粗糙度，且能抑制逆推拔形状并减轻图案倒塌。

7. 发明专利

TW201418874A 圖案形成方法及光阻組成物审中-公开
简体标题：图案形成方法及光阻组成物
公开(公告)号：TW201418874A
公开(公告)日：2014-05-16
申请号：TW102121348
申请日：2013-06-17
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：畠山潤 , HATAKEYAMA, JUN , 長谷川幸士 , HASEGAWA, KOJI , 提箸正義 , SAGEHASHI, MASAYOSHI , 片山和弘 , KATAYAMA, KAZUHIRO , 熊木健太郎 , KUMAKI, KENTARO , 小林知洋 , KOBAYASHI, TOMOHIRO
IPC分类号： G03F7/00 , C08F220/18 , C08F220/26 , C08F220/34 , C08F220/38 , G03F7/038 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/38 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , C08F220/10 , C08F220/14 , C08F220/16 , C08F220/24 , C08F222/10 , C08F222/14 , C08F228/02 , G03F7/0002 , G03F7/0017 , G03F7/004 , G03F7/0382 , G03F7/0397 , G03F7/20 , G03F7/325
摘要：本發明提供一種圖案形成方法，係將包含具有羧基之氫原子取代為式(1)表示之酸不穩定基之重複單元的高分子化合物及視須要之酸產生劑的光阻組成物塗佈在基板上，加熱處理後以高能射線將上述光阻膜曝光，加熱處理後使用有機溶劑製得之顯影液使未曝光部溶解，獲得曝光部未溶解之負型圖案; (R1為烷基，R2、R3、R4為氫原子、甲基或乙基，R2、R3、R4中之2個以上不為氫原子;R5為氫原子或甲基，R6為亞甲基或伸乙基)。將本發明之高分子化合物作為基礎之光阻組成物，於曝光、PEB後之有機溶劑顯影能獲得高溶解對比度，能以良好的尺寸控制、高感度形成微細的孔洞圖案或溝渠圖案。
简体摘要：本发明提供一种图案形成方法，系将包含具有羧基之氢原子取代为式(1)表示之酸不稳定基之重复单元的高分子化合物及视须要之酸产生剂的光阻组成物涂布在基板上，加热处理后以高能射线将上述光阻膜曝光，加热处理后使用有机溶剂制得之显影液使未曝光部溶解，获得曝光部未溶解之负型图案; (R1为烷基，R2、R3、R4为氢原子、甲基或乙基，R2、R3、R4中之2个以上不为氢原子;R5为氢原子或甲基，R6为亚甲基或伸乙基)。将本发明之高分子化合物作为基础之光阻组成物，于曝光、PEB后之有机溶剂显影能获得高溶解对比度，能以良好的尺寸控制、高感度形成微细的孔洞图案或沟渠图案。

8. 发明专利

TWI570138B 收縮材料及圖案形成方法有权
简体标题：收缩材料及图案形成方法
公开(公告)号：TWI570138B
公开(公告)日：2017-02-11
申请号：TW104140887
申请日：2015-12-07
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：熊木健太郎 , KUMAKI, KENTARO , 渡邊聰 , WATANABE, SATOSHI , 長谷川幸士 , HASEGAWA, KOJI , 土門大將 , DOMON, DAISUKE , 山田健司 , YAMADA, KENJI
IPC分类号： C08F212/14 , C08F220/30 , C08F220/28 , C08F220/34 , C08F232/08 , C08K5/098 , C08K5/42 , H01L21/027 , G03F7/40 , G03F1/38

9. 发明专利

TW201627379A 收縮材料及圖案形成方法审中-公开
简体标题：收缩材料及图案形成方法
公开(公告)号：TW201627379A
公开(公告)日：2016-08-01
申请号：TW104140884
申请日：2015-12-07
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：熊木健太郎 , KUMAKI, KENTARO , 渡邊聰 , WATANABE, SATOSHI , 土門大將 , DOMON, DAISUKE , 畠山潤 , HATAKEYAMA, JUN
IPC分类号： C08L25/00 , C08L33/14 , C08F212/14 , C08F212/32 , C08F220/30 , C08K5/05 , C08K5/06 , C08K5/101 , G03F7/40 , H01L21/027
摘要：本發明提供一種收縮材料，包括:含有下式(1)表示之重複單元之高分子化合物、含有不使顯影後之光阻圖案消失之溶劑之溶劑;若使用本發明之收縮材料，能以良好地控制性使在具有具經酸不安定基取代之羧基之高分子化合物與酸產生劑之光阻膜上以有機溶劑顯影獲得之負調圖案之孔及/或狹縫部分之尺寸縮小。
简体摘要：本发明提供一种收缩材料，包括:含有下式(1)表示之重复单元之高分子化合物、含有不使显影后之光阻图案消失之溶剂之溶剂;若使用本发明之收缩材料，能以良好地控制性使在具有具经酸不安定基取代之羧基之高分子化合物与酸产生剂之光阻膜上以有机溶剂显影获得之负调图案之孔及/或狭缝部分之尺寸缩小。

10. 发明专利

TW201625702A 收縮材料及圖案形成方法审中-公开
简体标题：收缩材料及图案形成方法
公开(公告)号：TW201625702A
公开(公告)日：2016-07-16
申请号：TW104140887
申请日：2015-12-07
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：熊木健太郎 , KUMAKI, KENTARO , 渡邊聰 , WATANABE, SATOSHI , 長谷川幸士 , HASEGAWA, KOJI , 土門大將 , DOMON, DAISUKE , 山田健司 , YAMADA, KENJI
IPC分类号： C08F212/14 , C08F220/30 , C08F220/28 , C08F220/34 , C08F232/08 , C08K5/098 , C08K5/42 , H01L21/027 , G03F7/40 , G03F1/38
摘要：本發明提供一種收縮材料，包括：含有選自下式(1a)及(1b)表示之重複單元中之至少1種單元之高分子化合物；及，含有不使顯影後之光阻圖案消失之溶劑之溶劑；若使用本發明之收縮材料，能以良好地控制性使在具有具經酸不安定基取代之羧基之高分子化合物與酸產生劑之光阻膜上以有機溶劑顯影獲得之負調圖案之孔及/或狹縫部分之尺寸縮小。
简体摘要：本发明提供一种收缩材料，包括：含有选自下式(1a)及(1b)表示之重复单元中之至少1种单元之高分子化合物；及，含有不使显影后之光阻图案消失之溶剂之溶剂；若使用本发明之收缩材料，能以良好地控制性使在具有具经酸不安定基取代之羧基之高分子化合物与酸产生剂之光阻膜上以有机溶剂显影获得之负调图案之孔及/或狭缝部分之尺寸缩小。

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