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1. 发明专利

TWI445021B 薄膜式共模濾波器有权
简体标题：薄膜式共模滤波器
公开(公告)号：TWI445021B
公开(公告)日：2014-07-11
申请号：TW101127455
申请日：2012-07-30
申请人：佳邦科技股份有限公司 , INPAQ TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：張育嘉 , CHANG, YU CHIA , 葉秀倫 , YEH, HSIU LUN , 戴世旻 , TAI, SHIN MIN
IPC分类号： H01F17/00

2. 发明专利

TWI527183B 過電壓保護元件及其製備方法有权
简体标题：过电压保护组件及其制备方法
公开(公告)号：TWI527183B
公开(公告)日：2016-03-21
申请号：TW102107776
申请日：2013-03-06
申请人：佳邦科技股份有限公司 , INPAQ TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：葉秀倫 , YEH, HSIU LUN , 張育嘉 , CHANG, YU CHIA , 劉澤鈞 , LIU, TZE CHUN , 許秀美 , HSU, HSIU MEI
IPC分类号： H01L23/60 , H01T19/04 , H05F3/00 , H01T21/00

3. 发明专利

TW201405595A 薄膜式共模濾波器审中-公开
简体标题：薄膜式共模滤波器
公开(公告)号：TW201405595A
公开(公告)日：2014-02-01
申请号：TW101127455
申请日：2012-07-30
申请人：佳邦科技股份有限公司 , INPAQ TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：張育嘉 , CHANG, YU CHIA , 葉秀倫 , YEH, HSIU LUN , 戴世旻 , TAI, SHIN MIN
IPC分类号： H01F17/00
摘要：一種薄膜式共模濾波器，其包括一非磁性材質之絕緣基板及一設置於該非磁性材質之絕緣基板上的線圈主體堆疊結構。其特徵在於，該線圈主體堆疊結構包括一第一線圈、一第二線圈、一第三線圈及一第四線圈，其中該第一線圈電性串聯該第三線圈且該第二線圈電性串聯該第四線圈，且該第一線圈、該第二線圈、該第三線圈及該第四線圈之長度L(mm)及寬度W(mm)滿足一關係表達式：[(7.2-fc)/3.0]2＜L/W＜[(8.15-fc)/2.7]2，其中之fc(MHz)為差模訊號的截止頻率。
简体摘要：一种薄膜式共模滤波器，其包括一非磁性材质之绝缘基板及一设置于该非磁性材质之绝缘基板上的线圈主体堆栈结构。其特征在于，该线圈主体堆栈结构包括一第一线圈、一第二线圈、一第三线圈及一第四线圈，其中该第一线圈电性串联该第三线圈且该第二线圈电性串联该第四线圈，且该第一线圈、该第二线圈、该第三线圈及该第四线圈之长度L(mm)及宽度W(mm)满足一关系表达式：[(7.2-fc)/3.0]2＜L/W＜[(8.15-fc)/2.7]2，其中之fc(MHz)为差模信号的截止频率。

4. 发明专利

TW201436160A 過電壓保護元件审中-公开
简体标题：过电压保护组件
公开(公告)号：TW201436160A
公开(公告)日：2014-09-16
申请号：TW102107776
申请日：2013-03-06
申请人：佳邦科技股份有限公司 , INPAQ TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：葉秀倫 , YEH, HSIU LUN , 張育嘉 , CHANG, YU CHIA , 劉澤鈞 , LIU, TZE CHUN , 許秀美 , HSU, HSIU MEI
IPC分类号： H01L23/60 , H01T19/04 , H05F3/00 , H01T21/00
摘要：本揭露之過電壓保護元件包含一基板；一絕緣層，設置於該基板上，該絕緣層具有一凹槽；以及一導體層，設置於該絕緣層上，該導體層具有一第一電極及一第二電極，二者形成一放電通路，且該凹槽位於該放電通路下方。本揭露之過電壓保護元件之製備方法包含形成一絕緣層於一基板上；形成一凹槽於該絕緣層之內；形成一光阻圖案，其填滿該凹槽並凸伸出該絕緣層；形成一導體層於該絕緣層上，該光阻圖案分隔該導體層而形成一第一電極及一第二電極；以及去除該光阻圖案，藉此該第一電極及該第二電極形成一放電通路，且該凹槽位於該放電通路下方。
简体摘要：本揭露之过电压保护组件包含一基板；一绝缘层，设置于该基板上，该绝缘层具有一凹槽；以及一导体层，设置于该绝缘层上，该导体层具有一第一电极及一第二电极，二者形成一放电通路，且该凹槽位于该放电通路下方。本揭露之过电压保护组件之制备方法包含形成一绝缘层于一基板上；形成一凹槽于该绝缘层之内；形成一光阻图案，其填满该凹槽并凸伸出该绝缘层；形成一导体层于该绝缘层上，该光阻图案分隔该导体层而形成一第一电极及一第二电极；以及去除该光阻图案，借此该第一电极及该第二电极形成一放电通路，且该凹槽位于该放电通路下方。

5. 发明专利

TWI387982B 電感裝置及其製造方法有权
简体标题：电感设备及其制造方法
公开(公告)号：TWI387982B
公开(公告)日：2013-03-01
申请号：TW099110499
申请日：2010-04-06
申请人：佳邦科技股份有限公司 , INPAQ TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：蘇聖富 , SU, SHENG FU , 葉秀倫 , YEH, HSIU LUN , 王政一 , WANG, CHENG YI , 謝明良 , HSIEH, MING LIANG
IPC分类号： H01F27/28 , H01F41/06

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