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1. 发明专利

TW201034050A 遷移功能區域的方法，發光二極體陣列，發光二極體列印頭，以及發光二極體列印機 METHOD FOR TRANSFERRING FUNCTIONAL REGIONS, LED ARRAY, LED PRINTER HEAD, AND LED PRINTER 审中-公开
简体标题：迁移功能区域的方法，发光二极管数组，发光二极管打印头，以及发光二极管打印机 METHOD FOR TRANSFERRING FUNCTIONAL REGIONS, LED ARRAY, LED PRINTER HEAD, AND LED PRINTER
公开(公告)号：TW201034050A
公开(公告)日：2010-09-16
申请号：TW099105837
申请日：2010-03-01
申请人：佳能股份有限公司
发明人：米原隆夫 , 高井康好
IPC分类号： H01L , B41J
CPC分类号： B41J2/45 , H01L21/6835 , H01L24/83 , H01L33/0079 , H01L2221/68359 , H01L2924/14 , H01L2924/3025 , H01L2924/00
摘要：提供遷移功能區域的至少其中之一到一第二基板上之方法，該等功能區域配置和接合到一第一分離層，該分離層位在一第一基板上且藉由一處理變成可分離，其中欲遷移該等功能區之該第二基板上的區域具有一第二分離層，該第二分離層藉由一處理變成可分離。該方法包括一接合步驟，藉由黏結將該第一基板接合到該第二基板，使得該等功能區域與該第二分離層接觸；一分離步驟，於該第一分離層將該等功能區域與該第一基板分離；以及一形成步驟，在該分離步驟之前或之後，從該第二基板的一表面形成分離溝槽，該等分離溝槽貫穿該第二基板和該第二分離層，該表面與具有該第二分離層在其上之一表面相對。
简体摘要：提供迁移功能区域的至少其中之一到一第二基板上之方法，该等功能区域配置和接合到一第一分离层，该分离层位在一第一基板上且借由一处理变成可分离，其中欲迁移该等功能区之该第二基板上的区域具有一第二分离层，该第二分离层借由一处理变成可分离。该方法包括一接合步骤，借由黏结将该第一基板接合到该第二基板，使得该等功能区域与该第二分离层接触；一分离步骤，于该第一分离层将该等功能区域与该第一基板分离；以及一形成步骤，在该分离步骤之前或之后，从该第二基板的一表面形成分离沟槽，该等分离沟槽贯穿该第二基板和该第二分离层，该表面与具有该第二分离层在其上之一表面相对。

2. 发明专利

TW201023243A 功能區之轉移方法、ＬＥＤ陣列、ＬＥＤ列印頭、及ＬＥＤ列印機 TRANSFER METHOD OF FUNCTIONAL REGION, LED ARRAY, LED PRINTER HEAD, AND LED PRINTER 审中-公开
简体标题：功能区之转移方法、ＬＥＤ数组、ＬＥＤ打印头、及ＬＥＤ打印机 TRANSFER METHOD OF FUNCTIONAL REGION, LED ARRAY, LED PRINTER HEAD, AND LED PRINTER
公开(公告)号：TW201023243A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：TW098137295
申请日：2009-11-03
申请人：佳能股份有限公司
发明人：米原隆夫 , 高井康好
IPC分类号： H01L , B41J
CPC分类号： H01L27/153 , B41J2/45 , H01L33/0079
摘要：一種方法包含:將一預定厚度的一接合層配置在一第一基材上之一第一功能區及在一第二基材上的一區域之至少一者上,該第一功能區接合在一釋放層上,當該釋放層受一處理時能落入一可釋放條件中,該第一功能區待轉移至該區域;將該第一功能區經由該接合層接合至該第二基材;以及將該第一基材在該釋放層處從該第一功能區分離。
简体摘要：一种方法包含:将一预定厚度的一接合层配置在一第一基材上之一第一功能区及在一第二基材上的一区域之至少一者上,该第一功能区接合在一释放层上,当该释放层受一处理时能落入一可释放条件中,该第一功能区待转移至该区域;将该第一功能区经由该接合层接合至该第二基材;以及将该第一基材在该释放层处从该第一功能区分离。

3. 发明专利

TW200950120A 處理半導體元件的方法 METHOD OF TREATING SEMICONDUCTOR ELEMENT 审中-公开
简体标题：处理半导体组件的方法 METHOD OF TREATING SEMICONDUCTOR ELEMENT
公开(公告)号：TW200950120A
公开(公告)日：2009-12-01
申请号：TW098106974
申请日：2009-03-04
申请人：佳能股份有限公司
发明人：大藤將人 , 安部勝美 , 清水久惠 , 林享 , 佐野政史 , 雲見日出也 , 高井康好 , 川崎岳彥 , 金子典夫
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L29/66969 , H01L29/78633
摘要：在處理至少包含一半導體之半導體元件的方法中，該半導體元件的臨界電壓係藉由以具有波長長於該半導體之吸收邊限波長的光照射該半導體而改變。該半導體中之隙間狀態中的表面密度為10 13 cm -2 eV -1 或以下。該能帶隙可能為2eV或以上。該半導體可能包含從In、Ga、Zn、及Sn組成之群組中選取的至少一者。該半導體可能係從非晶In-Ga-Zn-O（IGZO）、非晶In-Zn-O（IZO）、及非晶Zn-Sn-O（ZTO）組成的群組中選取之一者。該光照射可能在該半導體元件中引起該臨界電壓轉變，該轉變係由製程歷史、時間相依變化、電應力或熱應力所導致之該臨界電壓轉變的相反符號。
简体摘要：在处理至少包含一半导体之半导体组件的方法中，该半导体组件的临界电压系借由以具有波长长于该半导体之吸收边限波长的光照射该半导体而改变。该半导体中之隙间状态中的表面密度为10 13 cm -2 eV -1 或以下。该能带隙可能为2eV或以上。该半导体可能包含从In、Ga、Zn、及Sn组成之群组中选取的至少一者。该半导体可能系从非晶In-Ga-Zn-O（IGZO）、非晶In-Zn-O（IZO）、及非晶Zn-Sn-O（ZTO）组成的群组中选取之一者。该光照射可能在该半导体组件中引起该临界电压转变，该转变系由制程历史、时间相依变化、电应力或热应力所导致之该临界电压转变的相反符号。

4. 发明专利

TWI442450B 遷移功能區域的方法，發光二極體陣列，發光二極體列印頭，以及發光二極體列印機有权
简体标题：迁移功能区域的方法，发光二极管数组，发光二极管打印头，以及发光二极管打印机
公开(公告)号：TWI442450B
公开(公告)日：2014-06-21
申请号：TW099105837
申请日：2010-03-01
申请人：佳能股份有限公司 , CANON KABUSHIKI KAISHA
发明人：米原隆夫 , YONEHARA, TAKAO , 高井康好 , TAKAI, YASUYOSHI
IPC分类号： H01L21/02 , H01L33/00 , H01L27/15 , B41J2/45
CPC分类号： B41J2/45 , H01L21/6835 , H01L24/83 , H01L33/0079 , H01L2221/68359 , H01L2924/14 , H01L2924/3025 , H01L2924/00

5. 发明专利

TWI415166B 功能區之轉移方法、ＬＥＤ陣列、ＬＥＤ列印頭、及ＬＥＤ列印機有权
简体标题：功能区之转移方法、ＬＥＤ数组、ＬＥＤ打印头、及ＬＥＤ打印机
公开(公告)号：TWI415166B
公开(公告)日：2013-11-11
申请号：TW098137295
申请日：2009-11-03
申请人：佳能股份有限公司 , CANON KABUSHIKI KAISHA
发明人：米原隆夫 , YONEHARA, TAKAO , 高井康好 , TAKAI, YASUYOSHI
IPC分类号： H01L21/02 , H01L33/00 , H01L27/15 , B41J2/45
CPC分类号： H01L27/153 , B41J2/45 , H01L33/0079

6. 发明专利

TWI387119B 處理半導體元件的方法有权
简体标题：处理半导体组件的方法
公开(公告)号：TWI387119B
公开(公告)日：2013-02-21
申请号：TW098106974
申请日：2009-03-04
申请人：佳能股份有限公司 , CANON KABUSHIKI KAISHA
发明人：大藤將人 , OFUJI, MASATO , 安部勝美 , ABE, KATSUMI , 清水久惠 , SHIMIZU, HISAE , 林享 , HAYASHI, RYO , 佐野政史 , SANO, MASAFUMI , 雲見日出也 , KUMOMI, HIDEYA , 高井康好 , TAKAI, YASUYOSHI , 川崎岳彥 , KAWASAKI, TAKEHIKO , 金子典夫 , KANEKO, NORIO
IPC分类号： H01L31/10
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L29/66969 , H01L29/78633

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