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1. 发明专利

TWI387119B 處理半導體元件的方法有权
简体标题：处理半导体组件的方法
公开(公告)号：TWI387119B
公开(公告)日：2013-02-21
申请号：TW098106974
申请日：2009-03-04
申请人：佳能股份有限公司 , CANON KABUSHIKI KAISHA
发明人：大藤將人 , OFUJI, MASATO , 安部勝美 , ABE, KATSUMI , 清水久惠 , SHIMIZU, HISAE , 林享 , HAYASHI, RYO , 佐野政史 , SANO, MASAFUMI , 雲見日出也 , KUMOMI, HIDEYA , 高井康好 , TAKAI, YASUYOSHI , 川崎岳彥 , KAWASAKI, TAKEHIKO , 金子典夫 , KANEKO, NORIO
IPC分类号： H01L31/10
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L29/66969 , H01L29/78633

2. 发明专利

TWI387104B 發光設備及其製造方法有权
简体标题：发光设备及其制造方法
公开(公告)号：TWI387104B
公开(公告)日：2013-02-21
申请号：TW097115416
申请日：2008-04-25
申请人：佳能股份有限公司 , CANON KABUSHIKI KAISHA
发明人：大藤將人 , OFUJI, MASATO , 安部勝美 , ABE, KATSUMI , 林享 , HAYASHI, RYO , 佐野政史 , SANO, MASAFUMI , 雲見日出也 , KUMOMI, HIDEYA
IPC分类号： H01L27/32 , H05B33/12 , H05B33/10
CPC分类号： H01L27/3246 , H01L27/3244 , H01L27/3248 , H01L27/3262 , H01L29/7869 , H01L51/5256

3. 发明专利

TWI392060B 反向器製造方法及反向器有权
简体标题：反向器制造方法及反向器
公开(公告)号：TWI392060B
公开(公告)日：2013-04-01
申请号：TW097117638
申请日：2008-05-14
申请人：佳能股份有限公司 , CANON KABUSHIKI KAISHA
发明人：大藤將人 , OFUJI, MASATO , 安部勝美 , ABE, KATSUMI , 林享 , HAYASHI, RYO , 佐野政史 , SANO, MASAFUMI , 雲見日出也 , KUMOMI, HIDEYA
IPC分类号： H01L21/8238
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L27/1233

4. 发明专利

TWI367563B 主動矩陣顯示設備 ACTIVE MATRIX DISPLAY APPARATUS 有权
简体标题：主动矩阵显示设备 ACTIVE MATRIX DISPLAY APPARATUS
公开(公告)号：TWI367563B
公开(公告)日：2012-07-01
申请号：TW097103112
申请日：2008-01-28
申请人：佳能股份有限公司
发明人：大藤將人 , 安部勝美 , 佐野政史 , 雲見日出也 , 林享
IPC分类号： H01L , G09F
CPC分类号： H01L27/3265 , H01L27/3248 , H01L2227/323 , H01L2251/5323
摘要：一種主動矩陣顯示設備，包括一電晶體20、一儲存電容器30和一發光元件40，該電晶體、儲存電容器和發光元件皆形成在一基板10上。電晶體20具有一源電極21、一汲電極22和一閘電極23。儲存電容器30，具有一第一電極31、一介電質層32和一第二電極33的一多重層結構，該第一電極、介電質層和第二電極以此順序堆疊在基板10上。發光元素40，具有一第三電極41、一發光層42和一第四電極43的一多重層結構，該第三電極、發光層和第四電極以此順序堆疊在基板10上。第一電極31連結至閘電極23，且至少一部份的儲存電容器30配置在基板10和發光元件40之間。基板10、第一電極31、第二電極33和該第三電極41，其全部皆由可傳輸可見光的一材料而形成。
简体摘要：一种主动矩阵显示设备，包括一晶体管20、一存储电容器30和一发光组件40，该晶体管、存储电容器和发光组件皆形成在一基板10上。晶体管20具有一源电极21、一汲电极22和一闸电极23。存储电容器30，具有一第一电极31、一介电质层32和一第二电极33的一多重层结构，该第一电极、介电质层和第二电极以此顺序堆栈在基板10上。发光元素40，具有一第三电极41、一发光层42和一第四电极43的一多重层结构，该第三电极、发光层和第四电极以此顺序堆栈在基板10上。第一电极31链接至闸电极23，且至少一部份的存储电容器30配置在基板10和发光组件40之间。基板10、第一电极31、第二电极33和该第三电极41，其全部皆由可传输可见光的一材料而形成。

5. 发明专利

TW200950120A 處理半導體元件的方法 METHOD OF TREATING SEMICONDUCTOR ELEMENT 审中-公开
简体标题：处理半导体组件的方法 METHOD OF TREATING SEMICONDUCTOR ELEMENT
公开(公告)号：TW200950120A
公开(公告)日：2009-12-01
申请号：TW098106974
申请日：2009-03-04
申请人：佳能股份有限公司
发明人：大藤將人 , 安部勝美 , 清水久惠 , 林享 , 佐野政史 , 雲見日出也 , 高井康好 , 川崎岳彥 , 金子典夫
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L29/66969 , H01L29/78633
摘要：在處理至少包含一半導體之半導體元件的方法中，該半導體元件的臨界電壓係藉由以具有波長長於該半導體之吸收邊限波長的光照射該半導體而改變。該半導體中之隙間狀態中的表面密度為10 13 cm -2 eV -1 或以下。該能帶隙可能為2eV或以上。該半導體可能包含從In、Ga、Zn、及Sn組成之群組中選取的至少一者。該半導體可能係從非晶In-Ga-Zn-O（IGZO）、非晶In-Zn-O（IZO）、及非晶Zn-Sn-O（ZTO）組成的群組中選取之一者。該光照射可能在該半導體元件中引起該臨界電壓轉變，該轉變係由製程歷史、時間相依變化、電應力或熱應力所導致之該臨界電壓轉變的相反符號。
简体摘要：在处理至少包含一半导体之半导体组件的方法中，该半导体组件的临界电压系借由以具有波长长于该半导体之吸收边限波长的光照射该半导体而改变。该半导体中之隙间状态中的表面密度为10 13 cm -2 eV -1 或以下。该能带隙可能为2eV或以上。该半导体可能包含从In、Ga、Zn、及Sn组成之群组中选取的至少一者。该半导体可能系从非晶In-Ga-Zn-O（IGZO）、非晶In-Zn-O（IZO）、及非晶Zn-Sn-O（ZTO）组成的群组中选取之一者。该光照射可能在该半导体组件中引起该临界电压转变，该转变系由制程历史、时间相依变化、电应力或热应力所导致之该临界电压转变的相反符号。

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