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1. 发明专利

TWI462825B 金屬積層構造體及金屬積層構造體之製造方法有权
简体标题：金属积层构造体及金属积层构造体之制造方法
公开(公告)号：TWI462825B
公开(公告)日：2014-12-01
申请号：TW099120982
申请日：2010-06-28
申请人：住友電氣工業股份有限公司 , SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. , 聯合材料股份有限公司 , A. L. M. T. CORP.
发明人：新田耕司 , NITTA, KOJI , 真嶋正利 , MAJIMA, MASATOSHI , 稻澤信二 , INAZAWA, SHINJI , 安部誘岳 , ABE, YUGAKU , 橫山博 , YOKOYAMA, HIROSHI , 諏訪多治 , SUWATA, OSAMU , 山形伸一 , YAMAGATA, SHINICHI
IPC分类号： B32B15/01 , C25D5/16 , C25D5/10
CPC分类号： B32B15/01 , C23C28/021 , C25D3/66 , C25D5/10 , C25D7/06 , C25D7/12 , H01L23/3735 , H01L23/3736 , H01L33/641 , H01L2924/0002 , Y10T428/12826 , H01L2924/00

3. 发明专利

TW201136757A 金屬積層構造體及金屬積層構造體之製造方法 METAL LAMINATED STRUCTURE AND A METHOD OF MANUFACTURING THE SAME 审中-公开
简体标题：金属积层构造体及金属积层构造体之制造方法 METAL LAMINATED STRUCTURE AND A METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
公开(公告)号：TW201136757A
公开(公告)日：2011-11-01
申请号：TW100105393
申请日：2011-02-18
申请人：住友電氣工業股份有限公司 , 聯合材料股份有限公司
发明人：新田耕司 , 稻澤信二 , 細江晃久 , 真嶋正利 , 諏訪多治 , 橫山博 , 山形伸一 , 安部誘岳
IPC分类号： B32B , C23C
CPC分类号： H01L23/3735 , B32B15/01 , C22C9/00 , C22C27/00 , C22C27/04 , C25D3/12 , C25D3/38 , C25D3/66 , C25D5/10 , C25D5/12 , H01L33/641 , H01L2924/0002 , Y10T428/12632 , Y10T428/12833 , Y10T428/1284 , Y10T428/1291 , H01L2924/00
摘要：一種金屬積層構造體(100)與金屬積層構造體(100)之製造方法，該金屬積層構造體(100)中，含鎢之第1金屬層(1)係設置在含銅之第2金屬層(2)的第1表面(2a)上；含鎢之第3金屬層(3)係設置在與第2金屬層(2)之第1表面(2a)為相反側的第2表面(2b)上；第1金屬層(1)所含之鎢的結晶粒，係在對第2金屬層(2)之第1表面(2a)垂直方向上伸長的柱狀結晶；第3金屬層(3)所含之鎢的結晶粒，係在對第2金屬層(2)之第2表面(2b)垂直方向上伸長的柱狀結晶。
简体摘要：一种金属积层构造体(100)与金属积层构造体(100)之制造方法，该金属积层构造体(100)中，含钨之第1金属层(1)系设置在含铜之第2金属层(2)的第1表面(2a)上；含钨之第3金属层(3)系设置在与第2金属层(2)之第1表面(2a)为相反侧的第2表面(2b)上；第1金属层(1)所含之钨的结晶粒，系在对第2金属层(2)之第1表面(2a)垂直方向上伸长的柱状结晶；第3金属层(3)所含之钨的结晶粒，系在对第2金属层(2)之第2表面(2b)垂直方向上伸长的柱状结晶。

4. 发明专利

TW201111164A 金屬積層構造體及金屬積層構造體之製造方法 METALLIC LAMINATED STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD FOR METALLIC LAMINATED STRUCTURE 审中-公开
简体标题：金属积层构造体及金属积层构造体之制造方法 METALLIC LAMINATED STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD FOR METALLIC LAMINATED STRUCTURE
公开(公告)号：TW201111164A
公开(公告)日：2011-04-01
申请号：TW099120982
申请日：2010-06-28
申请人：住友電氣工業股份有限公司 , 聯合材料股份有限公司
发明人：新田耕司 , 真嶋正利 , 稻澤信二 , 安部誘岳 , 橫山博 , 諏訪多治 , 山形伸一
IPC分类号： B32B , C25D
CPC分类号： B32B15/01 , C23C28/021 , C25D3/66 , C25D5/10 , C25D7/06 , C25D7/12 , H01L23/3735 , H01L23/3736 , H01L33/641 , H01L2924/0002 , Y10T428/12826 , H01L2924/00
摘要：本發明係一種金屬積層構造體(100)與其製造方法，該金屬積層構造體(100)，係具備：第1金屬層(1)、第2金屬層(2)、與第3金屬層(3)；第1金屬層(1)係設置於第2金屬層(2)的其中一個表面上，第3金屬層(3)係設置於第2金屬層(2)的另外一個表面上；而第1金屬層(1)係含鎢及鉬之至少一者，第2金屬層(2)係含銅，第3金屬層(3)係含鎢及鉬之至少一者。
简体摘要：本发明系一种金属积层构造体(100)与其制造方法，该金属积层构造体(100)，系具备：第1金属层(1)、第2金属层(2)、与第3金属层(3)；第1金属层(1)系设置于第2金属层(2)的其中一个表面上，第3金属层(3)系设置于第2金属层(2)的另外一个表面上；而第1金属层(1)系含钨及钼之至少一者，第2金属层(2)系含铜，第3金属层(3)系含钨及钼之至少一者。

5. 发明专利

TW275650B 氮化矽燒結體失效
简体标题：氮化硅烧结体
公开(公告)号：TW275650B
公开(公告)日：1996-05-11
申请号：TW082108632
申请日：1993-10-18
申请人：住友電氣工業股份有限公司
发明人：山川晃 , 山本剛久 , 山形伸一 , 吉村雅司 , 松井辰珠
IPC分类号： C22C
摘要：一種氮化矽燒結體，其係由Si3 N4之稜柱狀晶粒及／或矽隆(sialon)，Si3 N4之等軸晶粒及／或矽隆，含存於稜柱形和等軸晶粒之晶粒界相，以及在晶粒界相中之分散粒子所組成，其中稜柱形晶粒在短軸中所具有之平均粒度為0.3μm或小於0.3μm而在長軸中的平均粒度為5μm或小於5μm，等軸晶粒之平均粒度為0.5μm或小於0.5μm，而分散粒子之平均大小為0.1μm或小於0.1μm，以其餘燒結體之總容積為計分散粒子之容積為0.05%容積或以上，該氮化矽燒結體依照JIS R 1601在室溫下之三點彎曲強度所示之強度係大於160kgf/m㎡者。由強度之最小散射以及高度可靠性，優異生產性及生產成本特點，此氮化矽燒結體所具有之強度足以做為機器零件或組件之構成材料使用。
简体摘要：一种氮化硅烧结体，其系由Si3 N4之棱柱状晶粒及／或硅隆(sialon)，Si3 N4之等轴晶粒及／或硅隆，含存于棱柱形和等轴晶粒之晶粒界相，以及在晶粒界相中之分散粒子所组成，其中棱柱形晶粒在短轴中所具有之平均粒度为0.3μm或小于0.3μm而在长轴中的平均粒度为5μm或小于5μm，等轴晶粒之平均粒度为0.5μm或小于0.5μm，而分散粒子之平均大小为0.1μm或小于0.1μm，以其余烧结体之总容积为计分散粒子之容积为0.05%容积或以上，该氮化硅烧结体依照JIS R 1601在室温下之三点弯曲强度所示之强度系大于160kgf/m㎡者。由强度之最小散射以及高度可靠性，优异生产性及生产成本特点，此氮化硅烧结体所具有之强度足以做为机器零件或组件之构成材料使用。

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