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1. 发明专利

TW200912010A 使用為沈積源之高密度、低含氧錸及錸系的固結粉末材料及該材料的製作方法 HIGH DENSITY, LOW OXYGEN RE AND RE-BASED CONSOLIDATED POWDER MATERIALS FOR USE AS DEPOSITION SOURCES AND METHODS OF MAKING SAME 审中-公开
简体标题：使用为沉积源之高密度、低含氧铼及铼系的固结粉末材料及该材料的制作方法 HIGH DENSITY, LOW OXYGEN RE AND RE-BASED CONSOLIDATED POWDER MATERIALS FOR USE AS DEPOSITION SOURCES AND METHODS OF MAKING SAME
公开(公告)号：TW200912010A
公开(公告)日：2009-03-16
申请号：TW097100539
申请日：2008-01-07
申请人：賀利氏公司 HERAEUS INCORPORATED
发明人：楊峰林 YANG, FENGLIN , 德瑞堂 DERRINGTON, CARL , 孔班特 KUNKEL, BERND
IPC分类号： C22C
CPC分类号： C22C27/00 , B22F2998/10 , B22F2999/00 , C22C1/04 , C22C1/05 , C23C14/3414 , B22F1/0085 , B22F3/04 , B22F3/15 , B22F2201/013
摘要：一種製造錸與錸系的方法包含下列步驟:提供一種錸粉末起始材料或一種錸粉末起始材料與至少一種添加的粉末材料;使至少該錸粉末承受第一次除氣處理以降低其氧含量;增加該除氣的錸粉末或該除氣的錸粉末與該至少一添加的粉末材料之混合物的密度以形成一生胚;使該生胚承受第二次除氣處理以進一步降低其內氧含量;及固結該生胚以形成一固結的材料,該固結的材料具有大於約95%之理論密度及低氧含量,其中,針對錸其氧含量為低於200ppm,針對由混合物所形成的錸系材料,若不計入非金屬化合物及陶瓷來源的氧,則其氧含量為低於500ppm。如此生產的材料用在製造沉積源如濺鍍靶材。
简体摘要：一种制造铼与铼系的方法包含下列步骤:提供一种铼粉末起始材料或一种铼粉末起始材料与至少一种添加的粉末材料;使至少该铼粉末承受第一次除气处理以降低其氧含量;增加该除气的铼粉末或该除气的铼粉末与该至少一添加的粉末材料之混合物的密度以形成一生胚;使该生胚承受第二次除气处理以进一步降低其内氧含量;及固结该生胚以形成一固结的材料,该固结的材料具有大于约95%之理论密度及低氧含量,其中,针对铼其氧含量为低于200ppm,针对由混合物所形成的铼系材料,若不计入非金属化合物及陶瓷来源的氧,则其氧含量为低于500ppm。如此生产的材料用在制造沉积源如溅镀靶材。

2. 发明专利

TW470970B 具高耐蝕性之鉿合金,以此鉿合金製成之反應器控制桿用中子吸收件,反應器控制桿,反應器及核能發電廠失效
简体标题：具高耐蚀性之铪合金,以此铪合金制成之反应器控制杆用中子吸收件,反应器控制杆,反应器及核能发电厂
公开(公告)号：TW470970B
公开(公告)日：2002-01-01
申请号：TW089103911
申请日：2000-03-04
申请人：日立製作所股份有限公司
发明人：藤枝正 , 高瀨磐雄 , 稻垣正壽 , 小泉章
IPC分类号： G21C
CPC分类号： C22C27/00 , C22F1/18 , G21C7/24 , Y02E30/39
摘要：本發明提供具有高塑性可使用性與高耐蝕性之鉿金屬、使用此鉿金屬於其中之反應器控制桿、反應器控制桿用中子吸收件、使用此中子吸收件於其中之反應器控制桿、反應器、及核能發電廠。反應器控制桿用中子吸收件是以特定成分的鉿合金或其合金製成，且包含條狀圓柱形長構件。鉿合金含有，以重量計，自包括0.03至1.5%的Cr、0.03至1.5%的Sn與0.03至2.0%的Fe0之組群中選擇至少一成分，且鉿成分與Zr成分的總和是不低於97%，而Zr成分是自O.1至4.5%。
简体摘要：本发明提供具有高塑性可使用性与高耐蚀性之铪金属、使用此铪金属于其中之反应器控制杆、反应器控制杆用中子吸收件、使用此中子吸收件于其中之反应器控制杆、反应器、及核能发电厂。反应器控制杆用中子吸收件是以特定成分的铪合金或其合金制成，且包含条状圆柱形长构件。铪合金含有，以重量计，自包括0.03至1.5%的Cr、0.03至1.5%的Sn与0.03至2.0%的Fe0之组群中选择至少一成分，且铪成分与Zr成分的总和是不低于97%，而Zr成分是自O.1至4.5%。

3. 发明专利

TW200714391A 製造濺射靶之方法及濺射靶 METHOD OF MAKING SPUTTERING TARGET AND TARGET 审中-公开
简体标题：制造溅射靶之方法及溅射靶 METHOD OF MAKING SPUTTERING TARGET AND TARGET
公开(公告)号：TW200714391A
公开(公告)日：2007-04-16
申请号：TW095132730
申请日：2006-09-05
申请人：豪美公司 HOWMET CORPORATION
发明人：邁克G 龍斯巴契 LAUNSBACH, MICHAEL G. , 泰勒思W 韓森 HANSEN, TYRUS W.
IPC分类号： B22D , C23C
CPC分类号： C23C14/3414 , B22D27/045 , C22C19/00 , C22C27/00 , C22C27/06 , C22C38/00
摘要：本發明係關於一種製造濺射靶之方法,在該方法中處理步驟之數目得以減少,該方法係藉由在一加熱之模中提供熔融之濺射靶材料並使用單向熱移除製程固化該模中的熔融材料以產生一具有選擇性晶粒(grain)定向的濺射靶。該方法可產生具有經選擇性定向之多晶粒微結構或經選擇性定向之單晶體微結構的固化濺射靶,該微結構可適合於或被定製用於隨後使用該濺射靶時所採用之濺射製程。
简体摘要：本发明系关于一种制造溅射靶之方法,在该方法中处理步骤之数目得以减少,该方法系借由在一加热之模中提供熔融之溅射靶材料并使用单向热移除制程固化该模中的熔融材料以产生一具有选择性晶粒(grain)定向的溅射靶。该方法可产生具有经选择性定向之多晶粒微结构或经选择性定向之单晶体微结构的固化溅射靶,该微结构可适合于或被定制用于随后使用该溅射靶时所采用之溅射制程。

4. 发明专利

TW200607873A 濺鍍靶及藉由旋轉軸鍛造製造彼等之方法 SPUTTER TARGETS AND METHODS OF FORMING SAME BY ROTARY AXIAL FORGING 审中-公开
简体标题：溅镀靶及借由旋转轴锻造制造彼等之方法 SPUTTER TARGETS AND METHODS OF FORMING SAME BY ROTARY AXIAL FORGING
公开(公告)号：TW200607873A
公开(公告)日：2006-03-01
申请号：TW094114620
申请日：2005-05-06
申请人：客寶公司 CABOT CORPORATION
发明人：約翰P 瑪堤拉 MATERA, JOHN P. , 羅柏特B 福特 FORD, ROBERT B. , 查理斯E 微克夏爾二世 WICKERSHAM, CHARLES E., JR.
IPC分类号： C23C , C22C , C22F
CPC分类号： C22C5/06 , C22C5/02 , C22C9/00 , C22C14/00 , C22C16/00 , C22C19/07 , C22C21/00 , C22C27/00 , C22F1/16 , C22F1/18 , C23C14/3414
摘要：本發明敘述一種使用旋轉軸鍛造製造濺鍍靶之方法。在鍛造步驟之前及／或之後可使用其他熱機械加工步驟。本發明尚敘述具有獨特晶粒大小及／或晶體結構之濺鍍靶。
简体摘要：本发明叙述一种使用旋转轴锻造制造溅镀靶之方法。在锻造步骤之前及／或之后可使用其他热机械加工步骤。本发明尚叙述具有独特晶粒大小及／或晶体结构之溅镀靶。

5. 发明专利

TW515848B 鉭濺鍍靶及其製造方法有权
简体标题：钽溅镀靶及其制造方法
公开(公告)号：TW515848B
公开(公告)日：2003-01-01
申请号：TW088106727
申请日：1999-04-27
申请人：强森麥錫電子設備公司
发明人：麗德許P.珊荷 , 拉帝米爾席格
IPC分类号： C23C
CPC分类号： B21J5/00 , C22C27/00 , C23C14/3414
摘要：揭露一種具有精密冶金結構與構造的金屬物件之製造，其製造方法包括鍛造與滾軋，並控制鍛造與滾軋的條件。此外本發明之金屬物件具有最小的靜態結晶顆粒與均一的{100}立方構造。
简体摘要：揭露一种具有精密冶金结构与构造的金属对象之制造，其制造方法包括锻造与滚轧，并控制锻造与滚轧的条件。此外本发明之金属对象具有最小的静态结晶颗粒与均一的{100}立方构造。

6. 发明专利

TW200839018A 可用為沈積靶材以形成在粒狀垂直磁性記錄媒體內的中間層之錸-基材合金及使用所述合金之媒介 RE-BASED ALLOYS USABLE AS DEPOSITION TARGETS FOR FORMING INTERLAYERS IN GRANULAR PERPENDICULAR MAGNETIC RECORDING MEDIA & MEDIA UTILIZING SAID ALLOYS 审中-公开
简体标题：可用为沉积靶材以形成在粒状垂直磁性记录媒体内的中间层之铼-基材合金及使用所述合金之媒介 RE-BASED ALLOYS USABLE AS DEPOSITION TARGETS FOR FORMING INTERLAYERS IN GRANULAR PERPENDICULAR MAGNETIC RECORDING MEDIA & MEDIA UTILIZING SAID ALLOYS
公开(公告)号：TW200839018A
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：TW096148347
申请日：2007-12-18
申请人：賀利氏公司 HERAEUS INCORPORATED
发明人：阿尼班 DAS, ANIRBAN , 羅克尼 RACINE, MICHAEL GENE , 今川誠 IMAKAWA, MAKOTO , 甘迺迪 KENNEDY, STEVEN ROGER , 亞歐羅 ARORA, RIKHIT
IPC分类号： C22C
CPC分类号： G11B5/7325 , C22C1/06 , C22C27/00 , C23C14/3414 , G11B5/8404 , G11B5/851 , H01F41/18
摘要：一種錸-系合金材料,包含:大於50原子%的錸;選自晶粒尺寸精細化元素X的至少一合金材料,其具有大於或小於錸之原子半徑且在室溫或更高溫度下的hcp(六方緊密堆積)錸中具有小於約6原子%的固體溶解度;及晶格匹配元素Y,其具有大於或小於錸之原子半徑且在室溫或更高溫度下的hcp錸中會形成固體溶液。此合金材料更可包含:選自於由氧化物、氮化物及碳化物所構成之族群的至少一材料。包含此錸系合金材料的靶材可用於獲得最佳結構之粒狀垂直磁性記錄層之較佳中間層的濺鍍沈積。
简体摘要：一种铼-系合金材料,包含:大于50原子%的铼;选自晶粒尺寸精细化元素X的至少一合金材料,其具有大于或小于铼之原子半径且在室温或更高温度下的hcp(六方紧密堆积)铼中具有小于约6原子%的固体溶解度;及晶格匹配元素Y,其具有大于或小于铼之原子半径且在室温或更高温度下的hcp铼中会形成固体溶液。此合金材料更可包含:选自于由氧化物、氮化物及碳化物所构成之族群的至少一材料。包含此铼系合金材料的靶材可用于获得最佳结构之粒状垂直磁性记录层之较佳中间层的溅镀沉积。

7. 发明专利

TW200738899A 由高熔點金屬所構成之燒結體濺鍍靶审中-公开
简体标题：由高熔点金属所构成之烧结体溅镀靶
公开(公告)号：TW200738899A
公开(公告)日：2007-10-16
申请号：TW096106363
申请日：2007-02-26
申请人：日金屬股份有限公司 NIPPON MINING & METALS CO., LTD.
发明人：鈴木了 SUZUKI, RYO
IPC分类号： C23C
CPC分类号： C23C14/3414 , C22C1/0466 , C22C5/04 , C22C27/00 , C22C27/02 , C22C27/04 , C22C30/00
摘要：本發明提供一種由高熔點金屬所構成之燒結體濺鍍靶,係關於一種包含2種以上之高熔點金屬的燒結體濺鍍靶,特別是對靶組織加以改良,而可防止形成基質之主成分以外的金屬粒子脫落、降低氣體成分等雜質、提升密度、減少濺鍍時電弧及突粒的發生、提升成膜品質且提高靶之加工性。本發明之由高熔點金屬所構成之燒結體濺鍍靶,其特徵在於,係由選自W、Ta或Hf之1種元素以上未滿50at%的副成分,與剩餘部分為選自Ru、Rh或Ir之至少1種元素以上的主成分及不可避免的雜質所構成之高熔點金屬燒結體,在該主成分之金屬組織中,具備平均粒徑100��m至500��m之粒狀的副成分金屬相或主成分與副成分之合金相或化合物相。
简体摘要：本发明提供一种由高熔点金属所构成之烧结体溅镀靶,系关于一种包含2种以上之高熔点金属的烧结体溅镀靶,特别是对靶组织加以改良,而可防止形成基质之主成分以外的金属粒子脱落、降低气体成分等杂质、提升密度、减少溅镀时电弧及突粒的发生、提升成膜品质且提高靶之加工性。本发明之由高熔点金属所构成之烧结体溅镀靶,其特征在于,系由选自W、Ta或Hf之1种元素以上未满50at%的副成分,与剩余部分为选自Ru、Rh或Ir之至少1种元素以上的主成分及不可避免的杂质所构成之高熔点金属烧结体,在该主成分之金属组织中,具备平均粒径100��m至500��m之粒状的副成分金属相或主成分与副成分之合金相或化合物相。

8. 发明专利

TW200521255A 高純度鉿、高純度鉿所構成之靶及薄膜、高純度鉿之製造方法审中-公开
简体标题：高纯度铪、高纯度铪所构成之靶及薄膜、高纯度铪之制造方法
公开(公告)号：TW200521255A
公开(公告)日：2005-07-01
申请号：TW093132709
申请日：2004-10-28
申请人：日材料股份有限公司 NIKKO MATERIALS CO., LTD.
发明人：新藤裕一朗
IPC分类号： C23C
CPC分类号： C22C27/00 , C22B34/14 , C23C14/3414
摘要：提供一種高純度鉿、及由該高純度鉿所構成之靶及薄膜，其特徵為：不計鋯與氣體成分之純度為4N以上、且氧含量40wtppm以下；並提供一種高純度鉿、及由該高純度鉿所構成之靶及薄膜；其特徵為：不計鋯與氣體成分之純度為4N以上、且硫含量與磷含量各10wtppm以下。又提供一種高純度鉿材料、由該材料所構成之靶及薄膜、及高純度鉿之製造方法，係將鋯含量減少之海綿鉿當作原料，再將鉿中所含氧、硫、磷之含量減少。又提供一種有效且安定之製造技術以及依此技術所製得之高純度鉿材料及由該材料所構成之靶及薄膜。
简体摘要：提供一种高纯度铪、及由该高纯度铪所构成之靶及薄膜，其特征为：不计锆与气体成分之纯度为4N以上、且氧含量40wtppm以下；并提供一种高纯度铪、及由该高纯度铪所构成之靶及薄膜；其特征为：不计锆与气体成分之纯度为4N以上、且硫含量与磷含量各10wtppm以下。又提供一种高纯度铪材料、由该材料所构成之靶及薄膜、及高纯度铪之制造方法，系将锆含量减少之海绵铪当作原料，再将铪中所含氧、硫、磷之含量减少。又提供一种有效且安定之制造技术以及依此技术所制得之高纯度铪材料及由该材料所构成之靶及薄膜。

9. 发明专利

TW200511573A 用做閘極的過渡金屬合金及包含此等合金的裝置 TRANSITION METAL ALLOYS FOR USE AS A GATE ELECTRODE AND DEVICES INCORPORATING THESE ALLOYS 审中-公开
简体标题：用做闸极的过渡金属合金及包含此等合金的设备 TRANSITION METAL ALLOYS FOR USE AS A GATE ELECTRODE AND DEVICES INCORPORATING THESE ALLOYS
公开(公告)号：TW200511573A
公开(公告)日：2005-03-16
申请号：TW093114527
申请日：2004-05-21
申请人：英特爾公司 INTEL CORPORATION
发明人：納森巴克特 BAXTER, NATHAN , 羅伯特S 周 CHAU, ROBERT S. , 卡利哈克那 HARKONEN, KARI , 堤姆蘭 LANG, TEEMU
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/4966 , C04B35/5618 , C04B2235/722 , C04B2235/723 , C22C14/00 , C22C16/00 , C22C27/00 , C22C32/0084 , H01L21/28088 , H01L21/82345 , H01L21/823842 , H01L29/6659
摘要：本發明之實施例揭示具有在高溫下不會顯著偏移之n型或p型功函數之過渡金屬合金。所揭示之過渡金屬合金可用作電晶體之閘極或形成其之一部分。本發明亦揭示使用此等過渡金屬合金形成閘極之方法。
简体摘要：本发明之实施例揭示具有在高温下不会显着偏移之n型或p型功函数之过渡金属合金。所揭示之过渡金属合金可用作晶体管之闸极或形成其之一部分。本发明亦揭示使用此等过渡金属合金形成闸极之方法。

10. 发明专利

TWI413703B 鉭濺鍍靶有权
简体标题：钽溅镀靶
公开(公告)号：TWI413703B
公开(公告)日：2013-11-01
申请号：TW099115251
申请日：2010-05-13
申请人： JX日鑛日石金屬股份有限公司 , JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION
发明人：福嶋篤志 , FUKUSHIMA, ATSUSHI , 小田國博 , ODA, KUNIHIRO
IPC分类号： C23C14/34 , C22C27/02
CPC分类号： C22C27/00 , C22C27/02 , C23C14/3414

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