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1. 发明专利

TW575655B 拋光墊,拋光裝置以及使用彼之拋光方法失效
简体标题：抛光垫,抛光设备以及使用彼之抛光方法
公开(公告)号：TW575655B
公开(公告)日：2004-02-11
申请号：TW090130424
申请日：2001-12-07
申请人：住友化學工業股份有限公司 SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED
发明人：高島正之 TAKASHIMA, MASAYUKI , 上田和正 UEDA, KAZUMASA
IPC分类号： C09K , B24B
CPC分类号： B24B37/24 , B24D3/06 , Y02P80/30
摘要：一種金屬拋光墊，其含有一個會補捉金屬離子的官能基，一種拋光裝置，其含有一種使含金屬表面的物體與其面對的如申請專利範圍第1項的拋光墊接觸且在彼間均勻地施加壓力的裝置，一種旋轉或移動拋光物及拋光墊同時保持彼間接觸的裝置，以及一種裝填促進拋光物及拋光墊之間拋光的拋光促進劑的裝置，以及一種利用金屬拋光裝置藉由化學機械拋光用於拋光金屬的方法。
简体摘要：一种金属抛光垫，其含有一个会补捉金属离子的官能基，一种抛光设备，其含有一种使含金属表面的物体与其面对的如申请专利范围第1项的抛光垫接触且在彼间均匀地施加压力的设备，一种旋转或移动抛光物及抛光垫同时保持彼间接触的设备，以及一种装填促进抛光物及抛光垫之间抛光的抛光促进剂的设备，以及一种利用金属抛光设备借由化学机械抛光用于抛光金属的方法。

2. 发明专利

TW200427827A 金屬研磨組成物 METAL POLISHING COMPOSITION 审中-公开
简体标题：金属研磨组成物 METAL POLISHING COMPOSITION
公开(公告)号：TW200427827A
公开(公告)日：2004-12-16
申请号：TW093114207
申请日：2004-05-20
申请人：住友化學工業股份有限公司 SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED
发明人：一木直樹 ICHIKI, NAOKI , 松見泰夫 MATSUMI, YASUO , 高島正之 TAKASHIMA, MASAYUKI , 勝田修之 KATSUDA, NOBUYUKI
IPC分类号： C09K , C09G
CPC分类号： H01L21/02074 , C09G1/02 , C09K3/1463 , H01L21/3212
摘要：本發明之目的係提供一種金屬研磨組成物，其可以高速研磨例如銅及鉭等金屬，具有用於疏水低介電常數膜之較高洗滌效率，穩定性絕佳，且於儲存期間研磨粒子不會沉澱(儲存穩定性絕佳)。本發明之目的可經由一種金屬研磨組成物達成，該組成物包含每個分子含有2個或2個以上陰離子官能基之陰離子界面活性劑，研磨磨料，無機鹽及水。
简体摘要：本发明之目的系提供一种金属研磨组成物，其可以高速研磨例如铜及钽等金属，具有用于疏水低介电常数膜之较高洗涤效率，稳定性绝佳，且于存储期间研磨粒子不会沉淀(存储稳定性绝佳)。本发明之目的可经由一种金属研磨组成物达成，该组成物包含每个分子含有2个或2个以上阴离子官能基之阴离子界面活性剂，研磨磨料，无机盐及水。

3. 发明专利

TW200405454A 半導體基板用清洗液及半導體裝置之製造方法 WASHING LIQUID FOR SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND METHOD OF PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE 审中-公开
简体标题：半导体基板用清洗液及半导体设备之制造方法 WASHING LIQUID FOR SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND METHOD OF PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE
公开(公告)号：TW200405454A
公开(公告)日：2004-04-01
申请号：TW092124714
申请日：2003-09-08
申请人：住友化學工業股份有限公司 SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED
发明人：高島正之 TAKASHIMA, MASAYUKI
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/02074 , C11D3/221 , C11D7/06 , C11D11/0047 , C23G1/24
摘要：本發明之目的係提供半導體基板用清洗液，以及使用該清洗液的半導體裝置之製造方法，其中該清洗液能移除研磨劑中之氧化矽或氧化鋁等研磨顆粒及銅之研磨廢料，且僅留下些微有機物質，而此些微有機物質係由用以防止清洗後銅佈線表面之銅腐蝕的添加劑所殘留，本發明之清洗液並同時可抑制銅的腐蝕。本發明之目的係藉由具有銅佈線之半導體基板用清洗液來達成，該清洗液包括鹼性化合物及至少一選自糖醇類及醣類所成組群者。此外，本發明提供半導體裝置之製造方法，該方法包括利用化學機械研磨法形成銅佈線及以半導體基板用清洗液清洗該半導體基板之步驟，該清洗液包括鹼性化合物及至少一選自糖醇類及醣類所成組群者。
简体摘要：本发明之目的系提供半导体基板用清洗液，以及使用该清洗液的半导体设备之制造方法，其中该清洗液能移除研磨剂中之氧化硅或氧化铝等研磨颗粒及铜之研磨废料，且仅留下些微有机物质，而此些微有机物质系由用以防止清洗后铜布线表面之铜腐蚀的添加剂所残留，本发明之清洗液并同时可抑制铜的腐蚀。本发明之目的系借由具有铜布线之半导体基板用清洗液来达成，该清洗液包括碱性化合物及至少一选自糖醇类及糖类所成组群者。此外，本发明提供半导体设备之制造方法，该方法包括利用化学机械研磨法形成铜布线及以半导体基板用清洗液清洗该半导体基板之步骤，该清洗液包括碱性化合物及至少一选自糖醇类及糖类所成组群者。

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