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1. 发明专利

TW201348857A 半圓對接式光罩圖案的設計方法审中-公开
简体标题：半圆对接式光罩图案的设计方法
公开(公告)号：TW201348857A
公开(公告)日：2013-12-01
申请号：TW101119150
申请日：2012-05-29
申请人：中美矽晶製品股份有限公司 , SINO-AMERICAN SILICON PRODUCTS INC. , 中美藍晶股份有限公司 , SINO SAPPHIRE CO., LTD.
发明人：陳宗銘 , CHEN, TZUNG MING , 曾柏翔 , TSENG, BO HSIANG , 彭俊彥 , PENG, CHUN YEN , 徐文慶 , HSU, WEN CHING
IPC分类号： G03F1/70
摘要：一種半圓對接式光罩圖案的設計方法。所述半圓對接式光罩具有第一對邊與第二對邊，而所述設計方法包括：於第一對邊與第二對邊上分別設置多個第一邊緣圖案與多個第二邊緣圖案；在第一與第二邊緣圖案所環繞的區域內設置多個內部圖案，其中沿第一對邊之延伸方向的內部圖案之間距小於等於沿第二對邊之延伸方向的內部圖案之間距；以及縮小與第二邊緣圖案相鄰的部份內部圖案，其縮小率為大於0至25%。
简体摘要：一种半圆对接式光罩图案的设计方法。所述半圆对接式光罩具有第一对边与第二对边，而所述设计方法包括：于第一对边与第二对边上分别设置多个第一边缘图案与多个第二边缘图案；在第一与第二边缘图案所环绕的区域内设置多个内部图案，其中沿第一对边之延伸方向的内部图案之间距小于等于沿第二对边之延伸方向的内部图案之间距；以及缩小与第二边缘图案相邻的部份内部图案，其缩小率为大于0至25%。

2. 发明专利

TWI489200B 半圓對接式光罩圖案的設計方法有权
简体标题：半圆对接式光罩图案的设计方法
公开(公告)号：TWI489200B
公开(公告)日：2015-06-21
申请号：TW101119150
申请日：2012-05-29
申请人：中美矽晶製品股份有限公司 , SINO-AMERICAN SILICON PRODUCTS INC. , 中美藍晶股份有限公司 , SINO SAPPHIRE CO., LTD.
发明人：陳宗銘 , CHEN, TZUNG MING , 曾柏翔 , TSENG, BO HSIANG , 彭俊彥 , PENG, CHUN YEN , 徐文慶 , HSU, WEN CHING
IPC分类号： G03F1/70

3. 实用新型

TWM442529U 半圓對接式光罩 PHOTOMASK WITH HALF-CIRCLE JOINTING PORTION 有权
简体标题：半圆对接式光罩 PHOTOMASK WITH HALF-CIRCLE JOINTING PORTION
公开(公告)号：TWM442529U
公开(公告)日：2012-12-01
申请号：TW101210243
申请日：2012-05-29
申请人：中美矽晶製品股份有限公司 , 中美藍晶股份有限公司
发明人：陳宗銘 , 曾柏翔 , 彭俊彥 , 徐文慶
IPC分类号： G03F
摘要：一種用於步進曝光製程的半圓對接式光罩，其具有第一對邊與第二對邊。該半圓對接式光罩包括：多個第一邊緣圖案、多個第二邊緣圖案以及多個內部圖案。第一邊緣圖案配置於第一對邊上。第二邊緣圖案配置於第二對邊上。內部圖案配置於第一與第二邊緣圖案所環繞的區域內。該半圓對接式光罩的特徵在於：沿第一對邊之延伸方向的內部圖案之間距小於等於沿第二對邊之延伸方向的內部圖案之間距，且，內部圖案中與第二邊緣圖案相鄰者，相對於其餘內部圖案的尺寸，具有大於0至25%的縮小率。
简体摘要：一种用于步进曝光制程的半圆对接式光罩，其具有第一对边与第二对边。该半圆对接式光罩包括：多个第一边缘图案、多个第二边缘图案以及多个内部图案。第一边缘图案配置于第一对边上。第二边缘图案配置于第二对边上。内部图案配置于第一与第二边缘图案所环绕的区域内。该半圆对接式光罩的特征在于：沿第一对边之延伸方向的内部图案之间距小于等于沿第二对边之延伸方向的内部图案之间距，且，内部图案中与第二边缘图案相邻者，相对于其余内部图案的尺寸，具有大于0至25%的缩小率。

4. 发明专利

TW201248792A 發光二極體基板與發光二極體 LED SUBSTRATE AND LED 审中-公开
简体标题：发光二极管基板与发光二极管 LED SUBSTRATE AND LED
公开(公告)号：TW201248792A
公开(公告)日：2012-12-01
申请号：TW100117040
申请日：2011-05-16
申请人：中美矽晶製品股份有限公司
发明人：吳耀銓 , 蕭豐慶 , 陳俞中 , 曾柏翔 , 林博文 , 彭俊彥 , 徐文慶
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/32 , H01L33/007
摘要：一種發光二極體基板,包括一藍寶石基板,其特徵在於這樣的藍寶石基板包括由多個上三下六角錐體所構成的一表面,其中每一上三下六結構為一六角錐體與位於六角錐體上的一三角錐體所組成的結構,且這些上三下六角錐體的週期(pitch)小於10 ��m。這種發光二極體基板具有高的出光效率。
简体摘要：一种发光二极管基板,包括一蓝宝石基板,其特征在于这样的蓝宝石基板包括由多个上三下六角锥体所构成的一表面,其中每一上三下六结构为一六角锥体与位于六角锥体上的一三角锥体所组成的结构,且这些上三下六角锥体的周期(pitch)小于10 ��m。这种发光二极管基板具有高的出光效率。

5. 发明专利

TWI429030B 發光二極體基板與發光二極體有权
简体标题：发光二极管基板与发光二极管
公开(公告)号：TWI429030B
公开(公告)日：2014-03-01
申请号：TW100117040
申请日：2011-05-16
申请人：中美矽晶製品股份有限公司 , SINO-AMERICAN SILICON PRODUCTS INC.
发明人：吳耀銓 , WU, YEW CHUNG SERMON , 蕭豐慶 , HSIAO, FENG CHING , 陳俞中 , CHEN, YU CHUNG , 曾柏翔 , TSENG, BO HSIANG , 林博文 , LIN, BO WEN , 彭俊彥 , PENG, CHUN YEN , 徐文慶 , HSU, WEN CHING
IPC分类号： H01L21/86 , H01L33/06 , H01L33/32
CPC分类号： H01L33/32 , H01L33/007

6. 发明专利

TW201318208A 圖案基板的製造方法及其成品有权
简体标题：图案基板的制造方法及其成品
公开(公告)号：TW201318208A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：TW100139579
申请日：2011-10-31
申请人：中美矽晶製品股份有限公司 , SINO-AMERICAN SILICON PRODUCTS INC.
发明人：林博文 , LIN, BO WEN , 曾柏翔 , TSENG, BO HSIANG , 謝依珊 , HSIEH, YI SHAN , 李文菁 , LI, WEN CHING , 彭俊彥 , PENG, CHING YEN , 徐文慶 , HSU, WEN CHING
IPC分类号： H01L33/22
摘要：一種可降低成本、提高發光元件光取出率的圖案基板製造方法，包含平片加工步驟與圖案化步驟，平片加工步驟是將晶棒切片修整製得具有原始切面的半成品基板，特別的是圖案化步驟是在保留半成品基板的原始切面預定部分結構的前提下進行圖案化，而形成由剩餘的原始切面及自其向下延伸的連接面，與連接該連接面底緣且粗糙度小的磊晶面所構成的圖案，因此，製得的圖案基板可自磊晶面成長出高品質的晶體結構，同時，剩餘的原始切面的粗糙度可提昇後續製得之發光元件的光取出率；另外，本發明還提供由此方法製作的圖案基板。
简体摘要：一种可降低成本、提高发光组件光取出率的图案基板制造方法，包含平片加工步骤与图案化步骤，平片加工步骤是将晶棒切片修整制得具有原始切面的半成品基板，特别的是图案化步骤是在保留半成品基板的原始切面预定部分结构的前提下进行图案化，而形成由剩余的原始切面及自其向下延伸的连接面，与连接该连接面底缘且粗糙度小的磊晶面所构成的图案，因此，制得的图案基板可自磊晶面成长出高品质的晶体结构，同时，剩余的原始切面的粗糙度可提升后续制得之发光组件的光取出率；另外，本发明还提供由此方法制作的图案基板。

7. 实用新型

TWM424614U 發光二極體基板與發光二極體 LED SUBSTRATE AND LED 有权
简体标题：发光二极管基板与发光二极管 LED SUBSTRATE AND LED
公开(公告)号：TWM424614U
公开(公告)日：2012-03-11
申请号：TW100210043
申请日：2011-06-02
申请人：中美矽晶製品股份有限公司
发明人：曾柏翔 , 林博文 , 彭俊彥 , 徐文慶
IPC分类号： H01L
摘要：一種發光二極體基板，包括一藍寶石基板，其特徵在於這樣的藍寶石基板包括由多個無轉折六角錐體所構成的一表面，且這些無轉折六角錐體的週期(pitch)小於10 μm。上述無轉折六角錐體的對稱剖面具有一第一底角以及一第二底角，第二底角大於第一底角，且第二底角的角度在50度至70度之間。這種發光二極體基板具有高的出光效率。
简体摘要：一种发光二极管基板，包括一蓝宝石基板，其特征在于这样的蓝宝石基板包括由多个无转折六角锥体所构成的一表面，且这些无转折六角锥体的周期(pitch)小于10 μm。上述无转折六角锥体的对称剖面具有一第一底角以及一第二底角，第二底角大于第一底角，且第二底角的角度在50度至70度之间。这种发光二极管基板具有高的出光效率。

8. 发明专利

TWI458127B 圖案基板的製造方法及其成品有权
简体标题：图案基板的制造方法及其成品
公开(公告)号：TWI458127B
公开(公告)日：2014-10-21
申请号：TW100139579
申请日：2011-10-31
申请人：中美矽晶製品股份有限公司 , SINO-AMERICAN SILICON PRODUCTS INC.
发明人：林博文 , LIN, BO WEN , 曾柏翔 , TSENG, BO HSIANG , 謝依珊 , HSIEH, YI SHAN , 李文菁 , LI, WEN CHING , 彭俊彥 , PENG, CHING YEN , 徐文慶 , HSU, WEN CHING
IPC分类号： H01L33/22

9. 发明专利

TWI429105B 發光二極體基板及其製造方法與發光二極體有权
简体标题：发光二极管基板及其制造方法与发光二极管
公开(公告)号：TWI429105B
公开(公告)日：2014-03-01
申请号：TW100146890
申请日：2011-12-16
申请人：中美矽晶製品股份有限公司 , SINO-AMERICAN SILICON PRODUCTS INC.
发明人：曾柏翔 , TSENG, BO HSIANG , 林博文 , LIN, BO WEN , 彭俊彥 , PENG, CHUN YEN , 徐文慶 , HSU, WEN CHING
IPC分类号： H01L33/20

10. 发明专利

TW201327907A 發光二極體基板及其製造方法與發光二極體审中-公开
简体标题：发光二极管基板及其制造方法与发光二极管
公开(公告)号：TW201327907A
公开(公告)日：2013-07-01
申请号：TW100146890
申请日：2011-12-16
申请人：中美矽晶製品股份有限公司 , SINO-AMERICAN SILICON PRODUCTS INC.
发明人：曾柏翔 , TSENG, BO HSIANG , 林博文 , LIN, BO WEN , 彭俊彥 , PENG, CHUN YEN , 徐文慶 , HSU, WEN CHING
IPC分类号： H01L33/20
摘要：一種發光二極體基板，包括具有多個上三下六角錐體的一藍寶石基板，其中每一上三下六結構為一六角錐體與位於六角錐體上的一三角錐體所組成的結構。而且，每個三角錐體的投影面積與每個上三下六角錐體的投影面積之比大於0且小於0.5。
简体摘要：一种发光二极管基板，包括具有多个上三下六角锥体的一蓝宝石基板，其中每一上三下六结构为一六角锥体与位于六角锥体上的一三角锥体所组成的结构。而且，每个三角锥体的投影面积与每个上三下六角锥体的投影面积之比大于0且小于0.5。

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