专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TW201348857A 半圓對接式光罩圖案的設計方法审中-公开
简体标题：半圆对接式光罩图案的设计方法
公开(公告)号：TW201348857A
公开(公告)日：2013-12-01
申请号：TW101119150
申请日：2012-05-29
申请人：中美矽晶製品股份有限公司 , SINO-AMERICAN SILICON PRODUCTS INC. , 中美藍晶股份有限公司 , SINO SAPPHIRE CO., LTD.
发明人：陳宗銘 , CHEN, TZUNG MING , 曾柏翔 , TSENG, BO HSIANG , 彭俊彥 , PENG, CHUN YEN , 徐文慶 , HSU, WEN CHING
IPC分类号： G03F1/70
摘要：一種半圓對接式光罩圖案的設計方法。所述半圓對接式光罩具有第一對邊與第二對邊，而所述設計方法包括：於第一對邊與第二對邊上分別設置多個第一邊緣圖案與多個第二邊緣圖案；在第一與第二邊緣圖案所環繞的區域內設置多個內部圖案，其中沿第一對邊之延伸方向的內部圖案之間距小於等於沿第二對邊之延伸方向的內部圖案之間距；以及縮小與第二邊緣圖案相鄰的部份內部圖案，其縮小率為大於0至25%。
简体摘要：一种半圆对接式光罩图案的设计方法。所述半圆对接式光罩具有第一对边与第二对边，而所述设计方法包括：于第一对边与第二对边上分别设置多个第一边缘图案与多个第二边缘图案；在第一与第二边缘图案所环绕的区域内设置多个内部图案，其中沿第一对边之延伸方向的内部图案之间距小于等于沿第二对边之延伸方向的内部图案之间距；以及缩小与第二边缘图案相邻的部份内部图案，其缩小率为大于0至25%。

2. 实用新型

TWM441934U 發光二極體裝置有权
简体标题：发光二极管设备
公开(公告)号：TWM441934U
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：TW101209467
申请日：2012-05-18
申请人：中美矽晶製品股份有限公司 , 中美藍晶股份有限公司
发明人：吳耀銓 , 陳俞中 , 林博文 , 陳建誌 , 彭俊彥 , 徐文慶
IPC分类号： H01L
摘要：一種發光二極體裝置，包含圖案基底、形成於圖案基底上的半導體磊晶層，及形成於半導體磊晶層上而能向半導體磊晶層輸入電能的電極單元；圖案基底包括本體及多個由本體間隔向上凸出的壁體，每一壁體具有成環狀的頂面，及多數由頂面的內緣向本體方向凹陷的傾斜面，而半導體磊晶層利用磊晶製程的控制在相對應於每一壁體凹陷處形成多數孔洞，且半導體磊晶層在接受外部電能後能向外發光，藉由孔洞中的空氣折射率與半導體磊晶層的折射率差異較大而能提升入射光的全反射機率、增加光反射往遠離圖案基底的方向射出。
简体摘要：一种发光二极管设备，包含图案基底、形成于图案基底上的半导体磊晶层，及形成于半导体磊晶层上而能向半导体磊晶层输入电能的电极单元；图案基底包括本体及多个由本体间隔向上凸出的壁体，每一壁体具有成环状的顶面，及多数由顶面的内缘向本体方向凹陷的倾斜面，而半导体磊晶层利用磊晶制程的控制在相对应于每一壁体凹陷处形成多数孔洞，且半导体磊晶层在接受外部电能后能向外发光，借由孔洞中的空气折射率与半导体磊晶层的折射率差异较大而能提升入射光的全反射概率、增加光反射往远离图案基底的方向射出。

3. 发明专利

TWI489200B 半圓對接式光罩圖案的設計方法有权
简体标题：半圆对接式光罩图案的设计方法
公开(公告)号：TWI489200B
公开(公告)日：2015-06-21
申请号：TW101119150
申请日：2012-05-29
申请人：中美矽晶製品股份有限公司 , SINO-AMERICAN SILICON PRODUCTS INC. , 中美藍晶股份有限公司 , SINO SAPPHIRE CO., LTD.
发明人：陳宗銘 , CHEN, TZUNG MING , 曾柏翔 , TSENG, BO HSIANG , 彭俊彥 , PENG, CHUN YEN , 徐文慶 , HSU, WEN CHING
IPC分类号： G03F1/70

4. 发明专利

TWI460319B 長晶裝置及晶體製造方法有权
简体标题：长晶设备及晶体制造方法
公开(公告)号：TWI460319B
公开(公告)日：2014-11-11
申请号：TW101151192
申请日：2012-12-28
申请人：中美矽晶製品股份有限公司 , SINO-AMERICAN SILICON PRODUCTS INC. , 中美藍晶股份有限公司 , SINO SAPPHIRE CO., LTD.
发明人：呂建興 , LU, JIAN HSIN , 宋永萱 , SUNG, YUNG HSUAN , 陳智勇 , CHEN, CHI YUNG , 劉哲銘 , LIU, CHE MING , 游惠喬 , YU, HUI CHIAO , 徐文慶 , HSU, WEN CHING , 陳志臣 , CHEN, JYH CHEN
IPC分类号： C30B29/06 , C30B35/00

5. 实用新型

TWM452969U 長晶裝置有权
简体标题：长晶设备
公开(公告)号：TWM452969U
公开(公告)日：2013-05-11
申请号：TW101225554
申请日：2012-12-28
申请人：中美矽晶製品股份有限公司 , SINO-AMERICAN SILICON PRODUCTS INC. , 中美藍晶股份有限公司 , SINO SAPPHIRE CO., LTD.
发明人：呂建興 , 宋永萱 , 陳智勇 , 劉哲銘 , 游惠喬 , 徐文慶 , 陳志臣
IPC分类号： C30B15/20

6. 实用新型

TWM442529U 半圓對接式光罩 PHOTOMASK WITH HALF-CIRCLE JOINTING PORTION 有权
简体标题：半圆对接式光罩 PHOTOMASK WITH HALF-CIRCLE JOINTING PORTION
公开(公告)号：TWM442529U
公开(公告)日：2012-12-01
申请号：TW101210243
申请日：2012-05-29
申请人：中美矽晶製品股份有限公司 , 中美藍晶股份有限公司
发明人：陳宗銘 , 曾柏翔 , 彭俊彥 , 徐文慶
IPC分类号： G03F
摘要：一種用於步進曝光製程的半圓對接式光罩，其具有第一對邊與第二對邊。該半圓對接式光罩包括：多個第一邊緣圖案、多個第二邊緣圖案以及多個內部圖案。第一邊緣圖案配置於第一對邊上。第二邊緣圖案配置於第二對邊上。內部圖案配置於第一與第二邊緣圖案所環繞的區域內。該半圓對接式光罩的特徵在於：沿第一對邊之延伸方向的內部圖案之間距小於等於沿第二對邊之延伸方向的內部圖案之間距，且，內部圖案中與第二邊緣圖案相鄰者，相對於其餘內部圖案的尺寸，具有大於0至25%的縮小率。
简体摘要：一种用于步进曝光制程的半圆对接式光罩，其具有第一对边与第二对边。该半圆对接式光罩包括：多个第一边缘图案、多个第二边缘图案以及多个内部图案。第一边缘图案配置于第一对边上。第二边缘图案配置于第二对边上。内部图案配置于第一与第二边缘图案所环绕的区域内。该半圆对接式光罩的特征在于：沿第一对边之延伸方向的内部图案之间距小于等于沿第二对边之延伸方向的内部图案之间距，且，内部图案中与第二边缘图案相邻者，相对于其余内部图案的尺寸，具有大于0至25%的缩小率。

7. 发明专利

TW201425660A 長晶裝置及晶體製造方法审中-公开
简体标题：长晶设备及晶体制造方法
公开(公告)号：TW201425660A
公开(公告)日：2014-07-01
申请号：TW101151192
申请日：2012-12-28
申请人：中美矽晶製品股份有限公司 , SINO-AMERICAN SILICON PRODUCTS INC. , 中美藍晶股份有限公司 , SINO SAPPHIRE CO., LTD.
发明人：呂建興 , LU, JIAN HSIN , 宋永萱 , SUNG, YUNG HSUAN , 陳智勇 , CHEN, CHI YUNG , 劉哲銘 , LIU, CHE MING , 游惠喬 , YU, HUI CHIAO , 徐文慶 , HSU, WEN CHING , 陳志臣 , CHEN, JYH CHEN
IPC分类号： C30B29/06 , C30B35/00
摘要：一種長晶裝置，包括：一坩鍋、一坩鍋蓋、一隔熱單元、及數個熱反射環。坩鍋蓋界定有一開口，坩鍋蓋裝設於坩鍋上且共同包圍定義出一經開口而連通於外的容置空間。隔熱單元設置於坩鍋蓋的外表面上。該些熱反射環設置於容置空間內且分別懸吊於坩鍋蓋，而任兩相鄰的熱反射環呈等距地間隔設置，且該些熱反射環與坩鍋蓋之間各形成有一第一夾角。其中，該些熱反射環能在該長晶裝置加熱過程中產生形變，以使第一夾角變化至一第二夾角。藉此，本發明透過該些熱反射環的設置而能調整熔湯表面溫梯分佈。此外，本發明另提供一種晶體製造方法。
简体摘要：一种长晶设备，包括：一坩锅、一坩锅盖、一隔热单元、及数个热反射环。坩锅盖界定有一开口，坩锅盖装设于坩锅上且共同包围定义出一经开口而连通于外的容置空间。隔热单元设置于坩锅盖的外表面上。该些热反射环设置于容置空间内且分别悬吊于坩锅盖，而任两相邻的热反射环呈等距地间隔设置，且该些热反射环与坩锅盖之间各形成有一第一夹角。其中，该些热反射环能在该长晶设备加热过程中产生形变，以使第一夹角变化至一第二夹角。借此，本发明透过该些热反射环的设置而能调整熔汤表面温梯分布。此外，本发明另提供一种晶体制造方法。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式