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1. 发明专利

TW201829844A 乾式蝕刻方法及蝕刻裝置审中-公开
简体标题：干式蚀刻方法及蚀刻设备
公开(公告)号：TW201829844A
公开(公告)日：2018-08-16
申请号：TW107100151
申请日：2018-01-03
申请人：日商中央硝子股份有限公司 , CENTRAL GLASS COMPANY, LIMITED
发明人：山內邦裕 , YAMAUCHI, KUNIHIRO , 增田隆司 , MASUDA, TAKASHI , 八尾章史 , YAO, AKIFUMI
IPC分类号： C23F1/12 , H01L21/67 , H01L21/321
摘要：本發明係一種乾式蝕刻方法，其特徵在於：其係使用蝕刻氣體對基板上之金屬膜進行蝕刻者，上述蝕刻氣體包含β-二酮、第一添加氣體、及第二添加氣體，上述金屬膜包含可與上述β-二酮形成錯合物之金屬元素，上述第一添加氣體係選自由NO、N2O、O2及O3所組成之群中之至少1種氣體，上述第二添加氣體係選自由H2O及H2O2所組成之群中之至少1種氣體，上述蝕刻氣體中包含之上述β-二酮之量相對於上述蝕刻氣體為10體積%以上且90體積%以下，且上述蝕刻氣體中包含之上述第二添加氣體之量相對於上述蝕刻氣體為0.1體積%以上且15體積%以下。藉由該方法，可提高金屬膜之蝕刻速度。
简体摘要：本发明系一种干式蚀刻方法，其特征在于：其系使用蚀刻气体对基板上之金属膜进行蚀刻者，上述蚀刻气体包含β-二酮、第一添加气体、及第二添加气体，上述金属膜包含可与上述β-二酮形成错合物之金属元素，上述第一添加气体系选自由NO、N2O、O2及O3所组成之群中之至少1种气体，上述第二添加气体系选自由H2O及H2O2所组成之群中之至少1种气体，上述蚀刻气体中包含之上述β-二酮之量相对于上述蚀刻气体为10体积%以上且90体积%以下，且上述蚀刻气体中包含之上述第二添加气体之量相对于上述蚀刻气体为0.1体积%以上且15体积%以下。借由该方法，可提高金属膜之蚀刻速度。

2. 发明专利

TW201819673A 蝕刻方法及蝕刻裝置审中-公开
简体标题：蚀刻方法及蚀刻设备
公开(公告)号：TW201819673A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：TW106119416
申请日：2017-06-12
申请人：中央硝子股份有限公司 , CENTRAL GLASS COMPANY, LIMITED , 東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：八尾章史 , YAO, AKIFUMI , 山內邦裕 , YAMAUCHI, KUNIHIRO , 宮崎達夫 , MIYAZAKI, TATSUO , 林軍 , LIN, JUN , 山內晋 , YAMAUCHI, SUSUMU , 西村和晃 , NISHIMURA, KAZUAKI
IPC分类号： C23C16/44 , C23F1/12
摘要：本發明之蝕刻方法之特徵在於：藉由對在表面並存形成有包含鈷、鐵或錳之第1金屬膜與包含銅之第2金屬膜之被處理體進行供給包含含有β-二酮之蝕刻氣體及氮氧化物氣體之第1混合氣體的步驟，而相對於第2金屬膜選擇性地蝕刻第1金屬膜，或者，藉由對上述被處理體進行供給包含含有β-二酮之蝕刻氣體及氧氣之第2混合氣體的步驟，而相對於第1金屬膜選擇性地蝕刻第2金屬膜。
简体摘要：本发明之蚀刻方法之特征在于：借由对在表面并存形成有包含钴、铁或锰之第1金属膜与包含铜之第2金属膜之被处理体进行供给包含含有β-二酮之蚀刻气体及氮氧化物气体之第1混合气体的步骤，而相对于第2金属膜选择性地蚀刻第1金属膜，或者，借由对上述被处理体进行供给包含含有β-二酮之蚀刻气体及氧气之第2混合气体的步骤，而相对于第1金属膜选择性地蚀刻第2金属膜。

3. 发明专利

TWI664316B 乾式蝕刻方法及蝕刻裝置有权
简体标题：干式蚀刻方法及蚀刻设备
公开(公告)号：TWI664316B
公开(公告)日：2019-07-01
申请号：TW107100151
申请日：2018-01-03
申请人：日商中央硝子股份有限公司 , CENTRAL GLASS COMPANY, LIMITED
发明人：山內邦裕 , YAMAUCHI, KUNIHIRO , 增田隆司 , MASUDA, TAKASHI , 八尾章史 , YAO, AKIFUMI
IPC分类号： C23F1/12 , H01L21/67 , H01L21/321

4. 发明专利

TW201840905A 乾式蝕刻方法及已填充有β－二酮之容器审中-公开
简体标题：干式蚀刻方法及已填充有β－二酮之容器
公开(公告)号：TW201840905A
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：TW107100152
申请日：2018-01-03
申请人：日商中央硝子股份有限公司 , CENTRAL GLASS COMPANY, LIMITED
发明人：山內邦裕 , YAMAUCHI, KUNIHIRO , 增田隆司 , MASUDA, TAKASHI , 八尾章史 , YAO, AKIFUMI
IPC分类号： C23F1/12 , C23F4/00 , H01L21/302 , H01L21/3065
摘要：本發明係一種乾式蝕刻方法，其特徵在於：其係使用包含β-二酮及添加氣體之蝕刻氣體對基板上之金屬膜進行蝕刻者，上述金屬膜包含可與上述β-二酮形成錯合物之金屬元素，且上述蝕刻氣體中包含之水之量相對於上述β-二酮為30質量ppm以下。又，用於上述乾式蝕刻之β-二酮較佳為從於密閉容器中填充有β-二酮，且上述密閉容器中之水含量相對於上述β-二酮為15質量ppm以下的已填充有β-二酮之容器供給。藉由該方法，從已填充之容器之使用初期至使用終期，可一面抑制蝕刻速度之不均，一面對金屬膜進行蝕刻。
简体摘要：本发明系一种干式蚀刻方法，其特征在于：其系使用包含β-二酮及添加气体之蚀刻气体对基板上之金属膜进行蚀刻者，上述金属膜包含可与上述β-二酮形成错合物之金属元素，且上述蚀刻气体中包含之水之量相对于上述β-二酮为30质量ppm以下。又，用于上述干式蚀刻之β-二酮较佳为从于密闭容器中填充有β-二酮，且上述密闭容器中之水含量相对于上述β-二酮为15质量ppm以下的已填充有β-二酮之容器供给。借由该方法，从已填充之容器之使用初期至使用终期，可一面抑制蚀刻速度之不均，一面对金属膜进行蚀刻。

5. 发明专利

TW201739962A 蝕刻方法及蝕刻裝置审中-公开
简体标题：蚀刻方法及蚀刻设备
公开(公告)号：TW201739962A
公开(公告)日：2017-11-16
申请号：TW106101049
申请日：2017-01-12
申请人：中央硝子股份有限公司 , CENTRAL GLASS COMPANY, LIMITED , 東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：八尾章史 , YAO, AKIFUMI , 山內邦裕 , YAMAUCHI, KUNIHIRO , 宮崎達夫 , MIYAZAKI, TATSUO , 林軍 , LIN, JUN , 竹谷考司 , TAKEYA, KOJI , 立花光博 , TACHIBANA, MITSUHIRO
IPC分类号： C23F1/12 , H01L21/28 , H01L21/302
CPC分类号： H01L21/302 , H01L21/3065 , H01L21/3205 , H01L21/3213 , H01L21/768 , H01L23/532
摘要：本發明之蝕刻方法之特徵在於包括：第1氣體供給步驟，其係向表面形成有鈷膜、鐵膜或鈷鐵膜之被處理體供給包含β-二酮之蝕刻氣體；及第2氣體供給步驟，其於第1氣體供給步驟後，供給上述蝕刻氣體及氮氧化物氣體。
简体摘要：本发明之蚀刻方法之特征在于包括：第1气体供给步骤，其系向表面形成有钴膜、铁膜或钴铁膜之被处理体供给包含β-二酮之蚀刻气体；及第2气体供给步骤，其于第1气体供给步骤后，供给上述蚀刻气体及氮氧化物气体。

6. 发明专利

TW201708613A 濕式蝕刻方法及蝕刻液审中-公开
简体标题：湿式蚀刻方法及蚀刻液
公开(公告)号：TW201708613A
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：TW105121268
申请日：2016-07-05
申请人：中央硝子股份有限公司 , CENTRAL GLASS COMPANY, LIMITED
发明人：八尾章史 , YAO, AKIFUMI , 山內邦裕 , YAMAUCHI, KUNIHIRO , 藤原昌生 , FUJIWARA, MASAKI , 宮崎達夫 , MIYAZAKI, TATSUO
IPC分类号： C23F1/16 , C09K13/00 , H01L21/306
CPC分类号： H01L21/32134 , C23F1/10 , C23F1/14 , H01L21/30612 , H01L21/308 , H01L21/31111 , H01L43/10 , H01L43/12 , H01L45/1675
摘要：本發明之濕式蝕刻方法之特徵在於：其係使用蝕刻液對基板上之含金屬膜進行蝕刻者，且上述蝕刻液係鍵結有三氟甲基與羰基之β-二酮之有機溶劑溶液，上述含金屬膜包含能夠與上述β-二酮形成錯合物之金屬元素。
简体摘要：本发明之湿式蚀刻方法之特征在于：其系使用蚀刻液对基板上之含金属膜进行蚀刻者，且上述蚀刻液系键结有三氟甲基与羰基之β-二酮之有机溶剂溶液，上述含金属膜包含能够与上述β-二酮形成错合物之金属元素。

7. 发明专利

TWI612583B 清洗方法、半導體裝置之製造方法、基板處理裝置及記錄媒體有权
简体标题：清洗方法、半导体设备之制造方法、基板处理设备及记录媒体
公开(公告)号：TWI612583B
公开(公告)日：2018-01-21
申请号：TW105106284
申请日：2016-03-02
申请人：日立國際電氣股份有限公司 , HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. , 中央硝子股份有限公司 , CENTRAL GLASS CO., LTD.
发明人：龜田賢治 , KAMEDA, KENJI , 永戶雅也 , NAGATO, MASAYA , 菊池亞紀応 , KIKUCHI, AKIOU , 武田雄太 , TAKEDA, YUTA , 山內邦裕 , YAMAUCHI, KUNIHIRO
IPC分类号： H01L21/316 , C23C16/44 , H01L21/3065 , H01L21/31
CPC分类号： C23C16/4405 , C23C16/40 , C23C16/402 , C23C16/45523 , C23C16/45525 , C23C16/52

8. 发明专利

TW201705285A 清洗方法、半導體裝置之製造方法、基板處理裝置及記錄媒體审中-公开
简体标题：清洗方法、半导体设备之制造方法、基板处理设备及记录媒体
公开(公告)号：TW201705285A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：TW105106284
申请日：2016-03-02
申请人：日立國際電氣股份有限公司 , HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. , 中央硝子股份有限公司 , CENTRAL GLASS CO., LTD.
发明人：龜田賢治 , KAMEDA, KENJI , 永戶雅也 , NAGATO, MASAYA , 菊池亞紀応 , KIKUCHI, AKIOU , 武田雄太 , TAKEDA, YUTA , 山內邦裕 , YAMAUCHI, KUNIHIRO
IPC分类号： H01L21/316 , C23C16/44 , H01L21/3065 , H01L21/31
CPC分类号： C23C16/4405 , C23C16/40 , C23C16/402 , C23C16/45523 , C23C16/45525 , C23C16/52
摘要：本發明係提高進行形成含氧膜之處理後之處理容器內之清洗效率。本發明係對進行於基板上形成含氧膜之處理後之處理容器內進行清洗之方法，其不設置間歇期間而連續地進行如下步驟：(a)對處理容器內至少供給氟化氫氣體之步驟；及(b)依停止對處理容器內供給氟化氫氣體之狀態，對處理容器內供給醇之步驟。
简体摘要：本发明系提高进行形成含氧膜之处理后之处理容器内之清洗效率。本发明系对进行于基板上形成含氧膜之处理后之处理容器内进行清洗之方法，其不设置间歇期间而连续地进行如下步骤：(a)对处理容器内至少供给氟化氢气体之步骤；及(b)依停止对处理容器内供给氟化氢气体之状态，对处理容器内供给醇之步骤。

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