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2. 发明专利

TW201423843A 磊晶晶圓及其製造方法审中-公开
简体标题：磊晶晶圆及其制造方法
公开(公告)号：TW201423843A
公开(公告)日：2014-06-16
申请号：TW102143188
申请日：2013-11-27
申请人：世創電子材料公司 , SILTRONIC AG
发明人：史托克彼得 , STORCK, PETER , 華納諾伯特 , WERNER, NORBERT , 弗德衛斯特納馬丁 , VORDERWESTNER, MARTIN , 托欽斯基彼得 , TOLCHINSKY, PETER , 葉布魯克艾文 , YABLOK, IRWIN
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： H01L21/3225 , H01L21/02381 , H01L21/02532 , H01L21/0254 , H01L21/0257 , H01L21/02573 , H01L21/0262 , H01L21/3221 , H01L29/167
摘要：一種磊晶晶圓，其包含一具有第一面和第二面的矽基材晶圓、一沉積在矽基材晶圓的第一面上的矽磊晶層、以及視需要存在於該矽磊晶層頂上的一或多個額外的磊晶層，該矽磊晶層用氮摻雜的濃度係1×1016個原子/立方公分(atoms/cm3)或更多且係1×1020個原子/立方公分或更少，或者該一或多個額外的磊晶層中的至少一層用氮摻雜的濃度係1×1016個原子/立方公分或更多且係1×1020個原子/立方公分或更少，或者該矽磊晶層以及該一或多個額外的磊晶層中的至少一層用氮摻雜的濃度係1×1016個原子/立方公分或更多且係1×1020個原子/立方公分或更少。該磊晶晶圓係於一含有一或多種矽前驅物化合物和一或多種氮前驅物化合物的沉積氣體氣氛存在的情況下，於940℃或更低的沉積溫度下藉由化學氣相沉積(CVD)沉積該矽磊晶層、該一或多個額外的磊晶層中的至少一層、或者該矽磊晶層以及該一或多個額外的磊晶層中的至少一層製造的。
简体摘要：一种磊晶晶圆，其包含一具有第一面和第二面的硅基材晶圆、一沉积在硅基材晶圆的第一面上的硅磊晶层、以及视需要存在于该硅磊晶层顶上的一或多个额外的磊晶层，该硅磊晶层用氮掺杂的浓度系1×1016个原子/立方公分(atoms/cm3)或更多且系1×1020个原子/立方公分或更少，或者该一或多个额外的磊晶层中的至少一层用氮掺杂的浓度系1×1016个原子/立方公分或更多且系1×1020个原子/立方公分或更少，或者该硅磊晶层以及该一或多个额外的磊晶层中的至少一层用氮掺杂的浓度系1×1016个原子/立方公分或更多且系1×1020个原子/立方公分或更少。该磊晶晶圆系于一含有一或多种硅前驱物化合物和一或多种氮前驱物化合物的沉积气体气氛存在的情况下，于940℃或更低的沉积温度下借由化学气相沉积(CVD)沉积该硅磊晶层、该一或多个额外的磊晶层中的至少一层、或者该硅磊晶层以及该一或多个额外的磊晶层中的至少一层制造的。

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