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1. 发明专利

TW201718841A 半導體元件之洗淨用液體組成物、半導體元件之洗淨方法及半導體元件之製造方法审中-公开
简体标题：半导体组件之洗净用液体组成物、半导体组件之洗净方法及半导体组件之制造方法
公开(公告)号：TW201718841A
公开(公告)日：2017-06-01
申请号：TW105129192
申请日：2016-09-09
申请人：三菱瓦斯化學股份有限公司 , MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC.
发明人：青山公洋 , AOYAMA, KIMIHIRO , 田島恒夫 , TAJIMA, NOBUO
IPC分类号： C11D7/18 , C11D1/40 , C11D7/06 , H01L21/027
CPC分类号： C11D11/0047 , C11D3/0073 , C11D3/3947 , C11D7/04 , C11D7/06 , C11D7/10 , C11D7/36 , H01L21/02068 , H01L21/31144 , H01L21/32134
摘要：［課題］提供於半導體元件製造中，抑制銅或銅合金、或鈷或鈷合金之損傷且同時將氮化鈦硬遮罩予以去除之洗淨用液體組成物、使用該洗淨用液體組成物之洗淨方法、及半導體元件之製造方法。［解決方法］本發明之於半導體元件之製造中所使用之洗淨用液體組成物含有過氧化氫1~30質量%、氫氧化鉀0.01~1質量%、胺基聚亞甲基膦酸0.0001~0.05質量%、具有13族元素之化合物0.00005~0.5質量%及水。
简体摘要：［课题］提供于半导体组件制造中，抑制铜或铜合金、或钴或钴合金之损伤且同时将氮化钛硬遮罩予以去除之洗净用液体组成物、使用该洗净用液体组成物之洗净方法、及半导体组件之制造方法。［解决方法］本发明之于半导体组件之制造中所使用之洗净用液体组成物含有过氧化氢1~30质量%、氢氧化钾0.01~1质量%、胺基聚亚甲基膦酸0.0001~0.05质量%、具有13族元素之化合物0.00005~0.5质量%及水。

2. 发明专利

TW201318965A 過氧化氫水溶液之製造方法审中-公开
简体标题：过氧化氢水溶液之制造方法
公开(公告)号：TW201318965A
公开(公告)日：2013-05-16
申请号：TW101130815
申请日：2012-08-24
申请人：三菱瓦斯化學股份有限公司 , MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC.
发明人：田島恒夫 , TAJIMA, NOBUO , 新井譽久 , ARAI, YOSHIHISA
IPC分类号： C01B15/013
CPC分类号： C01B15/0135 , C01B15/013
摘要：本發明的目的在於提供一種過氧化氫水溶液之製造方法，可有效地去除過氧化氫水溶液所包含的矽酸或矽酸鹽等之雜質。本發明的過氧化氫水溶液之製造方法，具有以下步驟：第1步驟，使過氧化氫水溶液與利用精製水清洗後的活性氧化鋁接觸；以及第2步驟，該第1步驟之後，使該過氧化氫水溶液與陽離子交換樹脂接觸。該陽離子交換樹脂為具有磺酸基之氫離子型的強酸性陽離子交換樹脂較為理想。與該活性氧化鋁及該陽離子交換樹脂接觸的該過氧化氫水溶液之溫度為30℃以下較為理想。
简体摘要：本发明的目的在于提供一种过氧化氢水溶液之制造方法，可有效地去除过氧化氢水溶液所包含的硅酸或硅酸盐等之杂质。本发明的过氧化氢水溶液之制造方法，具有以下步骤：第1步骤，使过氧化氢水溶液与利用精制水清洗后的活性氧化铝接触；以及第2步骤，该第1步骤之后，使该过氧化氢水溶液与阳离子交换树脂接触。该阳离子交换树脂为具有磺酸基之氢离子型的强酸性阳离子交换树脂较为理想。与该活性氧化铝及该阳离子交换树脂接触的该过氧化氢水溶液之温度为30℃以下较为理想。

3. 发明专利

TW201734192A 半導體元件之洗淨用液體組成物、半導體元件之洗淨方法及半導體元件之製造方法审中-公开
简体标题：半导体组件之洗净用液体组成物、半导体组件之洗净方法及半导体组件之制造方法
公开(公告)号：TW201734192A
公开(公告)日：2017-10-01
申请号：TW105129196
申请日：2016-09-09
申请人：三菱瓦斯化學股份有限公司 , MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC.
发明人：青山公洋 , AOYAMA, KIMIHIRO , 田島恒夫 , TAJIMA, NOBUO
IPC分类号： C11D11/00 , C11D7/06 , C11D7/10 , C11D7/36 , H01L21/033
CPC分类号： H01L21/76814 , B08B3/12 , C11D3/0073 , C11D3/044 , C11D3/046 , C11D3/364 , C11D3/3942 , C11D3/3947 , C11D7/06 , C11D7/10 , C11D7/36 , C11D11/0047 , G03F7/423 , G03F7/425 , H01L21/02057 , H01L21/02063 , H01L23/5226 , H01L23/53238
摘要：目的為提供於半導體元件製造中，抑制銅或銅合金、或鈷或鈷合金之損傷且同時將氮化鈦硬遮罩予以去除之洗淨用液體組成物、使用該洗淨用液體組成物之洗淨方法、及半導體元件之製造方法。本發明之於半導體元件之製造中所使用之洗淨用液體組成物含有過氧化氫1~30質量%、氫氧化鉀0.01~1質量%、胺基聚亞甲基膦酸0.0001~0.01質量%、鋅鹽0.0001~0.1質量%及水。
简体摘要：目的为提供于半导体组件制造中，抑制铜或铜合金、或钴或钴合金之损伤且同时将氮化钛硬遮罩予以去除之洗净用液体组成物、使用该洗净用液体组成物之洗净方法、及半导体组件之制造方法。本发明之于半导体组件之制造中所使用之洗净用液体组成物含有过氧化氢1~30质量%、氢氧化钾0.01~1质量%、胺基聚亚甲基膦酸0.0001~0.01质量%、锌盐0.0001~0.1质量%及水。

4. 发明专利

TWI522309B 過氧化氫水溶液之製造方法有权
简体标题：过氧化氢水溶液之制造方法
公开(公告)号：TWI522309B
公开(公告)日：2016-02-21
申请号：TW101130815
申请日：2012-08-24
申请人：三菱瓦斯化學股份有限公司 , MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC.
发明人：田島恒夫 , TAJIMA, NOBUO , 新井譽久 , ARAI, YOSHIHISA
IPC分类号： C01B15/013
CPC分类号： C01B15/0135 , C01B15/013

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