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1. 发明专利

TWI541899B 形成氧化物層的方法有权
简体标题：形成氧化物层的方法
公开(公告)号：TWI541899B
公开(公告)日：2016-07-11
申请号：TW101115227
申请日：2012-04-27
申请人：三星電子股份有限公司 , SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
发明人：鄭淑真 , CHUNG, SUK-JIN , 李鐘喆 , LEE, JONG-CHEOL , 金潤洙 , KIM, YOUN-SOO , 柳次英 , YOO, CHA-YOUNG , 姜相列 , KANG, SANG-YEOL
IPC分类号： H01L21/316
CPC分类号： H01L21/02178 , H01L21/02164 , H01L21/02181 , H01L21/02186 , H01L21/02189 , H01L21/022 , H01L21/0228 , H01L21/02304 , H01L21/02312 , H01L21/28282 , H01L27/10817 , H01L27/10852 , H01L27/1157 , H01L27/11582 , H01L28/91 , H01L29/66795 , H01L29/7926

2. 发明专利

TW554064B 使用化學氣相沉積並改變方法條件以形成釕膜之方法及其形成之釕膜有权
简体标题：使用化学气相沉积并改变方法条件以形成钌膜之方法及其形成之钌膜
公开(公告)号：TW554064B
公开(公告)日：2003-09-21
申请号：TW089126477
申请日：2000-12-12
申请人：三星電子股份有限公司
发明人：元皙俊 , 柳次英
IPC分类号： C23C
CPC分类号： C23C16/0281 , C23C16/18 , C23C16/45523 , C23C16/45557 , H01L28/55 , H01L28/60 , H01L28/65
摘要：本發明係關於使用化學氣相沉積方法以形成具有良好特性之釕膜之方法及提供釕膜之結構。該釕膜係隨同改變方法條件以至少兩個步驟予以形成。在起始步驟中，將釕經由在致使釕的成核速率較其生長速率為快速之條件下實施沉積予以稠密沉積而在稍後步驟中，將釕經由在致使釕的生長速率較其成核速率為快速之條件下實施沉積在所有方向予以均勻沉積，藉以獲得稠密且具有良好表面形態學之釕膜。根據此方法所獲得之釕膜具有良好階段覆蓋率及良好電特性以便可將它有效使用作為具有三因次形狀之電容器的電極。
简体摘要：本发明系关于使用化学气相沉积方法以形成具有良好特性之钌膜之方法及提供钌膜之结构。该钌膜系随同改变方法条件以至少两个步骤予以形成。在起始步骤中，将钌经由在致使钌的成核速率较其生长速率为快速之条件下实施沉积予以稠密沉积而在稍后步骤中，将钌经由在致使钌的生长速率较其成核速率为快速之条件下实施沉积在所有方向予以均匀沉积，借以获得稠密且具有良好表面形态学之钌膜。根据此方法所获得之钌膜具有良好阶段覆盖率及良好电特性以便可将它有效使用作为具有三因次形状之电容器的电极。

3. 发明专利

TW201248727A 形成氧化物層的方法 METHOD OF FORMING AN OXIDE LAYER 审中-公开
简体标题：形成氧化物层的方法 METHOD OF FORMING AN OXIDE LAYER
公开(公告)号：TW201248727A
公开(公告)日：2012-12-01
申请号：TW101115227
申请日：2012-04-27
申请人：三星電子股份有限公司
发明人：鄭淑真 , 李鐘喆 , 金潤洙 , 柳次英 , 姜相列
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/02178 , H01L21/02164 , H01L21/02181 , H01L21/02186 , H01L21/02189 , H01L21/022 , H01L21/0228 , H01L21/02304 , H01L21/02312 , H01L21/28282 , H01L27/10817 , H01L27/10852 , H01L27/1157 , H01L27/11582 , H01L28/91 , H01L29/66795 , H01L29/7926
摘要：一種形成氧化物層的方法。此方法包括:在基底的表面上形成一層反應抑制官能基;在此反應抑制官能基層上形成一層金屬或半導體前驅物;以及使此金屬或半導體前驅物發生氧化,以得到一層金屬氧化物或半導體氧化物。依照此方法,可形成厚度均勻性較高的氧化物層,且可製造出電特性卓越的半導體元件。
简体摘要：一种形成氧化物层的方法。此方法包括:在基底的表面上形成一层反应抑制官能基;在此反应抑制官能基层上形成一层金属或半导体前驱物;以及使此金属或半导体前驱物发生氧化,以得到一层金属氧化物或半导体氧化物。依照此方法,可形成厚度均匀性较高的氧化物层,且可制造出电特性卓越的半导体组件。

4. 发明专利

TW308712B 高積體半導體裝置之電容器之製造方法失效
简体标题：高积体半导体设备之电容器之制造方法
公开(公告)号：TW308712B
公开(公告)日：1997-06-21
申请号：TW085101127
申请日：1996-01-30
申请人：三星電子股份有限公司
发明人：朴泳旭 , 金景勳 , 柳次英
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/10852 , Y10S438/964
摘要：提供一種高積體半導體裝置之電容器之製法。高積體半導體裝置中，形成於儲存電極頂面及側面具有多個半球形晶粒(HSG)之HSG聚矽層圖樣。如此可防止HSG聚矽層圖樣之蝕刻及損壞及可經由擴大儲存電極之表面積而增加電容。
简体摘要：提供一种高积体半导体设备之电容器之制法。高积体半导体设备中，形成于存储电极顶面及侧面具有多个半球形晶粒(HSG)之HSG聚硅层图样。如此可防止HSG聚硅层图样之蚀刻及损坏及可经由扩大存储电极之表面积而增加电容。

5. 发明专利

TW515027B 用以形成薄膜之裝置及使用該裝置以於半導體基板上形成電容器之方法有权
简体标题：用以形成薄膜之设备及使用该设备以于半导体基板上形成电容器之方法
公开(公告)号：TW515027B
公开(公告)日：2002-12-21
申请号：TW089118593
申请日：2000-09-11
申请人：三星電子股份有限公司
发明人：姜昌錫 , 黃斗燮 , 柳次英 , 朴泳旭 , 朴洪培
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L28/60 , H01L21/321 , H01L28/55
摘要：本發明提供在基板上氧基退火或電漿退火微電子電容器之各層(例如，下電極、介電層或上電極)之方法及裝置。藉氧基或電漿退火電容器之下電極，電容器之漏電流特性可改良，使漏電流例如藉因數為100或以上而減少。下電極上之雜質量亦會減少。氧基或電漿退火電容器之介電層可改良電容器之漏電流特性並可減少介電層內雜質量。藉臭氧退火上電極，電容器之漏電流特性可改良，形成於介電層內之氧空位數目會減少。在基板上形成薄膜之裝置具有沉積介電層在基材上之多功能室及接至多功能室之氧基或電裝退火單元。氧基或電漿退火單元提供氧基或電漿氣體至多功能室以在多功能室內基板上氧基或電漿退火電極及/或介電層。本發明亦提供使用該裝置之方法。
简体摘要：本发明提供在基板上氧基退火或等离子退火微电子电容器之各层(例如，下电极、介电层或上电极)之方法及设备。藉氧基或等离子退火电容器之下电极，电容器之漏电流特性可改良，使漏电流例如藉因子为100或以上而减少。下电极上之杂质量亦会减少。氧基或等离子退火电容器之介电层可改良电容器之漏电流特性并可减少介电层内杂质量。藉臭氧退火上电极，电容器之漏电流特性可改良，形成于介电层内之氧空位数目会减少。在基板上形成薄膜之设备具有沉积介电层在基材上之多功能室及接至多功能室之氧基或电装退火单元。氧基或等离子退火单元提供氧基或等离子气体至多功能室以在多功能室内基板上氧基或等离子退火电极及/或介电层。本发明亦提供使用该设备之方法。

6. 发明专利

TW345678B 半導體裝置之製造裝置以及使用該製造裝置來製造多晶矽薄膜的方法失效
简体标题：半导体设备之制造设备以及使用该制造设备来制造多晶硅薄膜的方法
公开(公告)号：TW345678B
公开(公告)日：1998-11-21
申请号：TW086107830
申请日：1997-06-06
申请人：三星電子股份有限公司
发明人：朴泳旭 , 金榮善 , 南昇熙 , 柳次英
IPC分类号： H01L
CPC分类号： C23C16/54 , C23C16/24 , C23C16/4401
摘要：本發明係關於一種製造半導體元件的裝置，它具有冷卻汽套以防止氣體從反應容室散出並且將污染物粒子的產量最小化。依據本發明的元件製造裝置包含有一組反應容室，該反應容室具有分別地裝載在鄰接於晶圓傳送容室的第一側壁、相對於第一側壁的第二側壁、一組上壁以及一組底壁上面的第一至第四冷卻汽套。一組閘閥被裝載在反應容室以及具有第五冷卻汽套的晶圓傳送容室之間。使用上述製造半導體元件的裝置以製造多晶矽薄膜的一種方法也被揭示。依據該方法，卡式容室的壓力被控制為小於0.05mtorr或者利用控制泵降時間而相等地控制一組冷卻容室以及晶圓傳送容室的壓力為小於1.0μtorr。
简体摘要：本发明系关于一种制造半导体组件的设备，它具有冷却汽套以防止气体从反应容室散出并且将污染物粒子的产量最小化。依据本发明的组件制造设备包含有一组反应容室，该反应容室具有分别地装载在邻接于晶圆发送容室的第一侧壁、相对于第一侧壁的第二侧壁、一组上壁以及一组底壁上面的第一至第四冷却汽套。一组闸阀被装载在反应容室以及具有第五冷却汽套的晶圆发送容室之间。使用上述制造半导体组件的设备以制造多晶硅薄膜的一种方法也被揭示。依据该方法，卡式容室的压力被控制为小于0.05mtorr或者利用控制泵降时间而相等地控制一组冷却容室以及晶圆发送容室的压力为小于1.0μtorr。

7. 发明专利

TW495923B 以兩個階段熱處理來製造半導體記憶體裝置之電容器的方法失效
简体标题：以两个阶段热处理来制造半导体内存设备之电容器的方法
公开(公告)号：TW495923B
公开(公告)日：2002-07-21
申请号：TW090114969
申请日：2001-06-20
申请人：三星電子股份有限公司
发明人：元皙俊 , 李倫禎 , 朴順英 , 柳次英 , 黃斗燮 , 鄭恩愛 , 金完敦
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L28/55 , H01L28/65
摘要：本發明有關一種以兩個階段熱處理的方式製造半導體記憶體裝置之電容器的方法。一下電極形成於一半導體基板之上。一介電層形成於該下電極之上。一由貴金屬所形成之上電極形成於該介電層之上。具有該上電極的合成結構(resultant)於一第一大氣經歷一第一熱處理，該第一大氣包括選在攝氏200-600度範圍內之第一溫度的氧氣，該所選的溫度低於該上電極的氧化溫度。該第一熱處理的合成結果於一第二溫度下的第二無氧大氣中經歷第二熱處理，該溫度選在攝氏300-900度的範圍內，高於該第一溫度。
简体摘要：本发明有关一种以两个阶段热处理的方式制造半导体内存设备之电容器的方法。一下电极形成于一半导体基板之上。一介电层形成于该下电极之上。一由贵金属所形成之上电极形成于该介电层之上。具有该上电极的合成结构(resultant)于一第一大气经历一第一热处理，该第一大气包括选在摄氏200-600度范围内之第一温度的氧气，该所选的温度低于该上电极的氧化温度。该第一热处理的合成结果于一第二温度下的第二无氧大气中经历第二热处理，该温度选在摄氏300-900度的范围内，高于该第一温度。

8. 发明专利

TW389980B 利用預烘形成半導體裝置之電容器的方法失效
简体标题：利用预烘形成半导体设备之电容器的方法
公开(公告)号：TW389980B
公开(公告)日：2000-05-11
申请号：TW087106358
申请日：1998-04-24
申请人：三星電子股份有限公司
发明人：朴洪培 , 柳次英
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L28/55
摘要：一種用以形成半導體元件中電容器的方法。下電極係在介電層被形成在此下電極之前先經過預烘的步驟，如此濕氣或是汙染物可以從下電極上除去，增加下電極和鍍在下電極上介電層的黏著度。因此可以避免介電層因不良的鍍膜性質所引起的掀起(lifted)或是裂痕。
简体摘要：一种用以形成半导体组件中电容器的方法。下电极系在介电层被形成在此下电极之前先经过预烘的步骤，如此湿气或是污染物可以从下电极上除去，增加下电极和镀在下电极上介电层的黏着度。因此可以避免介电层因不良的镀膜性质所引起的掀起(lifted)或是裂痕。

9. 发明专利

TW315510B 供用於半導體記憶裝置之電容器及其製造方法失效
简体标题：供用于半导体记忆设备之电容器及其制造方法
公开(公告)号：TW315510B
公开(公告)日：1997-09-11
申请号：TW085115850
申请日：1996-12-21
申请人：三星電子股份有限公司
发明人：朴泳旭 , 吳寬泳 , 沈世鎮 , 金榮善 , 南昇熙 , 柳次英
IPC分类号： H01L
摘要：一種半導體記憶裝置之電容器及其製造方法係被提供。本發明之電容器的一低電極具有一結構，在其中，一第一導電層和一第二導電層係連續地被沉積且一HSG 係被選擇地形成於其之表面上。該第一導電層係由具有一低濃度之雜質之一非晶質或者一多晶矽薄膜構成。該第二導電層係由具有一高濃度之雜質之一非晶質矽薄膜構成。根據本發明，在具有一HSG 矽層之電容器之低電極中獲得一希望的Cmin/Cmax 比率及防止雜質從該電容器之低電極的擴散係有可能的。
简体摘要：一种半导体记忆设备之电容器及其制造方法系被提供。本发明之电容器的一低电极具有一结构，在其中，一第一导电层和一第二导电层系连续地被沉积且一HSG 系被选择地形成于其之表面上。该第一导电层系由具有一低浓度之杂质之一非晶质或者一多晶硅薄膜构成。该第二导电层系由具有一高浓度之杂质之一非晶质硅薄膜构成。根据本发明，在具有一HSG 硅层之电容器之低电极中获得一希望的Cmin/Cmax 比率及防止杂质从该电容器之低电极的扩散系有可能的。

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