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1. 发明专利

TWI557562B 積體電路記憶體裝置有权
简体标题：集成电路内存设备
公开(公告)号：TWI557562B
公开(公告)日：2016-11-11
申请号：TW101118566
申请日：2012-05-24
申请人：三星電子股份有限公司 , SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
发明人：辛忠善 , SHIN, CHOONG-SUN , 崔周善 , CHOI, JOO-SUN
IPC分类号： G06F12/08 , G11C11/4093 , G11C7/10
CPC分类号： G11C5/04 , G11C5/025 , G11C7/10 , G11C8/12 , G11C11/408 , G11C11/4093 , G11C11/4097

2. 发明专利

TWI426386B 具有低功率消耗之記憶體系統失效
简体标题：具有低功率消耗之内存系统
公开(公告)号：TWI426386B
公开(公告)日：2014-02-11
申请号：TW097100430
申请日：2008-01-04
申请人：三星電子股份有限公司 , SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
发明人：鄭會柱 , CHUNG, HOE-JU , 李禎培 , LEE, JUNG-BAE , 崔周善 , CHOI, JOO-SUN
IPC分类号： G06F12/08
CPC分类号： Y02D10/13

3. 发明专利

TWI533318B 半導體封裝有权
简体标题：半导体封装
公开(公告)号：TWI533318B
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：TW100131744
申请日：2011-09-02
申请人：三星電子股份有限公司 , SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
发明人：姜郁成 , KANG, UK-SONG , 全永鉉 , JUN, YOUNG-HYUN , 崔周善 , CHOI, JOO-SUN
IPC分类号： G11C5/06 , H01L23/055
CPC分类号： H01L25/18 , G11C5/02 , G11C7/10 , H01L2224/48091 , H01L2225/06544 , H01L2924/00014

4. 发明专利

TWI437435B 資料平行接收器有权
简体标题：数据平行接收器
公开(公告)号：TWI437435B
公开(公告)日：2014-05-11
申请号：TW097129063
申请日：2008-07-31
申请人：三星電子股份有限公司 , SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
发明人：鄭會柱 , CHUNG, HOE-JU , 崔周善 , CHOI, JOO-SUN , 肯S 林 , LIM, KEN S.
IPC分类号： G06F13/14 , G06F11/08
CPC分类号： H03M13/091 , H03M13/6575

5. 发明专利

TW201333949A 半導體記憶體裝置、記憶體模組以及與其通訊的記憶體控制器审中-公开
简体标题：半导体内存设备、内存模块以及与其通信的内存控制器
公开(公告)号：TW201333949A
公开(公告)日：2013-08-16
申请号：TW101149863
申请日：2012-12-25
申请人：三星電子股份有限公司 , SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
发明人：柳鶴洙 , YU, HAK-SOO , 崔周善 , CHOI, JOO-SUN , 黃泓善 , HWANG, HONG-SUN
IPC分类号： G11C11/401 , G11C11/4076 , G11C11/4093 , G11C11/4096
CPC分类号： G11C11/4063 , G11C11/406 , G11C14/00 , G11C14/0018 , G11C16/06 , G11C29/783 , G11C2211/4061
摘要：一種半導體記憶體裝置包含晶胞陣列，所述晶胞陣列包含藉由第一位址所存取的多個區域，其中所述多個區域包含分別具有不同記憶體特性的區域的至少兩個群組。所述裝置更包含非揮發性陣列，所述非揮發性陣列用於指示所述多個區域中的每一者屬於所述至少兩個群組中的哪一者的群組資訊的非揮發性儲存。
简体摘要：一种半导体内存设备包含晶胞数组，所述晶胞数组包含借由第一位址所存取的多个区域，其中所述多个区域包含分别具有不同内存特性的区域的至少两个群组。所述设备更包含非挥发性数组，所述非挥发性数组用于指示所述多个区域中的每一者属于所述至少两个群组中的哪一者的群组信息的非挥发性存储。

6. 发明专利

TWI399756B 記憶體模組及具有該模組之記憶體系統失效
简体标题：内存模块及具有该模块之内存系统
公开(公告)号：TWI399756B
公开(公告)日：2013-06-21
申请号：TW095114229
申请日：2006-04-21
申请人：三星電子股份有限公司 , SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
发明人：崔周善 , CHOI, JOO-SUN
IPC分类号： G11C8/00
CPC分类号： G11C5/04 , G11C5/02 , G11C7/1051 , G11C7/22 , G11C2207/107

7. 发明专利

TW201248406A 積體電路記憶體裝置 INTEGRATED CIRCUIT MEMORY DEVICE 审中-公开
简体标题：集成电路内存设备 INTEGRATED CIRCUIT MEMORY DEVICE
公开(公告)号：TW201248406A
公开(公告)日：2012-12-01
申请号：TW101118566
申请日：2012-05-24
申请人：三星電子股份有限公司
发明人：辛忠善 , 崔周善
IPC分类号： G06F , G11C
CPC分类号： G11C5/04 , G11C5/025 , G11C7/10 , G11C8/12 , G11C11/408 , G11C11/4093 , G11C11/4097
摘要：一種半導體記憶體裝置包含:形成於一個晶片上的多個記憶體區域,記憶體區域中之每一者具有以2^K個位元之密度或容量形成的多個揮發性記憶胞,其中K為大於或等於0之整數,且記憶體區域中之每一者具有用於輸入及輸出揮發性記憶胞之資料的多個輸入/輸出(I/O)端子;以及至少一周邊區域,所述至少一周邊區域基於自外部輸入的命令及位址控制用於將資料寫入至記憶體區域中之寫入操作及用於自記憶體區域讀取資料之讀取操作。因此,記憶體區域之總密度或整體密度對應於非標準(或“過渡性")密度,使得半導體記憶體裝置可具有過渡性密度。
简体摘要：一种半导体内存设备包含:形成于一个芯片上的多个内存区域,内存区域中之每一者具有以2^K个比特之密度或容量形成的多个挥发性记忆胞,其中K为大于或等于0之整数,且内存区域中之每一者具有用于输入及输出挥发性记忆胞之数据的多个输入/输出(I/O)端子;以及至少一周边区域,所述至少一周边区域基于自外部输入的命令及位址控制用于将数据写入至内存区域中之写入操作及用于自内存区域读取数据之读取操作。因此,内存区域之总密度或整体密度对应于非标准(或“过渡性")密度,使得半导体内存设备可具有过渡性密度。

8. 发明专利

TW201225079A 執行ＤＲＡＭ更新操作的記憶體電路、系統與模組以及其操作方法 MEMORY CIRCUITS, SYSTEMS, AND MODULES FOR PERFORMING DRAM REFRESH OPERATIONS AND METHODS OF OPERATING THE SAME 审中-公开
简体标题：运行ＤＲＡＭ更新操作的内存电路、系统与模块以及其操作方法 MEMORY CIRCUITS, SYSTEMS, AND MODULES FOR PERFORMING DRAM REFRESH OPERATIONS AND METHODS OF OPERATING THE SAME
公开(公告)号：TW201225079A
公开(公告)日：2012-06-16
申请号：TW100137691
申请日：2011-10-18
申请人：三星電子股份有限公司
发明人：朴哲佑 , 全永鉉 , 崔周善 , 黃泓善
IPC分类号： G11C
CPC分类号： G11C29/808 , G06F2213/0038 , G11C11/40618 , G11C11/40622 , G11C11/40626 , G11C2211/4062
摘要：一種記憶體模組可包含多個動態記憶體裝置,各自可包含其中具有各別區域之動態記憶胞陣列,其中此多個動態記憶體裝置可經組態以回應於命令操作此等各別區域。DRAM管理單元可在此模組上且耦接至此多個動態記憶體裝置,且可包含記憶體裝置操作參數儲存電路,此記憶體裝置操作參數儲存電路經組態以儲存影響回應於此命令之此等各別區域之操作的用於此等各別區域之記憶體裝置操作參數。
简体摘要：一种内存模块可包含多个动态内存设备,各自可包含其中具有各别区域之动态记忆胞数组,其中此多个动态内存设备可经组态以回应于命令操作此等各别区域。DRAM管理单元可在此模块上且耦接至此多个动态内存设备,且可包含内存设备操作参数存储电路,此内存设备操作参数存储电路经组态以存储影响回应于此命令之此等各别区域之操作的用于此等各别区域之内存设备操作参数。

9. 发明专利

TW201225101A 半導體封裝及更新半導體封裝中的記憶體晶片堆疊之方法 SEMICONDUCTOR PACKAGE AND METHOD OF REFRESHING A STACK OF MEMORY CHIPS IN THE SEMICONDUCTOR PACKAGE 审中-公开
简体标题：半导体封装及更新半导体封装中的内存芯片堆栈之方法 SEMICONDUCTOR PACKAGE AND METHOD OF REFRESHING A STACK OF MEMORY CHIPS IN THE SEMICONDUCTOR PACKAGE
公开(公告)号：TW201225101A
公开(公告)日：2012-06-16
申请号：TW100131744
申请日：2011-09-02
申请人：三星電子股份有限公司
发明人：姜郁成 , 全永鉉 , 崔周善
IPC分类号： G11C , H01L
CPC分类号： H01L25/18 , G11C5/02 , G11C7/10 , H01L2224/48091 , H01L2225/06544 , H01L2924/00014
摘要：揭露一種半導體封裝。所述半導體封裝包含封裝介面、半導體晶片堆疊、多個基板通孔堆疊以及介面電路。所述封裝介面至少包含第一對端子。每一基板通孔堆疊包含所述半導體晶片中之各別者的多個基板通孔,每一基板通孔電連接至緊鄰的半導體晶片之基板通孔。所述介面電路包含連接至所述第一對端子以接收提供第一資訊之差分信號的輸入端,且包含按單端信號格式將包含所述第一資訊之輸出信號提供至所述多個基板通孔堆疊中之至少一者的輸出端。
简体摘要：揭露一种半导体封装。所述半导体封装包含封装界面、半导体芯片堆栈、多个基板通孔堆栈以及界面电路。所述封装界面至少包含第一对端子。每一基板通孔堆栈包含所述半导体芯片中之各别者的多个基板通孔,每一基板通孔电连接至紧邻的半导体芯片之基板通孔。所述界面电路包含连接至所述第一对端子以接收提供第一信息之差分信号的输入端,且包含按单端信号格式将包含所述第一信息之输出信号提供至所述多个基板通孔堆栈中之至少一者的输出端。

10. 发明专利

TW201250705A 記憶體晶片 MEMORY CHIP 审中-公开
简体标题：内存芯片 MEMORY CHIP
公开(公告)号：TW201250705A
公开(公告)日：2012-12-16
申请号：TW101118633
申请日：2012-05-25
申请人：三星電子股份有限公司
发明人：朴哲成 , 崔周善
IPC分类号： G11C
CPC分类号： G06F3/061 , G06F3/0659 , G06F3/0688 , G11C7/10 , G11C8/10 , G11C11/56 , G11C11/5607 , G11C11/5621 , G11C11/565 , G11C11/5678 , G11C11/5685 , G11C2211/5641 , G11C2213/71
摘要：記憶體晶片、記憶體系統、以及存取記憶體晶片的方法。記憶體晶片包括儲存單元以及控制單元,儲存單元包括具有任意容量之儲存區,任意容量大於具有2n的第一標準容量的以及小於第二標準容量,第二標準容量大於第一標準容量的兩倍。控制單元用來控制資料到儲存單元的寫入操作以及資料從儲存單元的讀取操作,以及控制單元與儲存單元構成為晶片。
简体摘要：内存芯片、内存系统、以及存取内存芯片的方法。内存芯片包括存储单元以及控制单元,存储单元包括具有任意容量之存储区,任意容量大于具有2n的第一标准容量的以及小于第二标准容量,第二标准容量大于第一标准容量的两倍。控制单元用来控制数据到存储单元的写入操作以及数据从存储单元的读取操作,以及控制单元与存储单元构成为芯片。

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