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    • 9. 发明专利
    • 封裝基板及其製作方法
    • 封装基板及其制作方法
    • TW201818526A
    • 2018-05-16
    • TW105136014
    • 2016-11-04
    • 英屬開曼群島商鳳凰先驅股份有限公司PHOENIX & CORPORATION
    • 胡竹青HU, CHU CHIN許詩濱HSU, SHIH PING
    • H01L23/528H01L23/538H01L21/60
    • 本發明揭示一種封裝基板及其製作方法。該封裝基板包括:一介電材料主體;一第一電路元件,設置於該介電材料主體內,並具有位於該第一電路元件上側面的一第一連接端及一第二連接端;一第二電路元件,設置於該介電材料主體內,並具有位於該第二電路元件上側面的一第三連接端;一第一導電柱,形成於該介電材料主體內並連接至該第一連接端;一第一打線接合導線,連接該第二連接端及該第三連接端;以及一重佈線層,形成於該介電材料主體上,並包含一第一重佈線導線,其連接至該第一導電柱;其中,該第一連接端及該第二連接端位於該介電材料主體內的一第一深度,該第三連接端位於該介電材料主體內的一第二深度,且該第一深度不同於該第二深度。
    • 本发明揭示一种封装基板及其制作方法。该封装基板包括:一介电材料主体;一第一电路组件,设置于该介电材料主体内,并具有位于该第一电路组件上侧面的一第一连接端及一第二连接端;一第二电路组件,设置于该介电材料主体内,并具有位于该第二电路组件上侧面的一第三连接端;一第一导电柱,形成于该介电材料主体内并连接至该第一连接端;一第一打线接合导线,连接该第二连接端及该第三连接端;以及一重布线层,形成于该介电材料主体上,并包含一第一重布线导线,其连接至该第一导电柱;其中,该第一连接端及该第二连接端位于该介电材料主体内的一第一深度,该第三连接端位于该介电材料主体内的一第二深度,且该第一深度不同于该第二深度。