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1. 发明专利

TW201528490A 三維晶片上系統影像感測器封裝體审中-公开
简体标题：三维芯片上系统影像传感器封装体
公开(公告)号：TW201528490A
公开(公告)日：2015-07-16
申请号：TW103142155
申请日：2014-12-04
申请人：歐普提茲股份有限公司 , OPTIZ, INC.
发明人：歐根賽安維吉 , OGANESIAN, VAGE , 盧振華 , LU, ZHENHUA
IPC分类号： H01L27/146 , H04N5/369
CPC分类号： H04N5/378 , G02B13/0015 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H04N5/2254 , H04N5/374 , H04N5/3745 , H04N5/37455 , H01L2924/00014
摘要：一種影像感測器，其包含第一基板及多個光偵測器總成，該等多個光偵測器總成設置在該第一基板上或中。該等光偵測器總成中每一個包含：光偵測器，其形成於第二基板上或中，且經組配來回應於所接收光而產生類比信號；轉換器，其形成於第三基板上或中，其中該轉換器電氣耦合至該光偵測器，且包括用於將該類比信號轉換成數位信號的電路；處理器，其形成於第四基板上或中，其中該處理器電氣耦合至該轉換器，且包括用於處理該數位信號的電路。
简体摘要：一种影像传感器，其包含第一基板及多个光侦测器总成，该等多个光侦测器总成设置在该第一基板上或中。该等光侦测器总成中每一个包含：光侦测器，其形成于第二基板上或中，且经组配来回应于所接收光而产生模拟信号；转换器，其形成于第三基板上或中，其中该转换器电气耦合至该光侦测器，且包括用于将该模拟信号转换成数码信号的电路；处理器，其形成于第四基板上或中，其中该处理器电气耦合至该转换器，且包括用于处理该数码信号的电路。

2. 发明专利

TW201515461A 整合式相機模組及其製造方法审中-公开
简体标题：集成式相机模块及其制造方法
公开(公告)号：TW201515461A
公开(公告)日：2015-04-16
申请号：TW103129189
申请日：2014-08-25
申请人：歐普提茲股份有限公司 , OPTIZ, INC.
发明人：歐根賽安維吉 , OGANESIAN, VAGE , 盧振華 , LU, ZHENHUA
IPC分类号： H04N5/225 , H01L27/146
CPC分类号： H01L25/167 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01L2924/18165 , H04N5/2256 , H04N5/2257 , H04N5/2258 , H04N5/23232 , H04N5/2355 , H04N13/239 , H04N13/254 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
摘要：一種相機模組及其製造方法，其係包括：一導電矽基板具有頂面及底面、一感測器裝置、以及一LED裝置。該基板包含一第一空腔形成於該基板之該底面內且有一上表面，一開孔由該第一空腔上表面延伸至該基板之該頂面，以及一第二空腔形成於該基板之該頂面內以及有一下表面。該感測器裝置包含至少一光偵測計至少部份設置於該第一空腔中而且安裝至該第一空腔上表面。該LED裝置包含至少一發光二極體至少部份設置於該第二空腔中而且安裝至該第二空腔下表面。
简体摘要：一种相机模块及其制造方法，其系包括：一导电硅基板具有顶面及底面、一传感器设备、以及一LED设备。该基板包含一第一空腔形成于该基板之该底面内且有一上表面，一开孔由该第一空腔上表面延伸至该基板之该顶面，以及一第二空腔形成于该基板之该顶面内以及有一下表面。该传感器设备包含至少一光侦测计至少部份设置于该第一空腔中而且安装至该第一空腔上表面。该LED设备包含至少一发光二极管至少部份设置于该第二空腔中而且安装至该第二空腔下表面。

3. 发明专利

TWI475680B 低輪廓影像感測器封裝體及方法有权
简体标题：低轮廓影像传感器封装体及方法
公开(公告)号：TWI475680B
公开(公告)日：2015-03-01
申请号：TW102121522
申请日：2013-06-18
申请人：歐普提茲股份有限公司 , OPTIZ, INC.
发明人：歐根賽安維吉 , OGANESIAN, VAGE
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14687 , H01L27/14618 , H01L27/14627 , H01L27/1464 , H01L27/14683 , H01L27/14685 , H01L2224/16 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014

4. 发明专利

TW201436187A 低輪廓感測器模組及其製造方法审中-公开
简体标题：低轮廓传感器模块及其制造方法
公开(公告)号：TW201436187A
公开(公告)日：2014-09-16
申请号：TW103108371
申请日：2014-03-11
申请人：歐普提茲股份有限公司 , OPTIZ, INC.
发明人：歐根賽安維吉 , OGANESIAN, VAGE , 盧振華 , LU, ZHENHUA
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14625 , H01L27/14618 , H01L27/14685 , H01L2224/10
摘要：一種主基材總成包括：一第一基材，其具有相對第一與第二表面；一孔，係延伸穿過該第一基材；多數電路層；及多數第一接觸墊，係電氣地耦合該等電路層。一感測器晶片包括：一第二基材，其具有相對第一與第二表面；多數光偵測器，係形成在該第二基材上或中且組配成可接受入射在該第二基材第一表面上之光；及多數第二接觸墊，係形成在該第二基材第一或第二表面且與該等光偵測器電氣地耦合。一分隔件係安裝在該第二基材第一表面上。一保護基材係安裝在該分隔件上且設置在該等光偵測器上方。多數導電導管各延伸穿過該分隔件且與其中一第二接觸墊電氣接觸。多數電氣連接器電氣地連接該等第一接觸墊及該等導管。
简体摘要：一种主基材总成包括：一第一基材，其具有相对第一与第二表面；一孔，系延伸穿过该第一基材；多数电路层；及多数第一接触垫，系电气地耦合该等电路层。一传感器芯片包括：一第二基材，其具有相对第一与第二表面；多数光侦测器，系形成在该第二基材上或中且组配成可接受入射在该第二基材第一表面上之光；及多数第二接触垫，系形成在该第二基材第一或第二表面且与该等光侦测器电气地耦合。一分隔件系安装在该第二基材第一表面上。一保护基材系安装在该分隔件上且设置在该等光侦测器上方。多数导电导管各延伸穿过该分隔件且与其中一第二接触垫电气接触。多数电气连接器电气地连接该等第一接触垫及该等导管。

5. 发明专利

TW201330207A 用於ＣＭＯＳ影像感測器之導線接合插入件封裝體及其製造方法审中-公开
简体标题：用于ＣＭＯＳ影像传感器之导线接合插入件封装体及其制造方法
公开(公告)号：TW201330207A
公开(公告)日：2013-07-16
申请号：TW101142824
申请日：2012-11-16
申请人：歐普提茲股份有限公司 , OPTIZ, INC.
发明人：歐根賽安維吉 , OGANESIAN, VAGE
IPC分类号： H01L23/49 , H01L21/60 , H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14618 , H01L27/14683 , H01L2224/48471 , H01L2224/73265 , H01L2224/92247 , H01L2224/97 , H01L2924/15153 , H01L2924/15311 , H01L2224/83 , H01L2224/85
摘要：一種影像感測器封裝體其包含一執持件總成具有一晶體執持件而有一空穴形成於其第一表面中。該空穴具有一階狀側壁其會界定至少一凸階表面向內伸入該空穴內。多數個導電元件各由該等凸階表面延伸，穿過該晶體執持件，而至其第二表面。一感測器晶片係設在該空穴中，並包含一基材，多數個光檢測器形成於其前表面，及多數個接觸墊形成於其前表面而電耦接於該等光檢測器。多數條導線各延伸並電連接於一個該接觸墊與一個該導電元件之間。一基材係設在該空穴上方且安裝於該晶體執持件。該基材對至少一範圍的光波長係可透光的。
简体摘要：一种影像传感器封装体其包含一执持件总成具有一晶体执持件而有一空穴形成于其第一表面中。该空穴具有一阶状侧壁其会界定至少一凸阶表面向内伸入该空穴内。多数个导电组件各由该等凸阶表面延伸，穿过该晶体执持件，而至其第二表面。一传感器芯片系设在该空穴中，并包含一基材，多数个光检测器形成于其前表面，及多数个接触垫形成于其前表面而电耦接于该等光检测器。多数条导线各延伸并电连接于一个该接触垫与一个该导电组件之间。一基材系设在该空穴上方且安装于该晶体执持件。该基材对至少一范围的光波长系可透光的。

6. 发明专利

TW201322435A 用於ＣＭＯＳ影像感測器之插入件封裝體及製造其之方法审中-公开
简体标题：用于ＣＭＯＳ影像传感器之插入件封装体及制造其之方法
公开(公告)号：TW201322435A
公开(公告)日：2013-06-01
申请号：TW101124410
申请日：2012-07-06
申请人：歐普提茲股份有限公司 , OPTIZ, INC.
发明人：歐根賽安維吉 , OGANESIAN, VAGE
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L31/18 , H01L27/14618 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：一種影像感測器封裝體及製造方法，其包括一結晶處理器具有傳導元件延伸通過，一影像感測器晶片其係配置位在該處理器之一腔室中，以及一透光基板係配置覆蓋該腔室並黏合至該處理器與影像感測器晶片。該透光基板包括傳導跡線將該感測器晶片接點墊電連接至該等處理器傳導元件，因此晶片外信號傳遞係藉由該等基板傳導跡線與該處理器傳導元件提供。
简体摘要：一种影像传感器封装体及制造方法，其包括一结晶处理器具有传导组件延伸通过，一影像传感器芯片其系配置位在该处理器之一腔室中，以及一透光基板系配置覆盖该腔室并黏合至该处理器与影像传感器芯片。该透光基板包括传导迹线将该传感器芯片接点垫电连接至该等处理器传导组件，因此芯片外信号传递系借由该等基板传导迹线与该处理器传导组件提供。

7. 发明专利

TWI628784B 應力釋放影像感測器封裝結構及方法有权
简体标题：应力释放影像传感器封装结构及方法
公开(公告)号：TWI628784B
公开(公告)日：2018-07-01
申请号：TW105104944
申请日：2016-02-19
申请人：歐普提茲股份有限公司 , OPTIZ, INC.
发明人：歐根賽安維吉 , OGANESIAN, VAGE , 盧振華 , LU, ZHENHUA
IPC分类号： H01L27/146

9. 发明专利

TW201605005A 使用矽之晶片級熱消散技術审中-公开
简体标题：使用硅之芯片级热消散技术
公开(公告)号：TW201605005A
公开(公告)日：2016-02-01
申请号：TW104109789
申请日：2015-03-26
申请人：歐普提茲股份有限公司 , OPTIZ, INC.
发明人：歐根賽安維吉 , OGANESIAN, VAGE
IPC分类号： H01L23/367 , H01L23/48
CPC分类号： H01L23/3675 , H01L21/4871 , H01L23/3672 , H01L23/3677 , H01L23/3738 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：一種半導體裝置，其包括一種半導體晶片，該半導體晶片具有帶有相對立的第一表面及第二表面之第一矽基板，形成在該第一表面處或該第一表面中的半導體裝置，形成在該第一表面處的多個第一接觸墊，該等第一接觸墊被電氣耦合到該半導體裝置，一層導熱材料在該第二表面上，以及多個第一通孔，該等第一通孔形成為部分通過該層導熱材料。
简体摘要：一种半导体设备，其包括一种半导体芯片，该半导体芯片具有带有相对立的第一表面及第二表面之第一硅基板，形成在该第一表面处或该第一表面中的半导体设备，形成在该第一表面处的多个第一接触垫，该等第一接触垫被电气耦合到该半导体设备，一层导热材料在该第二表面上，以及多个第一通孔，该等第一通孔形成为部分通过该层导热材料。

10. 发明专利

TWI479650B 改良式背側發光影像感測器架構及其製造方法有权
简体标题：改良式背侧发光影像传感器架构及其制造方法
公开(公告)号：TWI479650B
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：TW102103097
申请日：2013-01-28
申请人：歐普提茲股份有限公司 , OPTIZ, INC.
发明人：歐根賽安維吉 , OGANESIAN, VAGE
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H04N5/374 , H01L24/05 , H01L27/14605 , H01L27/14618 , H01L27/14625 , H01L27/14632 , H01L27/1464 , H01L27/14687 , H01L2224/04042 , H01L2224/48091 , H01L2224/48464 , H01L2924/12042 , H01L2924/00014 , H01L2924/00

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