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1. 发明专利

TWI276142B 以苯二亞胺衍生物摻雜有機半導體的方法 VERFAHREN ZUR DOTIERUNG VON ORGANISCHEN HALBLEITERN MIT CHINONDIIMINDERIVATEN 有权
简体标题：以苯二亚胺衍生物掺杂有机半导体的方法 VERFAHREN ZUR DOTIERUNG VON ORGANISCHEN HALBLEITERN MIT CHINONDIIMINDERIVATEN
公开(公告)号：TWI276142B
公开(公告)日：2007-03-11
申请号：TW093102560
申请日：2004-02-04
申请人：諾瓦發光二極體有限公司 NOVALED GMBH
发明人：奧拉夫.屈爾 OLAF KUEHL , 霍斯特.哈特曼 HORST HARTMANN , 奧拉夫.柴卡 OLAF ZEIKA , 馬丁.普法伊弗爾 MARTIN PFEIFFER , 友善.陳 YOUXUAN ZHENG
IPC分类号： H01L , H05B
CPC分类号： C09K11/06 , C09B69/102 , C09B69/105 , C09B69/109 , C09K2211/1007 , C09K2211/1011 , C09K2211/1092 , H01L51/001 , H01L51/002 , H01L51/0051 , H01L51/0052 , H01L51/0054 , H01L51/0059 , H01L51/0067 , H01L51/007 , H01L51/0071 , H01L51/0072 , H01L51/0074 , H01L51/0078 , H01L51/0079 , H01L51/008 , H01L51/0092 , H01L51/5052 , Y02B10/10 , Y02E10/549 , Y02P70/521
摘要：本發明係使用一種有機型鍵異構化合物作為摻雜有機半導電基體材料的有機摻雜物，以改變被摻雜的半導電基體材料的電學特性。為了使含有摻雜物的有機半導電材料在在製程中易於被操作/處理，並且使以含有摻雜物的有機半導電材料製造出來的電子元件具有可複製性，本發明建議以苯、苯衍生物、1,3,2-二氧苯硼(Dioxaborin)、或是1,3,2-二氧苯硼(Dioxaborin)衍生物作為此種有機型鍵異構化合物，在相同的蒸發條件下，本發明建議使用的這種有機型鍵異構化合物的揮發性小於四氟四氰二甲烷(Tetrafluoro-tetracyanochinodimethan)(F4TCNQ)的揮發性。
简体摘要：本发明系使用一种有机型键异构化合物作为掺杂有机半导电基体材料的有机掺杂物，以改变被掺杂的半导电基体材料的电学特性。为了使含有掺杂物的有机半导电材料在在制程中易于被操作/处理，并且使以含有掺杂物的有机半导电材料制造出来的电子组件具有可复制性，本发明建议以苯、苯衍生物、1,3,2-二氧苯硼(Dioxaborin)、或是1,3,2-二氧苯硼(Dioxaborin)衍生物作为此种有机型键异构化合物，在相同的蒸发条件下，本发明建议使用的这种有机型键异构化合物的挥发性小于四氟四氰二甲烷(Tetrafluoro-tetracyanochinodimethan)(F4TCNQ)的挥发性。

2. 发明专利

TWI287881B 以金屬複合物作為有機半導體基質材料之N型摻雜物、有機半導體材料及電子元件之應用方法、其摻雜物及配合價及其製造方法 USE OF A METAL COMPLEX AS AN N-DOPANT FOR AN ORGANIC SEMICONDUCTING MATRIX MATERIAL, ORGANIC SEMICONDUCTING MATERIAL AND ELECTRONIC COMPONENT, AND ALSO A DOPANT AND LIGAND AND PROCESS FOR PRODUCING SAME 有权
简体标题：以金属复合物作为有机半导体基质材料之N型掺杂物、有机半导体材料及电子组件之应用方法、其掺杂物及配合价及其制造方法 USE OF A METAL COMPLEX AS AN N-DOPANT FOR AN ORGANIC SEMICONDUCTING MATRIX MATERIAL, ORGANIC SEMICONDUCTING MATERIAL AND ELECTRONIC COMPONENT, AND ALSO A DOPANT AND LIGAND AND PROCESS FOR PRODUCING SAME
公开(公告)号：TWI287881B
公开(公告)日：2007-10-01
申请号：TW094108264
申请日：2005-03-17
申请人：諾瓦發光二極體有限公司 NOVALED GMBH
发明人：安斯加爾.維爾納 ANSGAR WERNER , 奧拉夫.屈爾 OLAF KUEHL , 西蒙.格斯勒 SIMON GESSLER , 原田健太郎 KENTARO HARADA , 霍斯特.哈特曼 HORST HARTMANN , 安德爾.格呂辛 ANDRE GRUESSING , 米夏埃爾.李梅爾特 MICHAEL LIMMERT , 安德里亞.路克斯 ANDREA LUX
IPC分类号： H01L
摘要：本發明係以一種金屬複合物作為摻雜有機半導體基質材料用的摻雜物，以改變有機半導體基質材料的電學特性，對有機半導體基質材料而言，這種金屬複合物係作為摻雜作用中的一種n型摻雜物。為了讓n型摻雜有機半導體也能夠使還原電位較低的基質材料達到較高的導電率，本發明建議以一種多電子的電中性金屬複合物作為摻雜化合物，此種金屬複合物具有一個核下原子，而且這種核心原子最好是一種價電子數至少是16的電中性或有帶電荷的過渡金屬原子。所使用的複合物可以是多核心的複合物，而且至少具有一個金屬－金屬鍵。至少有一種配合價可以和核心原子構成一種pi複合物，這種配合價可以是一種橋接配合價(尤其是hpp)、硼酸鹽(Borate)、Carboran、或是三氮環鏈烷(Triazacycloalkan)，或是從下列名單中選出的至少一種負碳離子(Carbanion)碳原子或二價原子：C(碳烯(Carben))、Si(甲烷叉(Silylen))、Ge(亞甲鍺烷基(Germylen))、Sn、 Pb。本發明的範圍也包括新的n型摻雜物及其製造方法。
简体摘要：本发明系以一种金属复合物作为掺杂有机半导体基质材料用的掺杂物，以改变有机半导体基质材料的电学特性，对有机半导体基质材料而言，这种金属复合物系作为掺杂作用中的一种n型掺杂物。为了让n型掺杂有机半导体也能够使还原电位较低的基质材料达到较高的导电率，本发明建议以一种多电子的电中性金属复合物作为掺杂化合物，此种金属复合物具有一个核下原子，而且这种内核原子最好是一种价电子数至少是16的电中性或有带电荷的过渡金属原子。所使用的复合物可以是多内核的复合物，而且至少具有一个金属－金属键。至少有一种配合价可以和内核原子构成一种pi复合物，这种配合价可以是一种桥接配合价(尤其是hpp)、硼酸盐(Borate)、Carboran、或是三氮环链烷(Triazacycloalkan)，或是从下列名单中选出的至少一种负碳离子(Carbanion)碳原子或二价原子：C(碳烯(Carben))、Si(甲烷叉(Silylen))、Ge(亚甲锗烷基(Germylen))、Sn、 Pb。本发明的范围也包括新的n型掺杂物及其制造方法。

3. 发明专利

TW200635068A 以金屬複合物作為有機半導體基質材料之摻質、有機半導體材料及電子單元、其摻質及連接線及其製造方法审中-公开
简体标题：以金属复合物作为有机半导体基质材料之掺质、有机半导体材料及电子单元、其掺质及连接线及其制造方法
公开(公告)号：TW200635068A
公开(公告)日：2006-10-01
申请号：TW094108264
申请日：2005-03-17
申请人：諾瓦發光二極體有限公司 NOVALED GMBH
发明人：安斯加爾.維爾納 ANSGAR WERNER , 奧拉夫.屈爾 OLAF KUEHL , 西蒙.格斯勒 SIMON GESSLER , 原田健太郎 KENTARO HARADA , 霍斯特.哈特曼 HORST HARTMANN , 安德爾.格呂辛 ANDRE GRUESSING , 米夏埃爾.李梅爾特 MICHAEL LIMMERT , 安德里亞.路克斯 ANDREA LUX
IPC分类号： H01L
摘要：本發明係以一種金屬複合物作為摻雜有機半導體基質材料用的摻雜物，以改變有機半導體基質材料的電學特性，對有機半導體基質材料而言，這種金屬複合物係作為摻雜作用中的一種n型摻雜物。為了讓n型摻雜有機半導體也能夠使還原電位較低的基質材料達到較高的導電率，本發明建議以一種多電子的電中性金屬複合物作為摻雜化合物，此種金屬複合物具有一個核下原子，而且這種核心原子最好是一種價電子數至少是16的電中性或有帶電荷的過渡金屬原子。所使用的複合物可以是多核心的複合物，而且至少具有一個金屬一金屬鍵。至少有一種配合價可以和核心原子構成一種pi複合物，這種配合價可以是一種橋接配合價(尤其是hpp)、硼酸鹽(Borate)、Carboran、或是三氮環鏈烷(Triazacycloalkan)，或是從下列名單中選出的至少一種負碳離子(Carbanion)碳原子或二價原子：C(碳烯(Carben))、Si(甲烷叉(Silylen))、Ge(亞甲鍺烷基(Germylen))、Sn、Pb。本發明的圍也包括新的n型摻雜物及其製造方法。094108264-p01.bmp
简体摘要：本发明系以一种金属复合物作为掺杂有机半导体基质材料用的掺杂物，以改变有机半导体基质材料的电学特性，对有机半导体基质材料而言，这种金属复合物系作为掺杂作用中的一种n型掺杂物。为了让n型掺杂有机半导体也能够使还原电位较低的基质材料达到较高的导电率，本发明建议以一种多电子的电中性金属复合物作为掺杂化合物，此种金属复合物具有一个核下原子，而且这种内核原子最好是一种价电子数至少是16的电中性或有带电荷的过渡金属原子。所使用的复合物可以是多内核的复合物，而且至少具有一个金属一金属键。至少有一种配合价可以和内核原子构成一种pi复合物，这种配合价可以是一种桥接配合价(尤其是hpp)、硼酸盐(Borate)、Carboran、或是三氮环链烷(Triazacycloalkan)，或是从下列名单中选出的至少一种负碳离子(Carbanion)碳原子或二价原子：C(碳烯(Carben))、Si(甲烷叉(Silylen))、Ge(亚甲锗烷基(Germylen))、Sn、Pb。本发明的围也包括新的n型掺杂物及其制造方法。094108264-p01.bmp

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