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    • 3. 发明专利
    • 層體設計中之流體溫度控制氣體分配器
    • 层体设计中之流体温度控制气体分配器
    • TW201801795A
    • 2018-01-16
    • TW106117378
    • 2017-05-25
    • 梅耶博格〈德國〉股份有限公司MEYER BURGER (GERMANY) AG
    • 比茲曲 洛克PIETZSCH, ROCCO安索奇 艾瑞克ANSORGE, ERIK史伊特 烏伊SCHEIT, UWE范德爾 克里斯迅FRENDEL, CHRISTIAN
    • B05B1/24F16L53/00C23C16/455
    • C23C16/45565C23C16/45572C23C16/45574
    • 本發明係關於一種用於允許至少一種氣體進入且將至少一種氣體分配至一處理區中之氣體分配器且係關於一種用於製作此氣體分配器之方法。該氣體分配器包括藉由一接合方法以一氣密方式彼此連接之一基底板、一溫度控制板及一頂板。該溫度控制板具有經構形為藉由腹板彼此分離且自該溫度控制板之一第一側延伸至該溫度控制板之一第二側之孔隙之溫度控制通道。對應於該基底板中之氣體出口開口及該頂板中之氣體入口開口之連續腹板孔形成於該溫度控制板之該等腹板中且形成氣體通道。在該頂板中,一溫度控制流體分配器及一溫度控制流體收集器經執行為穿過該頂板之孔隙。因此一溫度控制流體可自配置於該頂板上之一溫度控制流體供應連接件流動通過該溫度控制流體分配器至該等溫度控制通道中且通過該溫度控制流體收集器至配置於該頂板上之一溫度控制流體出口連接件中。根據該方法,首先在該溫度控制板中形成該等溫度控制通道,在該頂板中形成該溫度控制流體分配器及該溫度控制流體收集器,且將該基底板、該溫度控制板及該頂板以一氣密方式彼此連接。接著在一聯合程序步驟中製作該等氣體通道。
    • 本发明系关于一种用于允许至少一种气体进入且将至少一种气体分配至一处理区中之气体分配器且系关于一种用于制作此气体分配器之方法。该气体分配器包括借由一接合方法以一气密方式彼此连接之一基底板、一温度控制板及一顶板。该温度控制板具有经构形为借由腹板彼此分离且自该温度控制板之一第一侧延伸至该温度控制板之一第二侧之孔隙之温度控制信道。对应于该基底板中之气体出口开口及该顶板中之气体入口开口之连续腹板孔形成于该温度控制板之该等腹板中且形成气体信道。在该顶板中,一温度控制流体分配器及一温度控制流体收集器经运行为穿过该顶板之孔隙。因此一温度控制流体可自配置于该顶板上之一温度控制流体供应连接件流动通过该温度控制流体分配器至该等温度控制信道中且通过该温度控制流体收集器至配置于该顶板上之一温度控制流体出口连接件中。根据该方法,首先在该温度控制板中形成该等温度控制信道,在该顶板中形成该温度控制流体分配器及该温度控制流体收集器,且将该基底板、该温度控制板及该顶板以一气密方式彼此连接。接着在一联合进程步骤中制作该等气体信道。
    • 5. 发明专利
    • 用於組構矽表面之方法和裝置
    • 用于组构硅表面之方法和设备
    • TW201709320A
    • 2017-03-01
    • TW105115344
    • 2016-05-18
    • 梅耶博格(德國)公司MEYER BURGER (GERMANY) AG
    • 烏里格 馬提亞OHLIG, MATTHIAS
    • H01L21/3065H01L31/0236
    • H01L21/3065H01J37/32192H01J37/3244H01L21/67069H01L21/6776H01L31/02363H01L31/068Y02E10/547
    • 本發明相關於一種用於藉由以氟氣蝕刻基板表面而組構至少一結晶矽基板之至少一基板表面之方法,其中該矽基板之蝕刻係被設置在電漿中,其係產生於電漿蝕刻室中。本發明進一步相關於一種用於以包含進氣口裝置和至少一電漿源之電漿蝕刻室而組構至少一結晶矽基板之至少一基板表面之裝置,該進氣口裝置係與氟源耦合。因此,本發明目的係用以提供一種用於組構矽表面之方法與裝置,其中在材料與環境友善之方式下高品質地組構矽表面係可行地。在一方面,藉由一種方法而達到該目的,該方法中除了氟氣以外至少以氣態氧化硫提供至電漿蝕刻室。並且在另一方面,藉由一種裝置而達到該目的,該裝置中該進氣口裝置係額外耦合於至少一氧化硫源。
    • 本发明相关于一种用于借由以氟气蚀刻基板表面而组构至少一结晶硅基板之至少一基板表面之方法,其中该硅基板之蚀刻系被设置在等离子中,其系产生于等离子蚀刻室中。本发明进一步相关于一种用于以包含进气口设备和至少一等离子源之等离子蚀刻室而组构至少一结晶硅基板之至少一基板表面之设备,该进气口设备系与氟源耦合。因此,本发明目的系用以提供一种用于组构硅表面之方法与设备,其中在材料与环境友善之方式下高品质地组构硅表面系可行地。在一方面,借由一种方法而达到该目的,该方法中除了氟气以外至少以气态氧化硫提供至等离子蚀刻室。并且在另一方面,借由一种设备而达到该目的,该设备中该进气口设备系额外耦合于至少一氧化硫源。
    • 6. 发明专利
    • 具有兩互連之微波電漿源的電漿處理裝置及操作此類電漿處理裝置之方法
    • 具有两互连之微波等离子源的等离子处理设备及操作此类等离子处理设备之方法
    • TW201833973A
    • 2018-09-16
    • TW106134907
    • 2017-10-12
    • 德商梅耶博格〈德國〉股份有限公司MEYER BURGER (GERMANY) AG
    • 邁 喬基姆MAI, JOACHIM
    • H01J37/32H05H1/46
    • 本發明係關於一種具有一處理腔室、至少一對微波電漿源及至少一電壓源之電漿處理裝置。各對微波電漿源由一第一微波電漿源及一第二微波電漿源組成,其中該第一微波電漿源及該第二微波電漿源之各者具有一電漿源壁且在該電漿源壁內有一微波耦合裝置及一電漿電極。該第一微波電漿源及該第二微波電漿源配置於該處理腔室內之待處理之一或多個基板之相同側上且彼此相鄰。該第一微波電漿源及該第二微波電漿源之該等電漿電極彼此電絕緣且導電地連接至該至少一電壓源。在此處,該至少一電壓源適合用於為該第一微波電漿源及該第二微波電漿源之該等電漿電極供應不同電位。本發明亦係關於一種操作此類電漿處理裝置之方法。
    • 本发明系关于一种具有一处理腔室、至少一对微波等离子源及至少一电压源之等离子处理设备。各对微波等离子源由一第一微波等离子源及一第二微波等离子源组成,其中该第一微波等离子源及该第二微波等离子源之各者具有一等离子源壁且在该等离子源壁内有一微波耦合设备及一等离子电极。该第一微波等离子源及该第二微波等离子源配置于该处理腔室内之待处理之一或多个基板之相同侧上且彼此相邻。该第一微波等离子源及该第二微波等离子源之该等等离子电极彼此电绝缘且导电地连接至该至少一电压源。在此处,该至少一电压源适合用于为该第一微波等离子源及该第二微波等离子源之该等等离子电极供应不同电位。本发明亦系关于一种操作此类等离子处理设备之方法。
    • 7. 发明专利
    • 自電荷載體產生空間抽取電荷載體之裝置
    • 自电荷载体产生空间抽取电荷载体之设备
    • TW201820372A
    • 2018-06-01
    • TW106138451
    • 2017-11-07
    • 德商梅耶博格(德國)股份有限公司MEYER BURGER (GERMANY) AG
    • 艾倫斯坦 法蘭克ALLENSTEIN, FRANK盧卡 阿方斯LUCA, ALFONZ史托博 瑞可STOBER, RICO
    • H01J27/02H01J37/08
    • 本發明係關於一種用於自一電荷載體產生空間抽取電荷載體之裝置,其包括含有用於使該等電荷載體通過之至少一個開口之一第一電極,其中該開口在該第一電極之一第一表面中具有一第一表面面積,該第一表面面積小於該開口在該第一電極之一第二表面中之一第二表面面積。在此情形中,該第一表面係背對該電荷載體產生空間的該第一電極之表面,且該第二表面係面向該電荷載體產生空間的該第一電極之表面。該第一電極至少在毗鄰於該至少一個開口之橫向區域中係導電的,且在用於在該裝置之操作期間使電荷載體沿粒子放電方向加速離開該電荷載體產生空間的該裝置之所有電極中,該第一電極係位於沿該粒子放電方向距該電荷載體產生空間最小距離處之電極。
    • 本发明系关于一种用于自一电荷载体产生空间抽取电荷载体之设备,其包括含有用于使该等电荷载体通过之至少一个开口之一第一电极,其中该开口在该第一电极之一第一表面中具有一第一表面面积,该第一表面面积小于该开口在该第一电极之一第二表面中之一第二表面面积。在此情形中,该第一表面系背对该电荷载体产生空间的该第一电极之表面,且该第二表面系面向该电荷载体产生空间的该第一电极之表面。该第一电极至少在毗邻于该至少一个开口之横向区域中系导电的,且在用于在该设备之操作期间使电荷载体沿粒子放电方向加速离开该电荷载体产生空间的该设备之所有电极中,该第一电极系位于沿该粒子放电方向距该电荷载体产生空间最小距离处之电极。
    • 8. 发明专利
    • 控制用於夾持或定位佈置於一基板載體上之基板之一裝置之方法及系統
    • 控制用于夹持或定位布置于一基板载体上之基板之一设备之方法及系统
    • TW201743403A
    • 2017-12-16
    • TW106112944
    • 2017-04-18
    • 梅耶博格(德國)股份有限公司MEYER BURGER (GERMANY) AG
    • 安索奇 艾瑞克ANSORGE, ERIK玻姆 克莉絲汀BOEHM, CHRISTIAN拉許克 賽巴斯丁RASCHKE, SEBASTIAN
    • H01L21/683H01L21/68
    • H01L21/67248H01L21/681
    • 本發明係關於一種控制用於夾持或定位在一基板載體上之至少一個基板之一裝置之方法。該基板載體由具有至少一個已知膨脹係數之一材料組成。在此方法中,最初在一已知第一溫度下判定由該基板載體之長度、寬度及/或高度組成之該基板載體之一第一參數集,以及該基板載體上之一基板參考點相對於該基板載體之一參考點之位置。隨後,在至少兩個雷射感測器之幫助下,在該基板載體之一未知第二溫度下判定由該基板載體之該長度、該寬度及/或該高度組成之一第二參數集,其中該等雷射感測器之兩者佈置於該基板載體之相對側上及一條雷射線上。當該基板載體在一第一位置中時,可在該經判定第二參數集及該至少一個膨脹係數之幫助下,在該未知第二溫度下精確判定該基板載體上之該基板參考點之該位置,使得可相應地控制該夾持或定位裝置。用於控制一夾持或定位裝置之發明系統包括對應於該方法之步驟之構件。
    • 本发明系关于一种控制用于夹持或定位在一基板载体上之至少一个基板之一设备之方法。该基板载体由具有至少一个已知膨胀系数之一材料组成。在此方法中,最初在一已知第一温度下判定由该基板载体之长度、宽度及/或高度组成之该基板载体之一第一参数集,以及该基板载体上之一基板参考点相对于该基板载体之一参考点之位置。随后,在至少两个激光传感器之帮助下,在该基板载体之一未知第二温度下判定由该基板载体之该长度、该宽度及/或该高度组成之一第二参数集,其中该等激光传感器之两者布置于该基板载体之相对侧上及一条激光在线。当该基板载体在一第一位置中时,可在该经判定第二参数集及该至少一个膨胀系数之帮助下,在该未知第二温度下精确判定该基板载体上之该基板参考点之该位置,使得可相应地控制该夹持或定位设备。用于控制一夹持或定位设备之发明系统包括对应于该方法之步骤之构件。
    • 9. 发明专利
    • 自電荷載體產生區域抽取電荷載體之裝置及操作此裝置之方法
    • 自电荷载体产生区域抽取电荷载体之设备及操作此设备之方法
    • TW201737284A
    • 2017-10-16
    • TW105110950
    • 2016-04-07
    • 梅耶博格(德國)股份有限公司MEYER BURGER (GERMANY) AG
    • 邁 喬基姆MAI, JOACHIM盧卡 阿方斯LUCA, ALFONZ薩爾斯泰 瑪爾吉特SARSTEDT, MARGIT
    • H01J27/02H01J37/08
    • 本發明係關於一種用於自一電荷載體產生區域抽取電荷載體之裝置,其具有用於抽取電荷載體之至少一電極配置,其中該至少一電極配置包括具有對應開口之至少一第一柵極及一第二柵極。該第一柵極及該第二柵極分別含有至少一第一導電柵極區域,其中該第一柵極之該至少一第一柵極區域形成於一第一層中且該第二柵極之該至少一第一柵極區域形成於一第二層中。該第一層及該第二層沿粒子發射方向連續安置於該電極配置內且沿該粒子發射方向彼此相隔一第一距離,其中該第一柵極之該至少一第一柵極區域在該第一層中形成一第一導電層部分。此外,一第二導電層部分安置於該第一層中,該第二導電層部分與該第一層部分電絕緣。該第二層部分由該第一柵極或該第二柵極之至少一第二導電柵極區域形成且該第二層部分導電地連接至該第二柵極之該至少一第一柵極區域。因此,根據本發明之用於抽取電荷載體之裝置藉助於可修改抽取電荷載體之一粒子束之粒子束特性而構成一電可切換抽取柵極配置。
    • 本发明系关于一种用于自一电荷载体产生区域抽取电荷载体之设备,其具有用于抽取电荷载体之至少一电极配置,其中该至少一电极配置包括具有对应开口之至少一第一栅极及一第二栅极。该第一栅极及该第二栅极分别含有至少一第一导电栅极区域,其中该第一栅极之该至少一第一栅极区域形成于一第一层中且该第二栅极之该至少一第一栅极区域形成于一第二层中。该第一层及该第二层沿粒子发射方向连续安置于该电极配置内且沿该粒子发射方向彼此相隔一第一距离,其中该第一栅极之该至少一第一栅极区域在该第一层中形成一第一导电层部分。此外,一第二导电层部分安置于该第一层中,该第二导电层部分与该第一层部分电绝缘。该第二层部分由该第一栅极或该第二栅极之至少一第二导电栅极区域形成且该第二层部分导电地连接至该第二栅极之该至少一第一栅极区域。因此,根据本发明之用于抽取电荷载体之设备借助于可修改抽取电荷载体之一粒子束之粒子束特性而构成一电可切换抽取栅极配置。