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    • 3. 发明专利
    • 具超晶格電流擴散層之側向接觸藍光發光二極體
    • 具超晶格电流扩散层之侧向接触蓝光发光二极管
    • TW201310698A
    • 2013-03-01
    • TW101120378
    • 2012-06-07
    • 普瑞光電股份有限公司BRIDGELUX INC.
    • 陳振CHEN, ZHEN芬威克 威廉FENWICK, WILLIAM藍斯特 史蒂芬LESTER, STEVEN
    • H01L33/14
    • H01L33/04H01L33/14H01L33/32
    • 本發明揭示一種側向接觸藍光LED裝置,其包含位於一絕緣基板之上的一PAN結構。該基板可為一藍寶石基板,在其上成長一GaN樣板層。該PAN結構包括一n型GaN層、一包含銦的發光主動層以及一p型GaN層。該n型GaN層具有一至少500nm的厚度。一低阻抗層(Low Resistance Layer,LRL)位於該基板與該PAN結構之間,如此該LRL與該n型GaN層的底部接觸。在一個範例中,該LRL為一AlGaN/GaN超晶格結構,其板阻抗小於該n型GaN層的該板阻抗。該LRL利用在該n型GaN層底下側向傳導電流以減少電流群聚。該LRL防止底下GaN樣板層內的錯位紋路往上延伸進入該PAN結構,以降低缺陷密度。
    • 本发明揭示一种侧向接触蓝光LED设备,其包含位于一绝缘基板之上的一PAN结构。该基板可为一蓝宝石基板,在其上成长一GaN样板层。该PAN结构包括一n型GaN层、一包含铟的发光主动层以及一p型GaN层。该n型GaN层具有一至少500nm的厚度。一低阻抗层(Low Resistance Layer,LRL)位于该基板与该PAN结构之间,如此该LRL与该n型GaN层的底部接触。在一个范例中,该LRL为一AlGaN/GaN超晶格结构,其板阻抗小于该n型GaN层的该板阻抗。该LRL利用在该n型GaN层底下侧向传导电流以减少电流群聚。该LRL防止底下GaN样板层内的错位纹路往上延伸进入该PAN结构,以降低缺陷密度。