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    • 1. 发明专利
    • 記憶體晶胞 MEMORY CELLS
    • 内存晶胞 MEMORY CELLS
    • TW200933824A
    • 2009-08-01
    • TW097140637
    • 2008-10-23
    • 阿席拉有限公司 ICERA INC
    • 蒙克 崔佛K MONK, TREVOR KENNETH
    • H01L
    • H01L27/1104G11C11/412H01L27/0207H01L27/11
    • 一種製造一積體電路(IC)的方法,包含:界定多數個連續作用區域;形成在該等作用區域上延伸的導線;且使用該等導線作為一遮罩,將摻雜劑引入該等作用區域。摻雜區域與導線之間的多數個連接被提供以形成第一及第二電路部分,至少一作用區域在該等部分之間是連續的。在該作用區域內,摻雜區域與導線之間的多數個連接被提供以形成一對二極體連接的電晶體,該對二極體連接的電晶體在該第一與第二電路部分之間彼此反向偏壓連接以在該對二極體連接的電晶體之間保留一共用、未連接摻雜區域。本發明也是關於一對應IC。
    • 一种制造一集成电路(IC)的方法,包含:界定多数个连续作用区域;形成在该等作用区域上延伸的导线;且使用该等导线作为一遮罩,将掺杂剂引入该等作用区域。掺杂区域与导线之间的多数个连接被提供以形成第一及第二电路部分,至少一作用区域在该等部分之间是连续的。在该作用区域内,掺杂区域与导线之间的多数个连接被提供以形成一对二极管连接的晶体管,该对二极管连接的晶体管在该第一与第二电路部分之间彼此反向偏压连接以在该对二极管连接的晶体管之间保留一共享、未连接掺杂区域。本发明也是关于一对应IC。