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2. 发明专利

TW201903918A 半導體裝置和在重組晶圓中控制翹曲之方法审中-公开
简体标题：半导体设备和在重组晶圆中控制翘曲之方法
公开(公告)号：TW201903918A
公开(公告)日：2019-01-16
申请号：TW107134961
申请日：2014-07-18
申请人：新加坡商史達晶片有限公司 , STATS CHIPPAC, LTD.
发明人：王建銘 , HENG,KIAN MENG , 高英華 , GOH,HIN HWA , 卡普拉斯瓊斯阿爾文 , CAPARAS,JOSE ALVIN , 陳康 , CHEN,KANG , 鄒勝源 , CHOW,SENG GUAN , 林耀劍 , LIN,YAOJIAN
IPC分类号： H01L21/56 , H01L23/34
摘要：一種半導體裝置具有基板，帶有設置在所述基板上方的硬化層。所述基板的形狀為圓形或矩形。複數個半導體晶粒被設置在所述基板的一部分上方，同時留下所述基板的不含所述半導體晶粒的一開放區域。所述基板的不含所述半導體晶粒的所述開放區域包括中央區域或在所述半導體晶粒之間的間隙位置。所述半導體晶粒被設置於圍繞所述基板的周圍。囊封體沉積在所述半導體晶粒和所述基板上方。將所述基板移除，並且互連結構形成在所述半導體晶粒上方。藉由留下所述基板的不含所述半導體晶粒的所述預定區域，在所述半導體晶粒的熱膨脹係數和除去所述基板後重組的晶圓上的囊封體的熱膨脹係數之間的任何不匹配的翹曲效果降低。
简体摘要：一种半导体设备具有基板，带有设置在所述基板上方的硬化层。所述基板的形状为圆形或矩形。复数个半导体晶粒被设置在所述基板的一部分上方，同时留下所述基板的不含所述半导体晶粒的一开放区域。所述基板的不含所述半导体晶粒的所述开放区域包括中央区域或在所述半导体晶粒之间的间隙位置。所述半导体晶粒被设置于围绕所述基板的周围。囊封体沉积在所述半导体晶粒和所述基板上方。将所述基板移除，并且互链接构形成在所述半导体晶粒上方。借由留下所述基板的不含所述半导体晶粒的所述预定区域，在所述半导体晶粒的热膨胀系数和除去所述基板后重组的晶圆上的囊封体的热膨胀系数之间的任何不匹配的翘曲效果降低。

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