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    • 3. 发明专利
    • 層合板
    • 层合板
    • TW201429715A
    • 2014-08-01
    • TW102146072
    • 2013-12-13
    • 住友化學股份有限公司SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED愛司卡波西德股份有限公司ESCARBO SHEET CO., LTD.
    • 前川智博MAEKAWA, TOMOHIRO畠山和彦HATAKEYAMA, KAZUHIKO
    • B32B27/08B32B27/36B32B27/30
    • 本發明係關於提供一種在高濕環境下不易翹曲,且具有優異的耐衝擊性及表面硬度的層合板,本發明之層合板(1)係具有:於聚碳酸酯樹脂層(A)的其中一面(I),從該面(I)依序層合有含橡膠狀聚合物之甲基丙烯酸樹脂層(C)與甲基丙烯酸樹脂層(B),且於聚碳酸酯樹脂層(A)的另一面(II),從該面(II)依序層合有甲基丙烯酸樹脂層(D)與含橡膠狀聚合物之甲基丙烯酸樹脂層(E)的層合結構。本發明之層合板(1),係可藉由例如下述方法來製造,該方法係包含藉由共壓出成形來將聚碳酸酯樹脂層(A)、甲基丙烯酸樹脂層(B)及(D)、以及含橡膠狀聚合物之甲基丙烯酸樹脂層(C)及(E)進行層合。
    • 本发明系关于提供一种在高湿环境下不易翘曲,且具有优异的耐冲击性及表面硬度的层合板,本发明之层合板(1)系具有:于聚碳酸酯树脂层(A)的其中一面(I),从该面(I)依序层合有含橡胶状聚合物之甲基丙烯酸树脂层(C)与甲基丙烯酸树脂层(B),且于聚碳酸酯树脂层(A)的另一面(II),从该面(II)依序层合有甲基丙烯酸树脂层(D)与含橡胶状聚合物之甲基丙烯酸树脂层(E)的层合结构。本发明之层合板(1),系可借由例如下述方法来制造,该方法系包含借由共压出成形来将聚碳酸酯树脂层(A)、甲基丙烯酸树脂层(B)及(D)、以及含橡胶状聚合物之甲基丙烯酸树脂层(C)及(E)进行层合。
    • 4. 发明专利
    • 薄膜卷材之製造方法
    • 薄膜卷材之制造方法
    • TW201412496A
    • 2014-04-01
    • TW102117200
    • 2013-05-15
    • 住友化學股份有限公司SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED愛司卡波西德股份有限公司ESCARBO SHEET CO., LTD.
    • 小山浩士KOYAMA, KOJI畠山和彥HATAKEYAMA, KAZUHIKO
    • B29C47/16B29C47/92B29L7/00
    • B29C47/165B29C47/0021B29C47/92B29C2947/92152B29C2947/92171B29C2947/92447B29C2947/92523B29C2947/92647B29C2947/92666
    • 本發明係關於不利用振盪製造出外觀良好的薄膜卷材之方法,提供一種薄膜卷材之製造方法,其特徵為:包含:從具備唇部間隙(lip gap)之調整手段的模具擠壓熱可塑性樹脂,且邊移行邊製膜,而形成薄膜的工程(A);在薄膜之移行中調整薄膜之厚度的工程(B);將薄膜捲成捲筒狀的工程(C),在工程(B)中,藉由重複下述(a)~(c)之步驟調整薄膜之厚度,(a)在薄膜之寬方向中,以特定間隔測量薄膜之厚度,製作個別厚度剖面之步驟;(b)根據一個或其以上之該個別厚度剖面,製作測量厚度剖面之步驟;(c)根據測量厚度剖面,和設定厚度剖面,調整唇部間隙之步驟,又,以一次之測量厚度剖面中之薄膜厚度之振幅R1,一次之測量厚度剖面中之薄膜厚度之標準偏差σ1,累計平均剖面中之薄膜厚度之振幅RAV,及累計平均剖面中之薄膜厚度之標準偏差σAV,各滿足R1≦2.0μm、σ1≦0.5μm、RAV≦1.0μm、及σAV≦0.2μm之條件之方式,又調整薄膜之厚度。
    • 本发明系关于不利用振荡制造出外观良好的薄膜卷材之方法,提供一种薄膜卷材之制造方法,其特征为:包含:从具备唇部间隙(lip gap)之调整手段的模具挤压热可塑性树脂,且边移行边制膜,而形成薄膜的工程(A);在薄膜之移行中调整薄膜之厚度的工程(B);将薄膜卷成卷筒状的工程(C),在工程(B)中,借由重复下述(a)~(c)之步骤调整薄膜之厚度,(a)在薄膜之宽方向中,以特定间隔测量薄膜之厚度,制作个别厚度剖面之步骤;(b)根据一个或其以上之该个别厚度剖面,制作测量厚度剖面之步骤;(c)根据测量厚度剖面,和设置厚度剖面,调整唇部间隙之步骤,又,以一次之测量厚度剖面中之薄膜厚度之振幅R1,一次之测量厚度剖面中之薄膜厚度之标准偏差σ1,累计平均剖面中之薄膜厚度之振幅RAV,及累计平均剖面中之薄膜厚度之标准偏差σAV,各满足R1≦2.0μm、σ1≦0.5μm、RAV≦1.0μm、及σAV≦0.2μm之条件之方式,又调整薄膜之厚度。