专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TW201542847A 硼摻雜的Ｎ型矽靶材审中-公开
简体标题：硼掺杂的Ｎ型硅靶材
公开(公告)号：TW201542847A
公开(公告)日：2015-11-16
申请号：TW104108440
申请日：2015-03-17
申请人：塔沙SMD公司 , TOSOH SMD, INC.
发明人：伊凡諾夫優吉尼Y , IVANOV, EUGENE Y. , 袁永文 , YUAN, YONGWEN
IPC分类号： C23C14/06 , C23C14/16 , C23C14/34
CPC分类号： C23C14/3414 , C23C14/10 , C23C14/14 , C30B15/00 , C30B15/04 , C30B29/06 , C30B33/00 , H01J37/3426 , H01J2237/332
摘要：本發明揭示濺鍍靶材及其製作方法。靶材包括硼摻雜的n型矽。靶材可以由CZ法所做的單晶之硼摻雜的p型矽鑄錠所做成。沿著晶體的長度來測量電阻率，並且可以垂直於鑄錠中央軸而在電阻率為大約1~20歐姆公分的位置切割出毛胚。然後將毛胚形成至可接受的形狀而適合使用作為PVD系統的濺鍍靶材。不在鑄錠或毛胚上進行去施體退火。
简体摘要：本发明揭示溅镀靶材及其制作方法。靶材包括硼掺杂的n型硅。靶材可以由CZ法所做的单晶之硼掺杂的p型硅铸锭所做成。沿着晶体的长度来测量电阻率，并且可以垂直于铸锭中央轴而在电阻率为大约1~20欧姆公分的位置切割出毛胚。然后将毛胚形成至可接受的形状而适合使用作为PVD系统的溅镀靶材。不在铸锭或毛胚上进行去施体退火。

2. 发明专利

TW201331397A 具有特殊表面處理和良好顆粒性能之矽濺鍍靶及其製造方法审中-公开
简体标题：具有特殊表面处理和良好颗粒性能之硅溅镀靶及其制造方法
公开(公告)号：TW201331397A
公开(公告)日：2013-08-01
申请号：TW101141269
申请日：2012-11-07
申请人：塔沙SMD公司 , TOSOH SMD, INC.
发明人：袁永文 , YUAN, YONGWEN , 伊凡諾夫優吉尼Y , IVANOV, EUGENE Y. , 劉洋 , LIU, YANG , 法勞斯托菲爾 , FRAUSTO, PHIL , 毛衛方 , MIAO, WEIFANG
IPC分类号： C23C14/16 , C23C14/34 , C11D7/26
CPC分类号： H01J37/3426 , B08B3/04 , B08B3/08 , C23C14/0652 , C23C14/165 , C23C14/3407 , C23C14/3414 , H01J37/3435
摘要：提供一種包含Si靶及底板之濺鍍靶總成，其中該底板係黏結至該靶。該Si靶包含平滑的鏡子般表面且表面粗糙度小於約15.0埃。提供用於製造矽靶/底板總成之方法，其中處理矽坯料以自該坯料表面移除刮痕，從而在該靶上產生鏡子般表面，且表面粗糙度為15.0埃或小於15.0埃。該方法包含第一及第二清潔步驟，其中該第一步驟在該刮痕移除步驟之前進行，且該第二步驟在該刮痕移除之後進行。
简体摘要：提供一种包含Si靶及底板之溅镀靶总成，其中该底板系黏结至该靶。该Si靶包含平滑的镜子般表面且表面粗糙度小于约15.0埃。提供用于制造硅靶/底板总成之方法，其中处理硅坯料以自该坯料表面移除刮痕，从而在该靶上产生镜子般表面，且表面粗糙度为15.0埃或小于15.0埃。该方法包含第一及第二清洁步骤，其中该第一步骤在该刮痕移除步骤之前进行，且该第二步骤在该刮痕移除之后进行。

3. 发明专利

TW201250031A 經擴散接合之濺鍍靶構件及其製造方法 DIFFUSION-BONDED SPUTTERING TARGET ASSEMBLY AND METHOD OF MANUFACTURING 审中-公开
简体标题：经扩散接合之溅镀靶构件及其制造方法 DIFFUSION-BONDED SPUTTERING TARGET ASSEMBLY AND METHOD OF MANUFACTURING
公开(公告)号：TW201250031A
公开(公告)日：2012-12-16
申请号：TW101104279
申请日：2012-02-10
申请人：塔沙SMD公司
发明人：毛衛方 , 史麥瑟司大衛B , 伊凡諾夫優吉尼Y , 席杜艾瑞克 , 拜利羅伯特S , 哈特傑夫
IPC分类号： C23C
CPC分类号： H01J37/3426 , C23C14/3407 , C23C14/3414 , H01J37/3414 , H01J37/3423 , H01J37/3435
摘要：提供一種製造經擴散接合之濺鍍靶構件的方法。包含第一金屬或合金之靶坯具有設定濺鍍表面的第一表面及第二表面。第二金屬或合金置於靶坯周圍。鄰接於置放在第二靶表面旁邊之第二金屬或合金設置底板。隨後，此構件經擴散接合，且移除覆蓋於靶濺鍍表面上之第二金屬的一部分以曝露靶濺鍍表面。W靶或W合金靶/Ti或Ti合金底板構件具有置於W或W合金靶與底板中間的Al夾層。構件具有超過50 MPa的接合強度。
简体摘要：提供一种制造经扩散接合之溅镀靶构件的方法。包含第一金属或合金之靶坯具有设置溅镀表面的第一表面及第二表面。第二金属或合金置于靶坯周围。邻接于置放在第二靶表面旁边之第二金属或合金设置底板。随后，此构件经扩散接合，且移除覆盖于靶溅镀表面上之第二金属的一部分以曝露靶溅镀表面。W靶或W合金靶/Ti或Ti合金底板构件具有置于W或W合金靶与底板中间的Al夹层。构件具有超过50 MPa的接合强度。

4. 发明专利

TW200815136A 濺鍍靶組件及其製法 SPUTTERING TARGET ASSEMBLY AND METHOD OF MAKING SAME 审中-公开
简体标题：溅镀靶组件及其制法 SPUTTERING TARGET ASSEMBLY AND METHOD OF MAKING SAME
公开(公告)号：TW200815136A
公开(公告)日：2008-04-01
申请号：TW096129564
申请日：2007-08-10
申请人：塔沙SMD公司 TOSOH SMD, INC.
发明人：優吉尼Y. 伊凡諾夫 IVANOV, EUGENE Y. , 艾瑞屈瑟都 THEADO, ERICH
IPC分类号： B23K , C23C
CPC分类号： C23C14/3407 , B23K20/122 , B23K20/129 , B23K2203/08 , B23K2203/10 , B23K2203/12 , B23K2203/14 , B23K2203/18 , B23K2203/26
摘要：本發明係關於一種製造結合於一底板之一濺鍍靶組件之方法。該方法包括將一靶結合於一高强度底板,及進一步使用摩擦攪拌焊接製程在該靶與該底板之間建立一真空密封。
简体摘要：本发明系关于一种制造结合于一底板之一溅镀靶组件之方法。该方法包括将一靶结合于一高强度底板,及进一步使用摩擦搅拌焊接制程在该靶与该底板之间创建一真空密封。

5. 发明专利

TWI269815B 具有織構之可更換式靶側壁插入件 REPLACEABLE TARGET SIDEWALL INSERT WITH TEXTURING 失效
简体标题：具有织构之可更换式靶侧壁插入件 REPLACEABLE TARGET SIDEWALL INSERT WITH TEXTURING
公开(公告)号：TWI269815B
公开(公告)日：2007-01-01
申请号：TW092106008
申请日：2003-03-19
申请人：塔沙SMD公司 TOSOH SMD, INC.
发明人：大衛 B. 史麥德 SMATHERS, DAVID B.
IPC分类号： C23C
CPC分类号： H01J37/3435 , C23C14/3407
摘要：本發明提供一種具有可更換式濺鍍靶側壁插入件的濺鍍靶以及背板總成。當需要時只更換側壁的插入件部分，可更換式側壁插入件可以加強總成的效率及使用壽命，並且同時保留靶的剩餘部分以做為額外之用途。側壁插入件在靶以及背板中提供之相應溝槽中被固定於靶及背板中。一種織構表面(例如連續織構的塗佈)可以施加於側壁插入件，以進一步加強靶/背板總成的粒子保留性質。
简体摘要：本发明提供一种具有可更换式溅镀靶侧壁插入件的溅镀靶以及背板总成。当需要时只更换侧壁的插入件部分，可更换式侧壁插入件可以加强总成的效率及使用寿命，并且同时保留靶的剩余部分以做为额外之用途。侧壁插入件在靶以及背板中提供之相应沟槽中被固定于靶及背板中。一种织构表面(例如连续织构的涂布)可以施加于侧壁插入件，以进一步加强靶/背板总成的粒子保留性质。

6. 发明专利

TW201704492A 製造鉭濺鍍靶材的方法及其製造之靶材审中-公开
简体标题：制造钽溅镀靶材的方法及其制造之靶材
公开(公告)号：TW201704492A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：TW105111046
申请日：2016-04-08
申请人：塔沙SMD公司 , TOSOH SMD, INC.
发明人：伊凡諾夫優吉尼Y , IVANOV, EUGENE Y. , 費雪馬修 , FISHER, MATTHEW , 庫恩艾力克斯 , KUHN, ALEX
IPC分类号： C22C27/02 , C23C14/34 , C22F1/18 , C23C14/14 , H01L21/285 , B23P15/00 , B23P17/04
CPC分类号： C23C14/3414 , B21B1/024 , B21B1/026 , B21B15/0007 , B21B2015/0014 , B21B2015/0021 , C22C27/02 , C22F1/18 , H01J37/3426
摘要：本發明關於製造Ta濺鍍靶材的方法及其製造的濺鍍靶材。Ta錠沿著x、y及z維度中之至少兩者壓縮且隨後沿彼等維度中之至少一者交叉輥壓。接著自交叉輥壓錠切割一對靶材胚料。所得靶材主要具有混合{100}及{111}紋理且具有減小的B{100}及B{111}條帶係數。
简体摘要：本发明关于制造Ta溅镀靶材的方法及其制造的溅镀靶材。Ta锭沿着x、y及z维度中之至少两者压缩且随后沿彼等维度中之至少一者交叉辊压。接着自交叉辊压锭切割一对靶材胚料。所得靶材主要具有混合{100}及{111}纹理且具有减小的B{100}及B{111}条带系数。

7. 发明专利

TW201207139A 雙金屬旋轉靶材 BIMETALLIC ROTARY TARGET 审中-公开
简体标题：双金属旋转靶材 BIMETALLIC ROTARY TARGET
公开(公告)号：TW201207139A
公开(公告)日：2012-02-16
申请号：TW100121772
申请日：2011-06-23
申请人：塔沙SMD公司
发明人：伊凡諾夫優吉尼Y , 迪爾利歐艾德華
IPC分类号： C23C
CPC分类号： C23C14/3407 , C23C14/14 , C23C14/3414 , H01J37/342 , H01J37/3429
摘要：一種由第一金屬及第二金屬所構成以使用於一濺鍍設備的雙金屬旋轉靶材。該旋轉靶材包含具有複數個溝渠或孔隙形成於其中的靶材管。一插入物可定位在該些溝渠或孔隙中的每一個之內。該些插入物包含自該插入物側面伸出的鎖定機制，其中，該鎖定機制被架構以接觸定義著該些溝渠或孔隙的表面以將該些插入物栓緊於該靶材管內。接著，熱均壓法、冷均壓法、電子束焊接法、超音波焊接法、機械設備配接法或燒結法將該些插入物整合地附接至該靶材管。
简体摘要：一种由第一金属及第二金属所构成以使用于一溅镀设备的双金属旋转靶材。该旋转靶材包含具有复数个沟渠或孔隙形成于其中的靶材管。一插入物可定位在该些沟渠或孔隙中的每一个之内。该些插入物包含自该插入物侧面伸出的锁定机制，其中，该锁定机制被架构以接触定义着该些沟渠或孔隙的表面以将该些插入物栓紧于该靶材管内。接着，热均压法、冷均压法、电子束焊接法、超音波焊接法、机械设备配接法或烧结法将该些插入物集成地附接至该靶材管。

8. 发明专利

TW201134962A 具有改進的濺鍍板材料利用的濺鍍靶材設計 SPUTTER TARGET DESIGN WITH IMPROVED SPUTTERING PLATE MATERIAL UTILIZATION 审中-公开
简体标题：具有改进的溅镀板材料利用的溅镀靶材设计 SPUTTER TARGET DESIGN WITH IMPROVED SPUTTERING PLATE MATERIAL UTILIZATION
公开(公告)号：TW201134962A
公开(公告)日：2011-10-16
申请号：TW100105041
申请日：2011-02-16
申请人：塔沙SMD公司
发明人：伊凡諾夫優吉尼Y , 雷包威戌亞歷山大 , 瑞瑟約翰
IPC分类号： C23C
CPC分类号： C23C14/3407 , H01J37/3423 , H01J37/3426 , H01J37/3435 , Y10T29/49826
摘要：在本發明之一態樣中，濺鍍靶材被提供，其包含背板，背板包含正面和背面；以及被安裝於該背板上之濺鍍板，濺鍍板包含濺鍍表面和背面。濺鍍板之背面、背板之正面，或是背板之背面的至少其中之一是具有至少一凹槽，凹槽的形狀和尺寸能夠符合濺鍍板之較高濺鍍作用的受觀察區域，受觀察區域是相對於濺鍍板之鄰接區域而具有較高的濺鍍作用。嵌件被安置於凹槽內。背板包含第一材料、濺鍍板包含第二材料，以及嵌件包含第三材料。在濺鍍靶材之另外一態樣中，用於控制濺鍍靶材之電磁特性的方法被提供。
简体摘要：在本发明之一态样中，溅镀靶材被提供，其包含背板，背板包含正面和背面；以及被安装于该背板上之溅镀板，溅镀板包含溅镀表面和背面。溅镀板之背面、背板之正面，或是背板之背面的至少其中之一是具有至少一凹槽，凹槽的形状和尺寸能够符合溅镀板之较高溅镀作用的受观察区域，受观察区域是相对于溅镀板之邻接区域而具有较高的溅镀作用。嵌件被安置于凹槽内。背板包含第一材料、溅镀板包含第二材料，以及嵌件包含第三材料。在溅镀靶材之另外一态样中，用于控制溅镀靶材之电磁特性的方法被提供。

9. 发明专利

TW201028486A 單塊鋁合金靶和製造方法 MONOLITHIC ALUMINUM ALLOY TARGET AND METHOD OF MANUFACTURING 审中-公开
简体标题：单块铝合金靶和制造方法 MONOLITHIC ALUMINUM ALLOY TARGET AND METHOD OF MANUFACTURING
公开(公告)号：TW201028486A
公开(公告)日：2010-08-01
申请号：TW099101027
申请日：2010-01-15
申请人：塔沙SMD公司
发明人：毛衛方 , 史麥瑟司大衛B , 拜利羅伯特S
IPC分类号： C22F , C23C
CPC分类号： C23C14/3407 , B21C23/001 , B21J1/04 , B21J1/06 , C22C21/00 , C22F1/04 , C23C14/3414
摘要：提供鋁或鋁合金濺鍍靶及其製造方法。純鋁或鋁合金做機械加工以製出圓形毛胚，然後毛胚接受再結晶退火以達到合意的晶粒大小和結晶紋理。退火步驟之後，10~50％的額外應變提供於毛胚以增加機械強度。此外，於靶的凸緣區域，其應變大於其他靶區域的應變，並且凸緣區域賦予的應變比例為大約20~60％。毛胚然後做完工處理以形成具有合意結晶紋理和適當機械強度的濺鍍靶。
简体摘要：提供铝或铝合金溅镀靶及其制造方法。纯铝或铝合金做机械加工以制出圆形毛胚，然后毛胚接受再结晶退火以达到合意的晶粒大小和结晶纹理。退火步骤之后，10~50％的额外应变提供于毛胚以增加机械强度。此外，于靶的凸缘区域，其应变大于其他靶区域的应变，并且凸缘区域赋予的应变比例为大约20~60％。毛胚然后做完工处理以形成具有合意结晶纹理和适当机械强度的溅镀靶。

10. 发明专利

TW483793B 摩擦配合之靶組件有权
简体标题：摩擦配合之靶组件
公开(公告)号：TW483793B
公开(公告)日：2002-04-21
申请号：TW089113506
申请日：2000-07-07
申请人：塔沙SMD公司
发明人：尤金Y 伊凡諾夫 , 哈利W 康納
IPC分类号： B23K
CPC分类号： C23C14/3407
摘要：一種低溫靶件和底板結合程序及組件在此被揭示。若干個公接頭成形於組件的一構件內，連同若干個相對應之母接頭成形於另一表面內。此組件藉由傳統式技術而沿著用於圍繞公接頭和母接頭部位之周圍組件邊界被加以結合。然後，組件在低溫下會以壓力固結，使得被結合區域所界定之突出部位會被壓入配合至母接頭內。
简体摘要：一种低温靶件和底板结合进程及组件在此被揭示。若干个公接头成形于组件的一构件内，连同若干个相对应之母接头成形于另一表面内。此组件借由传统式技术而沿着用于围绕公接头和母接头部位之周围组件边界被加以结合。然后，组件在低温下会以压力固结，使得被结合区域所界定之突出部位会被压入配合至母接头内。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式