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1. 发明专利

TW200907048A 基板的洗淨或蝕刻所使用的鹼性水溶性組成物失效
简体标题：基板的洗净或蚀刻所使用的碱性水溶性组成物
公开(公告)号：TW200907048A
公开(公告)日：2009-02-16
申请号：TW097121237
申请日：2008-06-06
申请人：關東化學股份有限公司 KANTO KAGAKU KABUSHIKI KAISHA
发明人：石川典夫 ISHIKAWA, NORIO
IPC分类号： C11D , H01L
CPC分类号： C11D3/26 , C03C15/00 , C03C23/0075 , C09K13/06 , C11D3/044 , C11D3/30 , C11D11/0047 , H01L21/02019 , H01L21/02052 , H01L21/02074 , H01L21/30604
摘要：本發明係提供一種水溶液組成物,其為鹼性水溶液但金屬雜質不會附著,更擁有洗淨能力者。藉由上述水溶液組成物,可防止金屬雜質吸附於基板,更能洗淨吸附於基板之金屬雜質;其中該水溶液組成物為用於基板洗淨或蝕刻之水溶液組成物,且含有結構式(1)表示之螯合劑及鹼性成分者;【化學式1】
097121237P01.bmp
其中:R為C2-6伸烷基、1,2-環己烯基或1,2-伸苯基,其中R的任意1或2個以上之氫原子亦可被相同或不同的取代基取代;A環及B環為苯環,其中任意1或2個以上之氫原子亦可被相同或不同的取代基取代;於此,取代基為由C1-10烷基、C1-10烯基、C1-10炔基、C1-10醯基、C1-10烷氧基、苯基、芐基、基、羧基、磺酸基、氰基、羥基、巰基、胺基、鹵素及硝基所組成之群中選出。
简体摘要：本发明系提供一种水溶液组成物,其为碱性水溶液但金属杂质不会附着,更拥有洗净能力者。借由上述水溶液组成物,可防止金属杂质吸附于基板,更能洗净吸附于基板之金属杂质;其中该水溶液组成物为用于基板洗净或蚀刻之水溶液组成物,且含有结构式(1)表示之螯合剂及碱性成分者;【化学式1】 097121237P01.bmp 其中:R为C2-6伸烷基、1,2-环己烯基或1,2-伸苯基,其中R的任意1或2个以上之氢原子亦可被相同或不同的取代基取代;A环及B环为苯环,其中任意1或2个以上之氢原子亦可被相同或不同的取代基取代;于此,取代基为由C1-10烷基、C1-10烯基、C1-10炔基、C1-10酰基、C1-10烷氧基、苯基、芐基、基、羧基、磺酸基、氰基、羟基、巯基、胺基、卤素及硝基所组成之群中选出。

2. 发明专利

TW200738909A 鋁系金屬膜與鉬系金屬膜之層積膜用蝕刻液 ETCHING SOLUTION FOR LAMINATED FILM OF ALUMINUM-BASED METAL FILM AND MOLYBDEDNUM-BASED METAL FILM 审中-公开
简体标题：铝系金属膜与钼系金属膜之层积膜用蚀刻液 ETCHING SOLUTION FOR LAMINATED FILM OF ALUMINUM-BASED METAL FILM AND MOLYBDEDNUM-BASED METAL FILM
公开(公告)号：TW200738909A
公开(公告)日：2007-10-16
申请号：TW096102238
申请日：2007-01-19
申请人：關東化學股份有限公司 KANTO KAGAKU KABUSHIKI KAISHA
发明人：清水壽和 SHIMIZU, TOSHIKAZU
IPC分类号： C23F
摘要：本發明之課題係提供一種優良的蝕刻液,能夠對以鉬系金屬及鋁系金屬作為主成分之金屬積層膜以總括蝕刻的方式進行蝕刻,能夠抑制各膜的側蝕刻量,將錐度角控制在20~70度。本發明之解決手段係提供一種蝕刻液,係用以對形成於絕緣膜基板上之鋁系金屬膜及鉬系金屬膜的積層膜進行蝕刻之蝕刻液,其含有:由硫酸、硫酸銨、硫酸鈉、硫酸鉀、硫酸氫銨、硫酸氫鈉、硫酸氫鉀、硫酸鈣、硫酸鈰銨、硫酸鐵、硫酸銅、硫酸鎂、硫酸鉛、硫酸羥銨、胺磺酸、胺磺酸銨、過氧二硫酸銨、伸乙二胺硫酸鹽、苯胺硫酸鹽及腺嘌呤硫酸鹽所組成的群組中選擇出來的磺酸化合物、磷酸、及硝酸。
简体摘要：本发明之课题系提供一种优良的蚀刻液,能够对以钼系金属及铝系金属作为主成分之金属积层膜以总括蚀刻的方式进行蚀刻,能够抑制各膜的侧蚀刻量,将锥度角控制在20~70度。本发明之解决手段系提供一种蚀刻液,系用以对形成于绝缘膜基板上之铝系金属膜及钼系金属膜的积层膜进行蚀刻之蚀刻液,其含有:由硫酸、硫酸铵、硫酸钠、硫酸钾、硫酸氢铵、硫酸氢钠、硫酸氢钾、硫酸钙、硫酸铈铵、硫酸铁、硫酸铜、硫酸镁、硫酸铅、硫酸羟铵、胺磺酸、胺磺酸铵、过氧二硫酸铵、伸乙二胺硫酸盐、苯胺硫酸盐及腺嘌呤硫酸盐所组成的群组中选择出来的磺酸化合物、磷酸、及硝酸。

3. 发明专利

TW200730667A 鈀選擇性蝕刻液及蝕刻選擇性控制方法 PALLADIUM SELECTIVE ETCHING SOLUTION AND METHOD OF CONTROLLING ETCHING SELECTIVITY 审中-公开
简体标题：钯选择性蚀刻液及蚀刻选择性控制方法 PALLADIUM SELECTIVE ETCHING SOLUTION AND METHOD OF CONTROLLING ETCHING SELECTIVITY
公开(公告)号：TW200730667A
公开(公告)日：2007-08-16
申请号：TW095139778
申请日：2006-10-27
申请人：關東化學股份有限公司 KANTO KAGAKU KABUSHIKI KAISHA
发明人：高橋秀樹 TAKAHASHI, HIDEKI
IPC分类号： C23F , H01L
CPC分类号： C23F1/40 , C09K13/00 , C23F1/00 , H01L21/32134
摘要：本發明之蝕刻液係對鈀與金共存之材料進行蝕刻之碘系蝕刻液,其含有選自由含氮五員環化合物、醇化合物、醯胺化合物、酮化合物、硫氰酸化合物、胺化合物、及醯亞胺化合物所組成的群組中至少1種添加劑,對鈀與對金之蝕刻速度比(對鈀之蝕刻速度/對金之蝕刻速度)為1以上。
简体摘要：本发明之蚀刻液系对钯与金共存之材料进行蚀刻之碘系蚀刻液,其含有选自由含氮五员环化合物、醇化合物、酰胺化合物、酮化合物、硫氰酸化合物、胺化合物、及酰亚胺化合物所组成的群组中至少1种添加剂,对钯与对金之蚀刻速度比(对钯之蚀刻速度/对金之蚀刻速度)为1以上。

4. 发明专利

TW200604337A 清潔溶液及半導體裝置之製造方法 CLEANING SOLUTION AND MANUFACTURING METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICE 审中-公开
简体标题：清洁溶液及半导体设备之制造方法 CLEANING SOLUTION AND MANUFACTURING METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICE
公开(公告)号：TW200604337A
公开(公告)日：2006-02-01
申请号：TW094113497
申请日：2005-04-27
申请人：關東化學股份有限公司 KANTO KAGAKU KABUSHIKI KAISHA
发明人：青木秀充 AOKI, HIDEMITSU , 鈴木達也 SUZUKI, TATSUYA , 大和田拓央 OHWADA, TAKUO , 池上薰 IKEGAMI, KAORU , 石川典夫 ISHIKAWA, NORIO
IPC分类号： C11D , H01L
CPC分类号： H01L21/02063 , C11D7/08 , C11D7/10 , C11D7/265 , C11D11/0047 , G03F7/426
摘要：一種半導體裝置之製造方法，係於形成有矽化鎳層的矽基板上形成層間絕緣膜，其於該層間絕緣膜上形成光阻圖案，以該光阻圖案作為遮罩進行乾式蝕刻後，將前述光阻圖案以灰化去除以在層間絕緣膜上形成通孔。然後將經灰化處理的晶圓以清潔溶液清潔，該清潔溶液係由含有氟化物1.0～5.0質量％、蟄合劑0.2～5.0質量％及有機酸鹽0.1～3.0質量％的水溶液所構成。
简体摘要：一种半导体设备之制造方法，系于形成有硅化镍层的硅基板上形成层间绝缘膜，其于该层间绝缘膜上形成光阻图案，以该光阻图案作为遮罩进行干式蚀刻后，将前述光阻图案以灰化去除以在层间绝缘膜上形成通孔。然后将经灰化处理的晶圆以清洁溶液清洁，该清洁溶液系由含有氟化物1.0～5.0质量％、蛰合剂0.2～5.0质量％及有机酸盐0.1～3.0质量％的水溶液所构成。

5. 发明专利

TW200525012A 光阻材料殘渣去除劑組成物及使用該組成物之半導體電路元件之製造方法 PHOTORESIST RESIDUE REMOVER COMPOSITION AND SEMICONDUCTOR CIRCUIT ELEMENT PRODUCTION PROCESS EMPLOYING SAID COMPOSITION 失效
简体标题：光阻材料残渣去除剂组成物及使用该组成物之半导体电路组件之制造方法 PHOTORESIST RESIDUE REMOVER COMPOSITION AND SEMICONDUCTOR CIRCUIT ELEMENT PRODUCTION PROCESS EMPLOYING SAID COMPOSITION
公开(公告)号：TW200525012A
公开(公告)日：2005-08-01
申请号：TW093137640
申请日：2004-12-06
申请人：關東化學股份有限公司 KANTO KAGAKU KABUSHIKI KAISHA , 東芝股份有限公司 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：川本浩 KAWAMOTO, HIROSHI , 宮里美季江 MIYASATO, MIKIE , 大和田拓央 OOWADA, TAKUO , 石川典夫 ISHIKAWA, NORIO
IPC分类号： C09K
CPC分类号： G03F7/423 , H01L21/02063 , H01L21/02071
摘要：提供一種光阻材料殘渣去除液組成物，對在半導體電路元件之製程，乾式蝕刻後所殘留的光阻材料殘渣之去除性較高，可以充分地抑制對以鋁、銅、鎢、及以各自金屬為主成分之合金等所產生之腐蝕，因為沒有調配有機溶劑等有機化合物，所以環境負荷較小，具有優良的保存安定性。一種光阻材料殘渣去除液組成物，及使用該光阻材料殘渣去除液之半導體電路元件之製造方法，該光阻材料殘渣去除液組成物係調配無機酸和無機氟化合物中各自1種或2種以上。
简体摘要：提供一种光阻材料残渣去除液组成物，对在半导体电路组件之制程，干式蚀刻后所残留的光阻材料残渣之去除性较高，可以充分地抑制对以铝、铜、钨、及以各自金属为主成分之合金等所产生之腐蚀，因为没有调配有机溶剂等有机化合物，所以环境负荷较小，具有优良的保存安定性。一种光阻材料残渣去除液组成物，及使用该光阻材料残渣去除液之半导体电路组件之制造方法，该光阻材料残渣去除液组成物系调配无机酸和无机氟化合物中各自1种或2种以上。

6. 发明专利

TW200519228A 金屬膜之蝕刻液組成物 ETCHING SOLUTION COMPOSITION FOR METAL FILMS 失效
简体标题：金属膜之蚀刻液组成物 ETCHING SOLUTION COMPOSITION FOR METAL FILMS
公开(公告)号：TW200519228A
公开(公告)日：2005-06-16
申请号：TW093136040
申请日：2004-11-23
申请人：關東化學股份有限公司 KANTO KAGAKU KABUSHIKI KAISHA , 三洋電機股份有限公司 SANYO ELECTRIC CO., LTD. , 新潟三洋電子股份有限公司 NIIGATA SANYO ELECTRONIC CO., LTD.
发明人：藤川和宏 FUJIKAWA, KAZUHIRO , 田湖次廣 TAGO, TSUGUHIRO
IPC分类号： C23F
CPC分类号： C23F1/20 , H01L21/32134
摘要：提供一種蝕刻液組成物，可以控制性良好地對金屬膜進行蝕刻，形成目標錐狀而且平滑的表面，同時沒有蝕刻溶液滲入痕跡。一種蝕刻金屬膜之蝕刻液組成物，其特徵為，含有選由自硫酸烷酯或是全氟烯基苯基醚磺酸及其等之鹽類所組成群組中1種或是2種以上之表面活性劑。
简体摘要：提供一种蚀刻液组成物，可以控制性良好地对金属膜进行蚀刻，形成目标锥状而且平滑的表面，同时没有蚀刻溶液渗入痕迹。一种蚀刻金属膜之蚀刻液组成物，其特征为，含有选由自硫酸烷酯或是全氟烯基苯基醚磺酸及其等之盐类所组成群组中1种或是2种以上之表面活性剂。

7. 发明专利

TWI228283B 光阻膜剝離液組成物 COMPOSITION FOR PHOTORESIST REMOVING SOLUTION 有权
简体标题：光阻膜剥离液组成物 COMPOSITION FOR PHOTORESIST REMOVING SOLUTION
公开(公告)号：TWI228283B
公开(公告)日：2005-02-21
申请号：TW088102590
申请日：1999-02-23
申请人：關東化學股份有限公司 KANTO KAGAKU KABUSHIKI KAISHA
发明人：石川典夫 NORIO ISHIKAWA , 須賀正典 MASANORI SUGA , 森清人 KIYOTO MORI
IPC分类号： H01L , G03F
CPC分类号： G03F7/42
摘要：本發明提供一種光阻膜剝離液組成物，於半導體電路元件之製造步驟的乾蝕刻及光阻灰化後的光阻殘餘物可予良好的去除，且對各種金屬材料之不具腐蝕性的光阻膜剝離液組成物，以含有由脂肪族聚羧酸及其鹽類與胺基聚羧酸及其鹽選擇的1種或2種以上之聚羧酸及/或其鹽當作有效成分為特徵的光阻膜剝離液組成物。
简体摘要：本发明提供一种光阻膜剥离液组成物，于半导体电路组件之制造步骤的干蚀刻及光阻灰化后的光阻残余物可予良好的去除，且对各种金属材料之不具腐蚀性的光阻膜剥离液组成物，以含有由脂肪族聚羧酸及其盐类与胺基聚羧酸及其盐选择的1种或2种以上之聚羧酸及/或其盐当作有效成分为特征的光阻膜剥离液组成物。

8. 发明专利

TWI222128B 半導體基板之化學溶液處理設備 CHEMICAL SOLUTION TREATMENT APPARATUS FOR SEMICONDUCTOR SUBSTRATE 失效
简体标题：半导体基板之化学溶液处理设备 CHEMICAL SOLUTION TREATMENT APPARATUS FOR SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
公开(公告)号：TWI222128B
公开(公告)日：2004-10-11
申请号：TW091135236
申请日：2002-12-04
申请人： NEC電子股份有限公司 NEC ELECTRONICS CORPORATION , 關東化學股份有限公司 KANTO KAGAKU KABUSHIKI KAISHA
发明人：渡邊香織 WATANABE, KAORI , 青木秀充 HIDEMITSU AOKI , 石川典夫 NORIO ISHIKAWA , 森清人 MORI, KIYOTO
IPC分类号： H01L , B08B
CPC分类号： H01L21/6708 , Y10S134/902
摘要：一種半導體基板之化學溶液處理設備，係藉由一化學溶液而溶解並去除附著於半導體基板的釕基金屬，包含：一化學溶液處理單元，用以使半導體基板與化學溶液接觸；一儲存單元，用以儲存化學溶液處理單元所使用之化學溶液；及一化學溶液循環系統，其包括儲存單元、一用以將儲存單元之中的化學溶液供應至化學溶液處理單元的化學溶液供應裝置、及一用以將化學溶液處理單元所使用之化學溶液回收至儲存單元的化學溶液回收裝置，其中：化學溶液處理單元包括一供應化學溶液至半導體基板的化學溶液供應噴嘴、及一回收已使用之化學溶液的回收機構；儲存單元之結構係具有得以使化學溶液與其接觸的一間隙部，俾能在化學溶液循環期間，使化學溶液處理設備所溶解並欲去除的釕基金屬所衍生出的氣體成分從化學溶液之中揮發出來、及具有用以將揮發氣體成分強制排出儲存單元之外的一排氣管；及化學溶液在接觸半導體基板之後起，其存在於化學溶液處理單元之中的期間係小於存在於儲存單元之中的期間。
简体摘要：一种半导体基板之化学溶液处理设备，系借由一化学溶液而溶解并去除附着于半导体基板的钌基金属，包含：一化学溶液处理单元，用以使半导体基板与化学溶液接触；一存储单元，用以存储化学溶液处理单元所使用之化学溶液；及一化学溶液循环系统，其包括存储单元、一用以将存储单元之中的化学溶液供应至化学溶液处理单元的化学溶液供应设备、及一用以将化学溶液处理单元所使用之化学溶液回收至存储单元的化学溶液回收设备，其中：化学溶液处理单元包括一供应化学溶液至半导体基板的化学溶液供应喷嘴、及一回收已使用之化学溶液的回收机构；存储单元之结构系具有得以使化学溶液与其接触的一间隙部，俾能在化学溶液循环期间，使化学溶液处理设备所溶解并欲去除的钌基金属所衍生出的气体成分从化学溶液之中挥发出来、及具有用以将挥发气体成分强制排出存储单元之外的一排气管；及化学溶液在接触半导体基板之后起，其存在于化学溶液处理单元之中的期间系小于存在于存储单元之中的期间。

9. 发明专利

TW200936922A 液體自動供給裝置中的閥開閉計數方法审中-公开
简体标题：液体自动供给设备中的阀开闭计数方法
公开(公告)号：TW200936922A
公开(公告)日：2009-09-01
申请号：TW097144218
申请日：2008-11-14
申请人：關東化學股份有限公司 KANTO KAGAKU KABUSHIKI KAISHA , 日曹工程股份有限公司 NISSO ENGINEERING CO., LTD
发明人：西郡和弘 NISHIGORI, KAZUHIRO , 小宮三男 KOMIYA, MITSUO , 鮫島健太郎 SAMEJIMA, KENTARO , 八卷善和 YAMAKI, YOSHIKAZU , 平下尚治 HIRASHITA, NAOHARU
IPC分类号： F16K , G05B , G06M
摘要：【課題】對於運轉中的液體自動供給裝置中所使用的空氣驅動閥、電磁閥,能夠計數該電磁閥的開閉次數,例如利用在預定時間內計數而得的累積開閉次數,可準確地判斷空氣驅動閥、電磁閥的檢查或壽命時期。【解決手段】本發明的液體自動供給裝置中的閥開閉計數方法,係被適用於將液體貯藏部1與處理部2之間,經由配管3以及上述液體貯藏部側或/及上述處理部側的空氣驅動閥4而接續在一起,且從藉由控制裝置7而被控制的電磁閥5,供給壓縮氣體至空氣驅動閥4這樣的液體自動供給裝置,其特徵為:具有被配置成可之後附加在用以接續控制裝置7與電磁閥5的配線6a-6c上之非接觸型直流電流感測器8、以及計數直流電流感測器8的檢測信號之計數器9;計數器9計數上述檢測信號,作為電磁閥5的累積開閉次數而表示出來。
简体摘要：【课题】对于运转中的液体自动供给设备中所使用的空气驱动阀、电磁阀,能够计数该电磁阀的开闭次数,例如利用在预定时间内计数而得的累积开闭次数,可准确地判断空气驱动阀、电磁阀的检查或寿命时期。【解决手段】本发明的液体自动供给设备中的阀开闭计数方法,系被适用于将液体贮藏部1与处理部2之间,经由配管3以及上述液体贮藏部侧或/及上述处理部侧的空气驱动阀4而接续在一起,且从借由控制设备7而被控制的电磁阀5,供给压缩气体至空气驱动阀4这样的液体自动供给设备,其特征为:具有被配置成可之后附加在用以接续控制设备7与电磁阀5的配线6a-6c上之非接触型直流电流传感器8、以及计数直流电流传感器8的检测信号之计数器9;计数器9计数上述检测信号,作为电磁阀5的累积开闭次数而表示出来。

10. 发明专利

TW200815945A 正型光阻處理液及顯像液 POSITIVE RESIST TREATING LIQUID COMPOSITION AND DEVELOPER 审中-公开
简体标题：正型光阻处理液及显像液 POSITIVE RESIST TREATING LIQUID COMPOSITION AND DEVELOPER
公开(公告)号：TW200815945A
公开(公告)日：2008-04-01
申请号：TW096129692
申请日：2007-08-10
申请人：關東化學股份有限公司 KANTO KAGAKU KABUSHIKI KAISHA
发明人：村上豐 MURAKAMI, YUTAKA , 石川典夫 ISHIKAWA, NORIO
IPC分类号： G03F , H01L
CPC分类号： G03F7/322
摘要：本發明係有關於一種正型光阻處理液組成物,係由含有下述通式(Ⅰ):
096129692P01.bmp
(式中,R1 及 R3 係各自表示甲基,R2 係表示碳數 12~18 之烷基)所示的氫氧化第四級銨之水溶液所構成。
简体摘要：本发明系有关于一种正型光阻处理液组成物,系由含有下述通式(Ⅰ): 096129692P01.bmp (式中,R1 及 R3 系各自表示甲基,R2 系表示碳数 12~18 之烷基)所示的氢氧化第四级铵之水溶液所构成。

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