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1. 发明专利

TW200936297A 加工廢液處理裝置(二) 审中-公开
简体标题：加工废液处理设备(二)
公开(公告)号：TW200936297A
公开(公告)日：2009-09-01
申请号：TW097149253
申请日：2008-12-17
申请人：迪思科股份有限公司 DISCO CORPORATION
发明人：風呂中武 FURONAKA, TAKESHI , 吉田幹 YOSHIDA, MIKI
IPC分类号： B23Q , B24B
摘要：本發明之目的在於提供一種可利用加工廢液處理裝置之純水溫度調整機構冷卻裝配於切削裝置等加工裝置之心軸組件的廢液處理裝置。為了達到前述目的,本發明係一種加工廢液處理裝置,其係鄰接配設於加工裝置,並可處理在以加工機構進行加工時所供給之加工液因加工而產生之加工廢液者,而前述加工裝置包含有具有使用以加工被加工物之工具旋轉之心軸組件的加工機構。又,將經廢液過濾機構及純水形成機構而從加工廢液精製成純水調整成預定溫度之純水溫度調整機構包含有:將經純水形成機構精製之純水調整成預定溫度之熱交換器;用以冷卻導入熱交換器之冷卻液的冷卻器;用以貯存冷卻液之冷卻液槽;將貯存於冷卻液槽之冷卻液供給至冷卻器之冷卻液供給泵;將通過前述熱交換器之冷卻液導入前述心軸組件之第1配管;及使導入心軸組件並冷卻心軸組件之冷卻液回到冷卻液槽的第2配管。
简体摘要：本发明之目的在于提供一种可利用加工废液处理设备之纯水温度调整机构冷却装配于切削设备等加工设备之心轴组件的废液处理设备。为了达到前述目的,本发明系一种加工废液处理设备,其系邻接配设于加工设备,并可处理在以加工机构进行加工时所供给之加工液因加工而产生之加工废液者,而前述加工设备包含有具有使用以加工被加工物之工具旋转之心轴组件的加工机构。又,将经废液过滤机构及纯水形成机构而从加工废液精制成纯水调整成预定温度之纯水温度调整机构包含有:将经纯水形成机构精制之纯水调整成预定温度之热交换器;用以冷却导入热交换器之冷却液的冷却器;用以贮存冷却液之冷却液槽;将贮存于冷却液槽之冷却液供给至冷却器之冷却液供给泵;将通过前述热交换器之冷却液导入前述心轴组件之第1配管;及使导入心轴组件并冷却心轴组件之冷却液回到冷却液槽的第2配管。

2. 发明专利

TW200931566A 保護膜被覆裝置审中-公开
简体标题：保护膜被覆设备
公开(公告)号：TW200931566A
公开(公告)日：2009-07-16
申请号：TW097140327
申请日：2008-10-21
申请人：迪思科股份有限公司 DISCO CORPORATION
发明人：檜垣岳彥 HIGAKI, TAKEHIKO
IPC分类号： H01L , B23K
摘要：本發明之課題係避免於晶圓的加工面未被覆保護膜之狀態下進行雷射加工,本發明之解決手段係對於以含有可吸收紫外線光之波長之光的成分之液狀樹脂而形成保護膜之晶圓的加工面,藉由光照射機構而照射紫外線光之波長區域之光,並以檢測機構來檢測有無該反射光,當檢測出反射光時,藉由通知機構而通報未被覆保護膜之主旨,故,當晶圓的加工面上有未被覆保護膜之區域或部分時,紫外線光之波長區域的反射光係未被保護膜吸收而加以檢測出,藉此可確認於加工面未被覆有保護膜之狀態,並可藉由通報該結果而採取被覆機構的檢查、保護膜的重新被覆等對策。
简体摘要：本发明之课题系避免于晶圆的加工面未被覆保护膜之状态下进行激光加工,本发明之解决手段系对于以含有可吸收紫外线光之波长之光的成分之液状树脂而形成保护膜之晶圆的加工面,借由光照射机构而照射紫外线光之波长区域之光,并以检测机构来检测有无该反射光,当检测出反射光时,借由通知机构而通报未被覆保护膜之主旨,故,当晶圆的加工面上有未被覆保护膜之区域或部分时,紫外线光之波长区域的反射光系未被保护膜吸收而加以检测出,借此可确认于加工面未被覆有保护膜之状态,并可借由通报该结果而采取被覆机构的检查、保护膜的重新被覆等对策。

3. 发明专利

TW200926283A 晶圓分割方法审中-公开
简体标题：晶圆分割方法
公开(公告)号：TW200926283A
公开(公告)日：2009-06-16
申请号：TW097140314
申请日：2008-10-21
申请人：迪思科股份有限公司 DISCO CORPORATION
发明人：荒井一尚 ARAI, KAZUHISA
IPC分类号： H01L
摘要：本發明之課題係提供一種可沿形成格子狀之切割道有效率地分割複數個晶圓之晶圓分割方法。本發明提供一種晶圓分割方法,其係將以於表面形成格子狀之切割道劃分複數個區域,於該已劃分之區域形成有複數個裝置之晶圓沿該切割道分割成諸個裝置者,其具有在將複數個光裝置晶圓貼合於裝設在環狀框架之切割膠帶表面的狀態下,對複數晶圓執行對晶圓沿切割道照射雷射光線,沿切割道形成雷射加工溝之雷射加工溝形成步驟、沿形成有雷射加工溝之切割道分割成諸個裝置之分割步驟及將分割成諸個之裝置從切割膠帶剝離後拾取之拾取步驟。
简体摘要：本发明之课题系提供一种可沿形成格子状之切割道有效率地分割复数个晶圆之晶圆分割方法。本发明提供一种晶圆分割方法,其系将以于表面形成格子状之切割道划分复数个区域,于该已划分之区域形成有复数个设备之晶圆沿该切割道分割成诸个设备者,其具有在将复数个光设备晶圆贴合于装设在环状框架之切割胶带表面的状态下,对复数晶圆运行对晶圆沿切割道照射激光光线,沿切割道形成激光加工沟之激光加工沟形成步骤、沿形成有激光加工沟之切割道分割成诸个设备之分割步骤及将分割成诸个之设备从切割胶带剥离后十取之十取步骤。

4. 发明专利

TW200922725A 雷射加工裝置审中-公开
简体标题：激光加工设备
公开(公告)号：TW200922725A
公开(公告)日：2009-06-01
申请号：TW097135455
申请日：2008-09-16
申请人：迪思科股份有限公司 DISCO CORPORATION
发明人：淺野健司 ASANO, KENJI , 森數洋司 MORIKAZU, HIROSHI , 高橋邦充 TAKAHASHI, KUNIMITSU
IPC分类号： B23K , H01L
CPC分类号： G01N21/73 , B23K26/032 , B23K26/0853 , G01J3/443 , G01N2021/8416 , G01N2201/0697 , H01L21/67253
摘要：本發明之課題係提供可在不於接合墊形成孔下,於晶圓之基板形成到達接合墊之通孔之雷射加工裝置。本發明之雷射加工裝置包含有保持晶圓之夾盤及對保持於該夾盤之晶圓照射脈衝雷射光線之雷射光線照射機構,並且包含有電漿檢測機構及控制機構。該電漿檢測機構具有接收藉從雷射光線照射機構對被加工物照射雷射光線而產生之電漿的電漿受光機構、及解析以電漿受光機構接收之電漿之光譜的光譜解析機構。該控制機構依該電漿檢測機構之光譜解析機構之光譜解析信號,判定被加工物之材質,以控制該雷射光線照射機構。
简体摘要：本发明之课题系提供可在不于接合垫形成孔下,于晶圆之基板形成到达接合垫之通孔之激光加工设备。本发明之激光加工设备包含有保持晶圆之夹盘及对保持于该夹盘之晶圆照射脉冲激光光线之激光光线照射机构,并且包含有等离子检测机构及控制机构。该等离子检测机构具有接收藉从激光光线照射机构对被加工物照射激光光线而产生之等离子的等离子受光机构、及解析以等离子受光机构接收之等离子之光谱的光谱解析机构。该控制机构依该等离子检测机构之光谱解析机构之光谱解析信号,判定被加工物之材质,以控制该激光光线照射机构。

5. 发明专利

TW200921777A 半導體裝置之製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TW200921777A
公开(公告)日：2009-05-16
申请号：TW097134535
申请日：2008-09-09
申请人：迪思科股份有限公司 DISCO CORPORATION
发明人：中村勝 NAKAMURA, MASARU
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/67092 , B23K26/009 , B23K26/364 , B23K26/40 , B23K2203/172 , B23K2203/42 , B23K2203/50 , H01L21/67132 , H01L21/6835 , H01L21/78 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/83 , H01L2221/68336 , H01L2224/274 , H01L2224/2919 , H01L2224/83191 , H01L2224/8385 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01015 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0106 , H01L2924/01074 , H01L2924/01082 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , H01L2924/14 , H01L2924/0635 , H01L2924/00 , H01L2924/3512
摘要：本發明之目的係提供一種半導體裝置之製造方法,該半導體裝置之製造方法可將晶粒結合用接著膜安裝於業已藉由預先切割法所分割之個別裝置之內面且不會降低裝置之品質,又,達成前述目的之方法係一種半導體裝置之製造方法,其係將業已於藉由於表面形成為格子狀之複數切割道所劃分之複數領域上形成裝置之晶圓,沿著切割道分割成個別之裝置,同時於各裝置之內面安裝晶粒結合用接著膜者。又,在將接著膜安裝於業已藉由預先切割法使沿著切割道所形成之切削溝露出並分割成個別裝置之晶圓內面後,實施接著膜熔斷程序,且前述接著膜熔斷程序係自黏貼於晶圓表面之保護膠帶側,通過切削溝而沿著切削溝將雷射光線照射至接著膜,並沿著切削溝熔斷接著膜。
简体摘要：本发明之目的系提供一种半导体设备之制造方法,该半导体设备之制造方法可将晶粒结合用接着膜安装于业已借由预先切割法所分割之个别设备之内面且不会降低设备之品质,又,达成前述目的之方法系一种半导体设备之制造方法,其系将业已于借由于表面形成为格子状之复数切割道所划分之复数领域上形成设备之晶圆,沿着切割道分割成个别之设备,同时于各设备之内面安装晶粒结合用接着膜者。又,在将接着膜安装于业已借由预先切割法使沿着切割道所形成之切削沟露出并分割成个别设备之晶圆内面后,实施接着膜熔断进程,且前述接着膜熔断进程系自黏贴于晶圆表面之保护胶带侧,通过切削沟而沿着切削沟将激光光线照射至接着膜,并沿着切削沟熔断接着膜。

6. 发明专利

TW200920533A 雷射加工裝置审中-公开
简体标题：激光加工设备
公开(公告)号：TW200920533A
公开(公告)日：2009-05-16
申请号：TW097134538
申请日：2008-09-09
申请人：迪思科股份有限公司 DISCO CORPORATION
发明人：中村勝 NAKAMURA, MASARU
IPC分类号： B23K , H01L
CPC分类号： B23K26/0853 , B23K26/0006 , B23K2201/40 , B23K2203/56
摘要：本發明之課題在於提供於外周形成有圓弧狀倒角之晶圓可在不於倒角部產生刮除加工下,沿切割道形成變質層之雷射加工裝置。本發明之雷射加工裝置包含有對保持於夾盤之晶圓照射雷射光線之雷射光線照射機構及控制機構;雷射光線照射機構具有將對晶圓具有透射性之波長之雷射光線振盪之雷射光線振盪器、設定從該雷射光線振盪器振盪之雷射光線之脈衝之多重頻率之多重頻率設定機構、對應於以多重頻率設定機構設定之多重頻率,將閘信號輸出至雷射光線振盪器之Q開關;控制機構具有記憶形成於晶圓外周之圓弧狀倒角部之座標及以倒角部圍繞之平面部之座標之記憶體,且控制多重頻率設定機構,以將對平面部照射之雷射光線之脈衝之多重頻率設定成適合晶圓加工之値,並且將對倒角部照射之雷射光線之脈衝之多重頻率設定成高於對平面部照射之雷射光線之脈衝之多重頻率的値。
简体摘要：本发明之课题在于提供于外周形成有圆弧状倒角之晶圆可在不于倒角部产生刮除加工下,沿切割道形成变质层之激光加工设备。本发明之激光加工设备包含有对保持于夹盘之晶圆照射激光光线之激光光线照射机构及控制机构;激光光线照射机构具有将对晶圆具有透射性之波长之激光光线振荡之激光光线振荡器、设置从该激光光线振荡器振荡之激光光线之脉冲之多重频率之多重频率设置机构、对应于以多重频率设置机构设置之多重频率,将闸信号输出至激光光线振荡器之Q开关;控制机构具有记忆形成于晶圆外周之圆弧状倒角部之座标及以倒角部围绕之平面部之座标之内存,且控制多重频率设置机构,以将对平面部照射之激光光线之脉冲之多重频率设置成适合晶圆加工之値,并且将对倒角部照射之激光光线之脉冲之多重频率设置成高于对平面部照射之激光光线之脉冲之多重频率的値。

7. 发明专利

TW200918271A 切削裝置之切削刀具檢測機構审中-公开
简体标题：切削设备之切削刀具检测机构
公开(公告)号：TW200918271A
公开(公告)日：2009-05-01
申请号：TW097131538
申请日：2008-08-19
申请人：迪思科股份有限公司 DISCO CORPORATION
发明人：石井茂 ISHI, SHIGERU , 和泉邦治 IZUMI, KUNIHARU , 平賀洋行 HIRAGA, HIROYUKI
IPC分类号： B26D , H01L
摘要：本發明之課題係提供在不將發光體及受光體階段性地調節成切削刀具之徑方向的情形下,可檢測切削刀具之環狀切削刀片之使用範圍之切削刀具檢測機構。本發明切削裝置之切削刀具檢測機構包含有配設於切削刀具之旋轉軸方向之一側,且該切削刀具具有用以切削保持於保持被加工物之夾盤之被加工物的環狀切削刀片之發光機構;及於切削刀具之旋轉軸方向之另一側與該發光機構相對配設,且接收以發光機構照射之光之受光機構。該發光機構並列配設有將具截面圓形之發光面之複數光纖分別於該切削刀具之徑方向相鄰配設成直列之第1發光體群及第2發光體群,並且構成該第1發光體群之複數光纖之發光面與構成該第2發光體群之複數光纖之發光面相互偏移一個半徑量而配設。該受光機構並列配設有將具有與構成該發光機構之複數光纖直徑相同之直徑,且具截面圓形之受光面之複數光纖分別於該切削刀具之徑方向相鄰配設成直列之第1受光體群及第2受光體群,並且構成該第1受光體群之複數光纖之受光面與構成該第2受光體群之複數光纖之受光面相互偏移一個半徑量而配設。又,該第1受光體群與該第2受光體群分別與該第1發光體群及該第2發光體群相對配設。
简体摘要：本发明之课题系提供在不将发光体及受光体阶段性地调节成切削刀具之径方向的情形下,可检测切削刀具之环状切削刀片之使用范围之切削刀具检测机构。本发明切削设备之切削刀具检测机构包含有配设于切削刀具之旋转轴方向之一侧,且该切削刀具具有用以切削保持于保持被加工物之夹盘之被加工物的环状切削刀片之发光机构;及于切削刀具之旋转轴方向之另一侧与该发光机构相对配设,且接收以发光机构照射之光之受光机构。该发光机构并列配设有将具截面圆形之发光面之复数光纤分别于该切削刀具之径方向相邻配设成直列之第1发光体群及第2发光体群,并且构成该第1发光体群之复数光纤之发光面与构成该第2发光体群之复数光纤之发光面相互偏移一个半径量而配设。该受光机构并列配设有将具有与构成该发光机构之复数光纤直径相同之直径,且具截面圆形之受光面之复数光纤分别于该切削刀具之径方向相邻配设成直列之第1受光体群及第2受光体群,并且构成该第1受光体群之复数光纤之受光面与构成该第2受光体群之复数光纤之受光面相互偏移一个半径量而配设。又,该第1受光体群与该第2受光体群分别与该第1发光体群及该第2发光体群相对配设。

8. 发明专利

TW200917372A 晶圓之研削方法审中-公开
简体标题：晶圆之研削方法
公开(公告)号：TW200917372A
公开(公告)日：2009-04-16
申请号：TW097131913
申请日：2008-08-21
申请人：迪思科股份有限公司 DISCO CORPORATION
发明人： 山啓一 KAJIYAMA, KEIICHI , 增田隆俊 MASUDA, TAKATOSHI , 渡邊真也 WATANABE, SHINYA , 青木繁彥 AOKI, SHIGEHIKO , 星川裕俊 HOSHIKAWA, HIROTOSHI , 小林義和 KOBAYASHI, YOSHIKAZU , 原田晴司 HARADA, SEIJI , 山本節男 YAMAMOTO, SETSUO
IPC分类号： H01L , B28D
CPC分类号： B24D7/18 , B24B1/00 , B24B7/228
摘要：本發明之課題在於即使研削晶圓裏面,也可產生除氣效果,而不會使元件之抗折强度降低。一種晶圓之研削方法,係在將表面形成有複數元件之晶圓的裏面研削後,藉由除氣效果抑制重金屬的遊離,並且將抗折强度維持在大略1000MPa以上者,研削輪係使用由以玻化熔解法(vitrified bond)固定粒徑在1��m以下之鑽石磨粒的研削磨石固定於基台之自由端所構成者,且將保護構件貼附於晶圓表面,並利用夾頭台保持該保護構件,並且一面使該夾頭台旋轉,一面使該研削輪旋轉,藉由該研削磨石研削該晶圓之裏面,使該裏面之面粗糙度的平均値在0.003��m以下,且殘存於該晶圓裏面之應變層的厚度為0.05��m。
简体摘要：本发明之课题在于即使研削晶圆里面,也可产生除气效果,而不会使组件之抗折强度降低。一种晶圆之研削方法,系在将表面形成有复数组件之晶圆的里面研削后,借由除气效果抑制重金属的游离,并且将抗折强度维持在大略1000MPa以上者,研削轮系使用由以玻化熔解法(vitrified bond)固定粒径在1��m以下之钻石磨粒的研削磨石固定于基台之自由端所构成者,且将保护构件贴附于晶圆表面,并利用夹头台保持该保护构件,并且一面使该夹头台旋转,一面使该研削轮旋转,借由该研削磨石研削该晶圆之里面,使该里面之面粗糙度的平均値在0.003��m以下,且残存于该晶圆里面之应变层的厚度为0.05��m。

9. 发明专利

TW200915404A 切削裝置审中-公开
简体标题：切削设备
公开(公告)号：TW200915404A
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：TW097127615
申请日：2008-07-21
申请人：迪思科股份有限公司 DISCO CORPORATION
发明人：石井茂 ISHII, SHIGERU , 平賀洋行 HIRAGA, HIROYUKI , 古澤博輝 FURUSAWA, HIROKI
IPC分类号： H01L , B28D
摘要：一種切削裝置,係用以在將切削刀片的屬性輸入切削裝置時改善其作業性者。該切削裝置係將切削刀片收容於形成有記錄其屬性資訊的記錄碼之刀片盒中,且包含有:盒架,係由用以插入刀片盒之開口部及用以讀取記錄碼之讀取機構所構成者;及記憶機構,係用以記憶讀取機構所讀取之資訊者,並且只要將刀片盒插入盒架中,即可使關於切削刀片的屬性之資訊記憶於記憶機構中。
简体摘要：一种切削设备,系用以在将切削刀片的属性输入切削设备时改善其作业性者。该切削设备系将切削刀片收容于形成有记录其属性信息的记录码之刀片盒中,且包含有:盒架,系由用以插入刀片盒之开口部及用以读取记录码之读取机构所构成者;及记忆机构,系用以记忆读取机构所读取之信息者,并且只要将刀片盒插入盒架中,即可使关于切削刀片的属性之信息记忆于记忆机构中。

10. 发明专利

TW200913030A 擴張方法及擴張裝置审中-公开
简体标题：扩张方法及扩张设备
公开(公告)号：TW200913030A
公开(公告)日：2009-03-16
申请号：TW097125869
申请日：2008-07-09
申请人：迪思科股份有限公司 DISCO CORPORATION
发明人：五十勝通 ISOHATA, KATSUYUKI
IPC分类号： H01L
摘要：本發明之課題係將被加工物之接著薄膜擴張時,確實地確認接著薄膜是否對應裝置晶片分割。將從匣盒取出之被加工物以定位機構定位於一定位置後,以各移載機構,經由待機平台,移動至擴張平台。接著,以擴張平台將接著薄膜擴張後,以加熱平台將切割膠帶加熱。將切割膠帶業經加熱之被加工物載置於夾盤,以拍攝機構拍攝晶圓1之表面。以此拍攝之影像為基礎,以影像處理機構判斷接著薄膜是否對應半導體晶片被分割。
简体摘要：本发明之课题系将被加工物之接着薄膜扩张时,确实地确认接着薄膜是否对应设备芯片分割。将从匣盒取出之被加工物以定位机构定位于一定位置后,以各移载机构,经由待机平台,移动至扩张平台。接着,以扩张平台将接着薄膜扩张后,以加热平台将切割胶带加热。将切割胶带业经加热之被加工物载置于夹盘,以拍摄机构拍摄晶圆1之表面。以此拍摄之影像为基础,以影像处理机构判断接着薄膜是否对应半导体芯片被分割。

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