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1. 发明专利

TW200938859A 多晶片探針儀审中-公开
简体标题：多芯片探针仪
公开(公告)号：TW200938859A
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：TW097108724
申请日：2008-03-12
申请人：東京精密股份有限公司 TOKYO SEIMITSU CO., LTD.
发明人：八木慎一郎 YAGI, SHINICHIRO , 田子一弘 TAGO, KATSUHIRO
IPC分类号： G01R
摘要：本發明係關於多晶片探針儀,其揭示可高效率檢查以分離狀態施行檢查之晶片。本發明之多晶片探針儀,包含:載台26,其係保持分離後之複數晶片14;針頭31,其係具有同時接觸於2個以上特定數晶片之電極15之複數針33、33A、33E;電極位置檢測機構29,其係檢測保持於載台之複數晶片之電極位置;及複數針位置調整機構36B-36H,其係調整各針之位置;藉複數針位置調整機構,以對應於所檢測出之複數晶片之電極位置之方式,調整複數針之位置,而使複數針同時接觸於複數晶片之電極。
简体摘要：本发明系关于多芯片探针仪,其揭示可高效率检查以分离状态施行检查之芯片。本发明之多芯片探针仪,包含:载台26,其系保持分离后之复数芯片14;针头31,其系具有同时接触于2个以上特定数芯片之电极15之复数针33、33A、33E;电极位置检测机构29,其系检测保持于载台之复数芯片之电极位置;及复数针位置调整机构36B-36H,其系调整各针之位置;藉复数针位置调整机构,以对应于所检测出之复数芯片之电极位置之方式,调整复数针之位置,而使复数针同时接触于复数芯片之电极。

2. 发明专利

TWI309848B 薄膜剝離方法及薄膜剝離裝置有权
简体标题：薄膜剥离方法及薄膜剥离设备
公开(公告)号：TWI309848B
公开(公告)日：2009-05-11
申请号：TW095124566
申请日：2006-07-05
申请人：東京精密股份有限公司 TOKYO SEIMITSU CO., LTD.
发明人：金澤雅喜 KANAZAWA, MASAKI
IPC分类号： H01L , B32B
CPC分类号： H01L21/67132 , B23K26/40 , B23K2203/50 , H01L21/3043 , H01L21/68764 , Y10T29/49815 , Y10T29/49819 , Y10T29/49822 , Y10T29/53683 , Y10T156/1092 , Y10T156/1168 , Y10T156/195
摘要：本發明提供一種薄膜剝離裝置,其係剝離貼附於包含晶圓(20)外周部之第一部分(121)及位於較該第一部分更內側之第二部分(122)上的薄膜(3)之薄膜剝離裝置(100),其中具備:移動機構(61、62),其使第一部分及/或第二部分相對移動,以便晶圓第一部分之薄膜位於較第二部分之薄膜更上方;膠帶輸送機構(142),其於貼附於第一及第二部分之薄膜上輸送剝離膠帶(103);及剝離機構(146),其將自膠帶輸送機構所輸送之剝離膠帶僅按壓於第一部分之薄膜上並使其沿第一部分移動,藉此自晶圓之第一及第二部分剝離薄膜。藉此,於剝離表面保護薄膜時,可防止晶圓破損。
简体摘要：本发明提供一种薄膜剥离设备,其系剥离贴附于包含晶圆(20)外周部之第一部分(121)及位于较该第一部分更内侧之第二部分(122)上的薄膜(3)之薄膜剥离设备(100),其中具备:移动机构(61、62),其使第一部分及/或第二部分相对移动,以便晶圆第一部分之薄膜位于较第二部分之薄膜更上方;胶带输送机构(142),其于贴附于第一及第二部分之薄膜上输送剥离胶带(103);及剥离机构(146),其将自胶带输送机构所输送之剥离胶带仅按压于第一部分之薄膜上并使其沿第一部分移动,借此自晶圆之第一及第二部分剥离薄膜。借此,于剥离表面保护薄膜时,可防止晶圆破损。

3. 发明专利

TW200845176A 化學機械研磨裝置之研磨條件管理裝置及研磨條件管理方法 POLISHING CONDITION CONTROL APPARATUS AND POLISHING CONDITION CONTROL METHOD OF CMP APPARATUS 审中-公开
简体标题：化学机械研磨设备之研磨条件管理设备及研磨条件管理方法 POLISHING CONDITION CONTROL APPARATUS AND POLISHING CONDITION CONTROL METHOD OF CMP APPARATUS
公开(公告)号：TW200845176A
公开(公告)日：2008-11-16
申请号：TW097111044
申请日：2008-03-27
申请人：日本東京精密股份有限公司 TOKYO SEIMITSU CO., LTD.
发明人：橫山利幸 TOSHIYUKI YOKOYAMA , 藤田隆 TAKASHI FUJITA , 田中克典 KATSUNORI TANAKA
IPC分类号： H01L , B24B
CPC分类号： B24B49/03 , B24B51/00
摘要： [課題]消除晶圓之膜厚不均,提高研磨效率以圖謀降低維持費用(running cost)及提升良率。[解決手段]CMP裝置1係具備測定研磨前之晶圓的膜厚的膜厚監視設備6、使晶圓的研磨速度、研磨壓力等之研磨條件能成為最適當地作成研磨條件之研磨秘訣作成設備7、依據最適當研磨條件及前述測定値來預測該晶圓的研磨時間之研磨時間預測設備、和測定晶圓的實際研磨時間之研磨時間測定設備、及依據該研磨時間的測定値等而進行研磨條件的管理等之電腦9。再者,電腦9具備算出前述研磨時間的測定値與預測値之差的算出部23、及使該算出的差能成為最小般地修正、變更前述研磨條件的研磨條件修正、變更部24,且盡可能即時進行研磨條件之修正、變更。
简体摘要： [课题]消除晶圆之膜厚不均,提高研磨效率以图谋降低维持费用(running cost)及提升良率。[解决手段]CMP设备1系具备测定研磨前之晶圆的膜厚的膜厚监视设备6、使晶圆的研磨速度、研磨压力等之研磨条件能成为最适当地作成研磨条件之研磨秘诀作成设备7、依据最适当研磨条件及前述测定値来预测该晶圆的研磨时间之研磨时间预测设备、和测定晶圆的实际研磨时间之研磨时间测定设备、及依据该研磨时间的测定値等而进行研磨条件的管理等之电脑9。再者,电脑9具备算出前述研磨时间的测定値与预测値之差的算出部23、及使该算出的差能成为最小般地修正、变更前述研磨条件的研磨条件修正、变更部24,且尽可能实时进行研磨条件之修正、变更。

4. 发明专利

TW200827667A 應用共振現象之終點檢測方法、終點檢測裝置和搭載有終點檢測裝置之化學機械研磨裝置、以及利用化學機械研磨裝置做成的半導體裝置 END POINT DETECTION METHOD APPLYING RESONANCE PHENOMENON, END POINT DETECTION APPARATUS, CHEMICAL MECHANICAL POLISHING APPARATUS ON WHICH THE DETECTION APPARATUS IS LOADED, AND SEMICONDUCTOR DEVICE FABRICATED BY THE CHEMICAL MECHANICAL POLISHING APPARATUS 审中-公开
简体标题：应用共振现象之终点检测方法、终点检测设备和搭载有终点检测设备之化学机械研磨设备、以及利用化学机械研磨设备做成的半导体设备 END POINT DETECTION METHOD APPLYING RESONANCE PHENOMENON, END POINT DETECTION APPARATUS, CHEMICAL MECHANICAL POLISHING APPARATUS ON WHICH THE DETECTION APPARATUS IS LOADED, AND SEMICONDUCTOR DEVICE FABRICATED BY THE CHEMICAL MECHANICAL POLISHING APPARATUS
公开(公告)号：TW200827667A
公开(公告)日：2008-07-01
申请号：TW096131318
申请日：2007-08-24
申请人：日本東京精密股份有限公司 TOKYO SEIMITSU CO., LTD.
发明人：北出惠太 KEITA KITADE , 松下治 OSAMU MATSUSHITA , 藤田隆 TAKASHI FUJITA , 橫山利幸 TOSHIYUKI YOKOYAMA
IPC分类号： G01B , B24B
CPC分类号： B24B37/013 , H01L22/26 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：本發明之目的在於,提供一種應用共振現象之終點檢測方法、終點檢測裝置和搭載有終點檢測裝置之化學機械研磨裝置,係即時監視導電性膜之膜厚變化而精確地檢測該導電性膜的研磨終點,並在不產生雜訊的情形下,可圖謀低消耗電力以降低成本。本發明為達成上述目的,乃提供一種應用共振現象之終點檢測方法,其係檢測將導電性膜研磨並除去適當厚度時的研磨終點之終點檢測方法,係使用由具備著平面電感器和集中常數電容器之柯匹次型等的振盪電路所構成的感測器,從與平面電感器對峙的導電性膜之膜厚變化所伴同之感測器的振盪頻率之變化,來即時監視導電性膜之膜厚變化。
简体摘要：本发明之目的在于,提供一种应用共振现象之终点检测方法、终点检测设备和搭载有终点检测设备之化学机械研磨设备,系实时监视导电性膜之膜厚变化而精确地检测该导电性膜的研磨终点,并在不产生噪声的情形下,可图谋低消耗电力以降低成本。本发明为达成上述目的,乃提供一种应用共振现象之终点检测方法,其系检测将导电性膜研磨并除去适当厚度时的研磨终点之终点检测方法,系使用由具备着平面电感器和集中常数电容器之柯匹次型等的振荡电路所构成的传感器,从与平面电感器对峙的导电性膜之膜厚变化所伴同之传感器的振荡频率之变化,来实时监视导电性膜之膜厚变化。

5. 发明专利

TW200807535A 工件處理裝置 WORKPIECE PROCESSING DEVICE 审中-公开
简体标题：工件处理设备 WORKPIECE PROCESSING DEVICE
公开(公告)号：TW200807535A
公开(公告)日：2008-02-01
申请号：TW096118215
申请日：2007-05-22
申请人：東京精密股份有限公司 TOKYO SEIMITSU CO., LTD.
发明人：川島勇 KAWASHIMA, ISAMU , 佐藤英志 SATO, HIDESHI , 木野秀夫 KINO, HIDEO , 雨谷稔 AMETANI, MINORU
IPC分类号： H01L , B65H
CPC分类号： H01L21/67132 , H01L21/67294 , Y10S414/135 , Y10S438/976 , Y10T156/1105 , Y10T156/17 , Y10T156/1906 , Y10T156/1978
摘要：一種工件處理裝置(10),其用於處理一工件(60、20、36)且包括:一表面保護膜剝離構件(50),其用於藉助一剝離剝離膠帶(4)剝離一黏著至工件之正表面(21)之表面保護膜(110);一條碼黏著構件(11),其用於將一對應於工件之條碼(65)黏著至該工件;及一可移動支撐台(72),其用於支撐該工件。在該工件由該支撐台支撐之時,對該工件實施一藉由該表面保護膜剝離構件進行之剝離該表面保護膜之剝離作業及一藉由該條碼黏著構件進行之黏著一條碼之黏著作業。因上述緣由,可避免在將該條碼黏著至例如一晶圓之工件時出現失敗。該條碼黏著構件可將由一光學讀取構件讀出之對應於工件之字元資訊之條碼黏著至工件。
简体摘要：一种工件处理设备(10),其用于处理一工件(60、20、36)且包括:一表面保护膜剥离构件(50),其用于借助一剥离剥离胶带(4)剥离一黏着至工件之正表面(21)之表面保护膜(110);一条码黏着构件(11),其用于将一对应于工件之条码(65)黏着至该工件;及一可移动支撑台(72),其用于支撑该工件。在该工件由该支撑台支撑之时,对该工件实施一借由该表面保护膜剥离构件进行之剥离该表面保护膜之剥离作业及一借由该条码黏着构件进行之黏着一条码之黏着作业。因上述缘由,可避免在将该条码黏着至例如一晶圆之工件时出现失败。该条码黏着构件可将由一光学读取构件读出之对应于工件之字符信息之条码黏着至工件。

6. 发明专利

TW200805466A 晶圓清洗裝置审中-公开
简体标题：晶圆清洗设备
公开(公告)号：TW200805466A
公开(公告)日：2008-01-16
申请号：TW095144849
申请日：2006-12-01
申请人：東京精密股份有限公司 TOKYO SEIMITSU CO., LTD.
发明人：今井忍 IMAI, SHINOBU
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/67051
摘要：本發明提供一種藉由清洗能力的提昇就能夠提高生產量之切割裝置的晶圓清洗裝置。本發明的自旋洗滌機24,具有3聯的噴嘴50、50、50。此外,自旋洗滌機24,具備擺動馬達54,該擺動馬達54,是由控制器26使其速度控制成以一定速度將噴嘴頭48沿著被固定在自旋洗滌機平台48上的晶圓W表面移動。再加上,自旋洗滌機24其噴嘴50形成的清洗水擴散角度是設定成指定角度,使噴嘴50對晶圓W進行清洗時的清洗水噴射區域70是形成為橢圓形。另外,相鄰的噴嘴50、50、50的清洗水噴射區域70、70、70於晶圓W的表面是形成為一部份重疊,噴嘴頭48的移動軌跡72是設定成可使重疊的清洗水噴射區域72、72的其中之一通過自旋洗滌機平台48上所固定的晶圓W的中心O。
简体摘要：本发明提供一种借由清洗能力的提升就能够提高生产量之切割设备的晶圆清洗设备。本发明的自旋洗涤机24,具有3联的喷嘴50、50、50。此外,自旋洗涤机24,具备摆动马达54,该摆动马达54,是由控制器26使其速度控制成以一定速度将喷嘴头48沿着被固定在自旋洗涤机平台48上的晶圆W表面移动。再加上,自旋洗涤机24其喷嘴50形成的清洗水扩散角度是设置成指定角度,使喷嘴50对晶圆W进行清洗时的清洗水喷射区域70是形成为椭圆形。另外,相邻的喷嘴50、50、50的清洗水喷射区域70、70、70于晶圆W的表面是形成为一部份重叠,喷嘴头48的移动轨迹72是设置成可使重叠的清洗水喷射区域72、72的其中之一通过自旋洗涤机平台48上所固定的晶圆W的中心O。

7. 发明专利

TW200741842A 晶圓處理裝置 WAFER PROCESSING APPARATUS 审中-公开
简体标题：晶圆处理设备 WAFER PROCESSING APPARATUS
公开(公告)号：TW200741842A
公开(公告)日：2007-11-01
申请号：TW096101852
申请日：2007-01-18
申请人：東京精密股份有限公司 TOKYO SEIMITSU CO., LTD.
发明人：雨谷稔 AMETANI, MINORU
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/67132 , Y10T156/1179 , Y10T156/19 , Y10T156/1906
摘要：本發明提供一種用於處理一晶圓(20)之晶圓處理裝置(10),該晶圓(20)係於其上形成有至少一電路圖案之前表面(21)上附著有一表面保護膜(110),該晶圓處理裝置(10)包括:一切割帶施用單元(30),其用於將一切割帶(3)附著於一框架(36)及該晶圓上;一剩餘切割帶捲取單元(40),其用於捲取附著於該框架及該晶圓上之該切割帶的剩餘部分;及一表面保護膜剝落單元(50),其用於使用一剝落帶(4)而將該表面保護膜自該晶圓剝落。該切割帶施用單元、該剩餘切割帶捲取單元及該表面保護膜剝落單元中之至少一者以其次序可滑動地配置於共同軌道(91、92)上。因此,可容易地裝載帶及進行對每一單元之維護工作。
简体摘要：本发明提供一种用于处理一晶圆(20)之晶圆处理设备(10),该晶圆(20)系于其上形成有至少一电路图案之前表面(21)上附着有一表面保护膜(110),该晶圆处理设备(10)包括:一切割带施用单元(30),其用于将一切割带(3)附着于一框架(36)及该晶圆上;一剩余切割带卷取单元(40),其用于卷取附着于该框架及该晶圆上之该切割带的剩余部分;及一表面保护膜剥落单元(50),其用于使用一剥落带(4)而将该表面保护膜自该晶圆剥落。该切割带施用单元、该剩余切割带卷取单元及该表面保护膜剥落单元中之至少一者以其次序可滑动地配置于共同轨道(91、92)上。因此,可容易地装载带及进行对每一单元之维护工作。

8. 发明专利

TWI234800B DAF帶黏貼裝置及DAF帶黏貼方法 DAF TAPE ADHERING APPARATUS AND DAF TAPE ADHERING METHOD 失效
简体标题： DAF带黏贴设备及DAF带黏贴方法 DAF TAPE ADHERING APPARATUS AND DAF TAPE ADHERING METHOD
公开(公告)号：TWI234800B
公开(公告)日：2005-06-21
申请号：TW093102922
申请日：2004-02-09
申请人：東京精密股份有限公司 TOKYO SEIMITSU CO., LTD.
发明人：小林一雄 KOBAYASHI, KAZUO
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/67132 , H01L24/743 , H01L2224/743 , H01L2924/00
摘要：本發明係一種用於黏貼一DAF帶之方法，及一種利用該方法之DAF帶黏貼裝置。一晶圓被牢固於一下部窯內之一平檯，一DAF帶由下部窯所支撐，一上部窯被配置相對於下部窯，再者，上部窯內之壓力係相對高於下部窯內之壓力，俾鼓漲DAF帶及黏貼DAF帶至晶圓。一可朝向DAF帶移動之檯桌，可被採用。一空氣供應部件可於上部窯被提供。藉由自空氣供應部件供應空氣，可令上部窯內之壓力高於下部窯內之壓力。一連接至下部窯之真空源可被提供，俾降低下部窯內之壓力。於DAF帶上之皺紋構型及於DAF帶下方之氣泡生成可被防止。
简体摘要：本发明系一种用于黏贴一DAF带之方法，及一种利用该方法之DAF带黏贴设备。一晶圆被牢固于一下部窑内之一平台，一DAF带由下部窑所支撑，一上部窑被配置相对于下部窑，再者，上部窑内之压力系相对高于下部窑内之压力，俾鼓涨DAF带及黏贴DAF带至晶圆。一可朝向DAF带移动之台桌，可被采用。一空气供应部件可于上部窑被提供。借由自空气供应部件供应空气，可令上部窑内之压力高于下部窑内之压力。一连接至下部窑之真空源可被提供，俾降低下部窑内之压力。于DAF带上之皱纹构型及于DAF带下方之气泡生成可被防止。

9. 发明专利

TW200511407A 板狀構件的分割方法及分割裝置审中-公开
简体标题：板状构件的分割方法及分割设备
公开(公告)号：TW200511407A
公开(公告)日：2005-03-16
申请号：TW093112776
申请日：2004-05-06
申请人：東京精密股份有限公司 TOKYO SEIMITSU CO., LTD.
发明人：酒谷康之 SAKAYA, YASUYUKI , 東正幸 AZUMA, MASAYUKI
IPC分类号： H01L , B28D
CPC分类号： H01L21/67132 , B23K26/0057 , B23K26/40 , B23K2201/40 , B23K2203/50 , B28D5/0011 , B28D5/0052
摘要：在本發明之板狀構件的分割方法及分割裝置中，係在由硬脆材質所成之板狀構件表面或內部形成線狀修正區域，並沿著前述線狀修正區域分割板狀構件，以藉此獲得複數個基板。板狀構件的分割方法係具有：在前述板狀構件表面黏貼膠帶之膠帶黏貼製程；在貼有膠帶之板狀構件表面或內部形成線狀修正區域之修正區域形成製程；以及在修正區域形成製程之後，對膠帶施加張力以進行拉伸之延展製程。於延展製程中，對膠帶照射UV光。藉此方式，可精確地製造出端面形狀良好的極薄基板，而不會產生未割斷部分或碎屑或缺口。
简体摘要：在本发明之板状构件的分割方法及分割设备中，系在由硬脆材质所成之板状构件表面或内部形成线状修正区域，并沿着前述线状修正区域分割板状构件，以借此获得复数个基板。板状构件的分割方法系具有：在前述板状构件表面黏贴胶带之胶带黏贴制程；在贴有胶带之板状构件表面或内部形成线状修正区域之修正区域形成制程；以及在修正区域形成制程之后，对胶带施加张力以进行拉伸之延展制程。于延展制程中，对胶带照射UV光。借此方式，可精确地制造出端面形状良好的极薄基板，而不会产生未割断部分或碎屑或缺口。

10. 发明专利

TW200504805A 晶圓處理裝置及晶圓處理方法 WAFER PROCESSING APPARATUS AND WAFER PROCESSING METHOD 失效
简体标题：晶圆处理设备及晶圆处理方法 WAFER PROCESSING APPARATUS AND WAFER PROCESSING METHOD
公开(公告)号：TW200504805A
公开(公告)日：2005-02-01
申请号：TW093115810
申请日：2004-06-02
申请人：東京精密股份有限公司 TOKYO SEIMITSU CO., LTD.
发明人：川島勇 KAWASHIMA, ISAMU
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/67132 , H01L21/67115 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/6839
摘要：本發明揭示一種晶圓處理方法，其包含以下步驟：藉由黏附於該晶圓底面之一切割膠帶，將其正面上具有一表面保護膠帶黏附其上之一晶圓的全部固定至一框架上；以紫外線照射該晶圓之切割膠帶；及從該晶圓之正面拆卸該表面保護膠帶，其中利用該紫外線照射部分以紫外線照射該切割膠帶之一照射操作及利用該拆卸部分拆卸該表面保護膠帶之一拆卸操作的發生順序係根據利用該紫外線照射部分執行一紫外線照射操作前後該表面保護膠帶之黏著力及該切割膠帶之黏著力之間的關係來決定；及揭示一種用於執行該方法的晶圓處理裝置。該裝置進一步包含讀取及辨識設置在該晶圓及該框架之至少其中之一上之一辨識標誌的一辨識部分。因此，即可決定一紫外線照射操作及一表面保護膠帶拆卸操作的發生順序。
简体摘要：本发明揭示一种晶圆处理方法，其包含以下步骤：借由黏附于该晶圆底面之一切割胶带，将其正面上具有一表面保护胶带黏附其上之一晶圆的全部固定至一框架上；以紫外线照射该晶圆之切割胶带；及从该晶圆之正面拆卸该表面保护胶带，其中利用该紫外线照射部分以紫外线照射该切割胶带之一照射操作及利用该拆卸部分拆卸该表面保护胶带之一拆卸操作的发生顺序系根据利用该紫外线照射部分运行一紫外线照射操作前后该表面保护胶带之黏着力及该切割胶带之黏着力之间的关系来决定；及揭示一种用于运行该方法的晶圆处理设备。该设备进一步包含读取及辨识设置在该晶圆及该框架之至少其中之一上之一辨识标志的一辨识部分。因此，即可决定一紫外线照射操作及一表面保护胶带拆卸操作的发生顺序。

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