专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TWI458864B 二氧化矽玻璃坩鍋和用二氧化矽玻璃坩鍋提拉單晶矽的方法有权
简体标题：二氧化硅玻璃坩锅和用二氧化硅玻璃坩锅提拉单晶硅的方法
公开(公告)号：TWI458864B
公开(公告)日：2014-11-01
申请号：TW098122141
申请日：2009-06-30
申请人：日本超精石英股份有限公司 , JAPAN SUPER QUARTZ CORPORATION
发明人：岸弘史 , KISHI, HIROSHI
IPC分类号： C30B15/10 , C30B29/06
CPC分类号： C30B15/10 , C30B11/002 , C30B13/14 , C30B35/002 , Y10T117/1032

2. 发明专利

TWI435960B 氧化矽玻璃坩堝以及矽錠的製造方法有权
简体标题：氧化硅玻璃坩埚以及硅锭的制造方法
公开(公告)号：TWI435960B
公开(公告)日：2014-05-01
申请号：TW100122052
申请日：2011-06-23
申请人：日本超精石英股份有限公司 , JAPAN SUPER QUARTZ CORPORATION
发明人：須藤俊明 , SUDO, TOSHIAKI , 岸弘史 , KISHI, HIROSHI
IPC分类号： C30B15/10
CPC分类号： C30B15/10 , C30B29/06 , C30B35/002 , Y10T117/1032

3. 发明专利

TWI417258B 氧化矽玻璃坩堝及其製造方法有权
简体标题：氧化硅玻璃坩埚及其制造方法
公开(公告)号：TWI417258B
公开(公告)日：2013-12-01
申请号：TW100149379
申请日：2011-12-28
申请人：日本超精石英股份有限公司 , JAPAN SUPER QUARTZ CORPORATION
发明人：須藤俊明 , SUDO, TOSHIAKI , 佐藤平 , SATO, TAIRA , 池端修一 , IKEHATA, SHUICHI , 莊內學 , SYONAI, MANABU , 西卓二 , NISHI, TAKUJI , 佐藤孝也 , SATOU, TAKAYA , 山崎真介 , YAMAZAKI, SHINSUKE
IPC分类号： C03B19/09 , C30B15/10
CPC分类号： C03C23/0025 , C03B19/095 , C30B15/00 , C30B15/10 , C30B35/002 , Y10T117/10

4. 发明专利

TWI415806B 氧化矽玻璃坩堝的製造方法有权
简体标题：氧化硅玻璃坩埚的制造方法
公开(公告)号：TWI415806B
公开(公告)日：2013-11-21
申请号：TW100144490
申请日：2011-12-02
申请人：日本超精石英股份有限公司 , JAPAN SUPER QUARTZ CORPORATION
发明人：須藤俊明 , SUDO, TOSHIAKI , 吉岡拓麿 , YOSHIOKA, TAKUMA
IPC分类号： C03B19/09 , C03B20/00
CPC分类号： C03B19/095 , Y02P40/57

5. 发明专利

TWI413714B 石英玻璃坩堝用塞、石英玻璃坩堝及其操作方法有权
简体标题：石英玻璃坩埚用塞、石英玻璃坩埚及其操作方法
公开(公告)号：TWI413714B
公开(公告)日：2013-11-01
申请号：TW099106604
申请日：2010-03-08
申请人：日本超精石英股份有限公司 , JAPAN SUPER QUARTZ CORPORATION
发明人：佐藤賢 , SATO, MASARU , 大原真美 , OHARA, MASAMI
IPC分类号： C30B35/00
CPC分类号： C30B15/10 , C30B11/002 , C30B35/002 , Y10T117/1032

6. 发明专利

TWI413620B 氧化矽玻璃坩堝有权
简体标题：氧化硅玻璃坩埚
公开(公告)号：TWI413620B
公开(公告)日：2013-11-01
申请号：TW100144488
申请日：2011-12-02
申请人：日本超精石英股份有限公司 , JAPAN SUPER QUARTZ CORPORATION
发明人：須藤俊明 , SUDO, TOSHIAKI , 岸弘史 , KISHI, HIROSHI , 北原賢 , KITAHARA, KEN
IPC分类号： C03B20/00 , C30B15/10 , C30B29/06
CPC分类号： C30B15/10 , C03B19/095 , Y10T117/10 , Y10T117/1024 , Y10T117/1032

7. 发明专利

TWI410535B 矽單晶拉引用石英玻璃坩堝有权
简体标题：硅单晶拉引用石英玻璃坩埚
公开(公告)号：TWI410535B
公开(公告)日：2013-10-01
申请号：TW099109029
申请日：2010-03-25
申请人：日本超精石英股份有限公司 , JAPAN SUPER QUARTZ CORPORATION
发明人：小玉真喜子 , KODAMA, MAKIKO , 岸弘史 , KISHI, HIROSHI , 神田稔 , KANDA, MINORU
IPC分类号： C30B15/10
CPC分类号： C30B15/10 , C30B29/06 , C30B35/002

8. 发明专利

TW201333278A 氧化矽玻璃坩堝及其單晶矽的生產方法审中-公开
简体标题：氧化硅玻璃坩埚及其单晶硅的生产方法
公开(公告)号：TW201333278A
公开(公告)日：2013-08-16
申请号：TW101140631
申请日：2012-11-01
申请人：日本超精石英股份有限公司 , JAPAN SUPER QUARTZ CORPORATION
发明人：須藤俊明 , SUDO, TOSHIAKI , 佐藤忠広 , SATO, TADAHIRO , 北原江梨子 , KITAHARA, ERIKO , 藤田剛司 , FUJITA, TAKESHI
IPC分类号： C30B15/10
CPC分类号： C30B15/10 , C30B15/20 , C30B29/06 , Y10T117/1032
摘要：有效地抑制氧化矽玻璃坩堝的壓曲以及側壁部向坩堝內部的翻倒。另外，抑制在矽單晶上發生位錯，從而提高單晶收率。提供一種用於單晶矽的提拉的氧化矽玻璃坩堝，其具備：具有上面開口的邊緣部的圓筒狀的側壁部、由曲線構成的研缽狀的底部、和連接側壁部和底部的彎曲部。在通過該氧化矽玻璃坩堝的旋轉軸的截面上，以彎曲部的內表面的曲率從側壁部朝向底部的方向緩慢增大的方式設置。
简体摘要：有效地抑制氧化硅玻璃坩埚的压曲以及侧壁部向坩埚内部的翻倒。另外，抑制在硅单晶上发生位错，从而提高单晶收率。提供一种用於单晶硅的提拉的氧化硅玻璃坩埚，其具备：具有上面开口的边缘部的圆筒状的侧壁部、由曲线构成的研钵状的底部、和连接侧壁部和底部的弯曲部。在通过该氧化硅玻璃坩埚的旋转轴的截面上，以弯曲部的内表面的曲率从侧壁部朝向底部的方向缓慢增大的方式设置。

9. 实用新型

TWM455725U 氧化矽玻璃坩堝製造裝置有权
简体标题：氧化硅玻璃坩埚制造设备
公开(公告)号：TWM455725U
公开(公告)日：2013-06-21
申请号：TW101221197
申请日：2012-11-01
申请人：日本超精石英股份有限公司 , JAPAN SUPER QUARTZ CORPORATION
发明人：須藤俊明 , SUDO, TOSHIAKI , 佐藤忠広 , SATO, TADAHIRO , 山崎真介 , YAMAZAKI, SHINSUKE , 飛田修司 , TOBITA, SHUJI , 藤田剛司 , FUJITA, TAKESHI , 岸弘史 , KISHI, HIROSHI
IPC分类号： C03B20/00
CPC分类号： C03B19/095 , C30B15/10 , C30B29/06

10. 发明专利

TW201229333A 氧化矽玻璃坩堝的製造方法 METHOD OF MANUFACTURING VITREOUS SILICA CRUCIBLE 审中-公开
简体标题：氧化硅玻璃坩埚的制造方法 METHOD OF MANUFACTURING VITREOUS SILICA CRUCIBLE
公开(公告)号：TW201229333A
公开(公告)日：2012-07-16
申请号：TW100149381
申请日：2011-12-28
申请人：日本超精石英股份有限公司
发明人：須藤俊明 , 鈴木江梨子
IPC分类号： C30B , C03B
CPC分类号： C03B19/095 , G01J5/0022 , Y02P40/57
摘要：一種製造內表面的狀態(坩堝內表面特性)等得到適當控制的氧化矽玻璃坩堝的製造方法，在旋轉的模具(10)內，藉由多個碳電極(13)的電弧放電加熱熔化由氧化矽粉末構成的氧化矽粉層(11)，製造氧化矽玻璃坩堝，包括：對於選自由氧化矽粉層(11)、熔化時發生的煙塵、以及因電弧放電而產生的電弧火焰組成的條件群組的一種以上，預先求出加熱熔化時的最佳溫度；對於已求出最佳溫度的選自上述群的一種以上，測量在加熱熔化時的實際溫度；以及溫度控制製程，對於已測量實際溫度的選自上述群的一種以上，控制實際溫度以成為最佳溫度。
简体摘要：一种制造内表面的状态(坩埚内表面特性)等得到适当控制的氧化硅玻璃坩埚的制造方法，在旋转的模具(10)内，借由多个碳电极(13)的电弧放电加热熔化由氧化硅粉末构成的氧化硅粉层(11)，制造氧化硅玻璃坩埚，包括：对于选自由氧化硅粉层(11)、熔化时发生的烟尘、以及因电弧放电而产生的电弧火焰组成的条件群组的一种以上，预先求出加热熔化时的最佳温度；对于已求出最佳温度的选自上述群的一种以上，测量在加热熔化时的实际温度；以及温度控制制程，对于已测量实际温度的选自上述群的一种以上，控制实际温度以成为最佳温度。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式