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1. 发明专利

TWI394721B 單晶矽拉晶用二氧化矽玻璃坩堝有权
简体标题：单晶硅拉晶用二氧化硅玻璃坩埚
公开(公告)号：TWI394721B
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：TW099125480
申请日：2010-07-30
申请人：日本超精石英股份有限公司 , JAPAN SUPER QUARTZ CORPORATION
发明人：佐藤賢 , SATO, MASARU
IPC分类号： C03B20/00 , C30B15/10 , C30B29/06
CPC分类号： C03B19/095 , C30B15/10 , C30B29/06 , C30B35/002 , Y02P40/57 , Y10T117/1032

2. 发明专利

TWI413714B 石英玻璃坩堝用塞、石英玻璃坩堝及其操作方法有权
简体标题：石英玻璃坩埚用塞、石英玻璃坩埚及其操作方法
公开(公告)号：TWI413714B
公开(公告)日：2013-11-01
申请号：TW099106604
申请日：2010-03-08
申请人：日本超精石英股份有限公司 , JAPAN SUPER QUARTZ CORPORATION
发明人：佐藤賢 , SATO, MASARU , 大原真美 , OHARA, MASAMI
IPC分类号： C30B35/00
CPC分类号： C30B15/10 , C30B11/002 , C30B35/002 , Y10T117/1032

3. 发明专利

TWI448592B 石英玻璃坩堝之製造方法失效
简体标题：石英玻璃坩埚之制造方法
公开(公告)号：TWI448592B
公开(公告)日：2014-08-11
申请号：TW098129990
申请日：2009-09-07
申请人：日本超精石英股份有限公司 , JAPAN SUPER QUARTZ CORPORATION
发明人：原田和浩 , HARADA, KAZUHIRO , 佐藤忠廣 , SATO, TADAHIRO , 佐藤賢 , SATO, MASARU
IPC分类号： C30B15/10 , C03B20/00 , C30B29/06

4. 发明专利

TWI398384B 石英玻璃坩堝用蓋、石英玻璃坩堝及其使用處理方法有权
简体标题：石英玻璃坩埚用盖、石英玻璃坩埚及其使用处理方法
公开(公告)号：TWI398384B
公开(公告)日：2013-06-11
申请号：TW099117747
申请日：2010-06-02
申请人：日本超精石英股份有限公司 , JAPAN SUPER QUARTZ CORPORATION , 勝高股份有限公司 , SUMCO CORPORATION
发明人：佐藤賢 , SATO, MASARU , 大原真美 , OHARA, MASAMI , 高瀬伸光 , TAKASE, NOBUMITSU
IPC分类号： B65D43/08 , B65D43/10 , C03B20/00 , C30B15/10
CPC分类号： C30B15/10 , C30B29/06

5. 发明专利

TWI410381B 玻璃坩堝之切割方法及切割裝置有权
简体标题：玻璃坩埚之切割方法及切割设备
公开(公告)号：TWI410381B
公开(公告)日：2013-10-01
申请号：TW098129991
申请日：2009-09-07
申请人：日本超精石英股份有限公司 , JAPAN SUPER QUARTZ CORPORATION
发明人：佐藤賢 , SATO, MASARU
IPC分类号： C03B33/06 , B26D3/16

6. 发明专利

TW201107197A 石英玻璃坩堝用蓋、石英玻璃坩堝及其安裝方法 COVER FOR VITREOUS SILICA CRUCIBLE, VITREOUS SILICA CRUCIBLE AND HANDLING METHOD THEREOF 审中-公开
简体标题：石英玻璃坩埚用盖、石英玻璃坩埚及其安装方法 COVER FOR VITREOUS SILICA CRUCIBLE, VITREOUS SILICA CRUCIBLE AND HANDLING METHOD THEREOF
公开(公告)号：TW201107197A
公开(公告)日：2011-03-01
申请号：TW099117747
申请日：2010-06-02
申请人：日本超精石英股份有限公司 , 勝高股份有限公司
发明人：佐藤賢 , 大原真美 , 高瀬伸光
IPC分类号： B65D , C03B , C30B
CPC分类号： C30B15/10 , C30B29/06
摘要：本發明藉由提供一種避免坩堝原料粉末侵入到坩堝內表面的方法，可靠地避免在坩堝的實際使用時期為止異物侵入到石英玻璃坩堝內部，從而能夠在不受污染狀態下使用處理坩堝。一種安裝在石英玻璃坩堝1的開口部2上的蓋3，其具有緊密接合在所述開口部2的外周端2a上的凸緣部4。
简体摘要：本发明借由提供一种避免坩埚原料粉末侵入到坩埚内表面的方法，可靠地避免在坩埚的实际使用时期为止异物侵入到石英玻璃坩埚内部，从而能够在不受污染状态下使用处理坩埚。一种安装在石英玻璃坩埚1的开口部2上的盖3，其具有紧密接合在所述开口部2的外周端2a上的凸缘部4。

7. 发明专利

TW201033417A 石英玻璃坩堝用塞、石英玻璃坩堝及其操作方法 PLUG FOR QUARTZ CRUCIBLE, QUARTZ CRUCIBLE AND OPERATING METHOD THEREOF 审中-公开
简体标题：石英玻璃坩埚用塞、石英玻璃坩埚及其操作方法 PLUG FOR QUARTZ CRUCIBLE, QUARTZ CRUCIBLE AND OPERATING METHOD THEREOF
公开(公告)号：TW201033417A
公开(公告)日：2010-09-16
申请号：TW099106604
申请日：2010-03-08
申请人：日本超精石英股份有限公司
发明人：佐藤賢 , 大原真美
IPC分类号： C30B
CPC分类号： C30B15/10 , C30B11/002 , C30B35/002 , Y10T117/1032
摘要：本發明藉由提供一種避免坩堝原料粉末侵入到坩堝內表面的方法，至坩堝的實際的使用時期為止確實地避免異物侵入到石英玻璃坩堝內部，從而能夠在不受污染的狀態下操作坩堝。一種石英玻璃坩堝用塞，安裝在石英玻璃坩堝的開口部，且包含與所述開口部的內周端密接的周緣安裝部的塞安裝於坩鍋。
简体摘要：本发明借由提供一种避免坩埚原料粉末侵入到坩埚内表面的方法，至坩埚的实际的使用时期为止确实地避免异物侵入到石英玻璃坩埚内部，从而能够在不受污染的状态下操作坩埚。一种石英玻璃坩埚用塞，安装在石英玻璃坩埚的开口部，且包含与所述开口部的内周端密接的周缘安装部的塞安装于坩锅。

8. 发明专利

TW201109484A 石英玻璃坩堝及其製造方法 SILICA GLASS CRUCIBLE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME 失效
简体标题：石英玻璃坩埚及其制造方法 SILICA GLASS CRUCIBLE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
公开(公告)号：TW201109484A
公开(公告)日：2011-03-16
申请号：TW098129990
申请日：2009-09-07
申请人：日本超精石英股份有限公司
发明人：原田和浩 , 佐藤忠廣 , 佐藤賢
IPC分类号： C30B , C03B
摘要：本發明提供一種石英玻璃坩堝及其製造方法,其係矽單晶之提拉中所使用之石英玻璃坩堝,內面層之均質性優異、且內面層之氣泡含有率較低。於石英玻璃坩堝之製造中,坩堝之內面層30由合成石英粉所形成,尤其,該內面層30之內側部分31由第1合成石英粉所形成,該內面層30之表面側部分32由具有較第1合成石英粉小之平均粒度之第2合成石英粉所形成。第2合成石英粉之平均粒徑較第1合成石英粉之平均粒徑小10��m以上。
简体摘要：本发明提供一种石英玻璃坩埚及其制造方法,其系硅单晶之提拉中所使用之石英玻璃坩埚,内面层之均质性优异、且内面层之气泡含有率较低。于石英玻璃坩埚之制造中,坩埚之内面层30由合成石英粉所形成,尤其,该内面层30之内侧部分31由第1合成石英粉所形成,该内面层30之表面侧部分32由具有较第1合成石英粉小之平均粒度之第2合成石英粉所形成。第2合成石英粉之平均粒径较第1合成石英粉之平均粒径小10��m以上。

9. 发明专利

TW201109282A 玻璃坩堝之切割方法及切割裝置 METHOD AND DEVICE FOR CUTTING GLASS CRUCIBLE 审中-公开
简体标题：玻璃坩埚之切割方法及切割设备 METHOD AND DEVICE FOR CUTTING GLASS CRUCIBLE
公开(公告)号：TW201109282A
公开(公告)日：2011-03-16
申请号：TW098129991
申请日：2009-09-07
申请人：日本超精石英股份有限公司
发明人：佐藤賢
IPC分类号： C03B , B26D
摘要：本發明提供一種不會於切割部位產生破損而可平滑地切割玻璃坩堝之邊緣部等之切割方法及裝置。玻璃坩堝之切割裝置具備:相對於坩堝而水平設置之圓板狀的切割刃10、切割刃10之旋轉單元、使切割刃10於坩堝之圓周方向上移動之切割刃移動單元、及坩堝20之旋轉單元。不使坩堝20旋轉而使旋轉之切割刃10接觸於坩堝壁面並向壁厚方向推進而形成貫穿坩堝的壁部之切口,維持切割刃貫穿該壁部之狀態,使切割刃10於坩堝20之圓周方向上相對移動而切割坩堝20之邊緣部25。
简体摘要：本发明提供一种不会于切割部位产生破损而可平滑地切割玻璃坩埚之边缘部等之切割方法及设备。玻璃坩埚之切割设备具备:相对于坩埚而水平设置之圆板状的切割刃10、切割刃10之旋转单元、使切割刃10于坩埚之圆周方向上移动之切割刃移动单元、及坩埚20之旋转单元。不使坩埚20旋转而使旋转之切割刃10接触于坩埚壁面并向壁厚方向推进而形成贯穿坩埚的壁部之切口,维持切割刃贯穿该壁部之状态,使切割刃10于坩埚20之圆周方向上相对移动而切割坩埚20之边缘部25。

10. 发明专利

TW201111307A 單晶矽拉晶用二氧化矽玻璃坩堝 VITREOUS SILICA CRUCIBLE FOR PULLING UP SILICON SINGLE CRYSTAL 审中-公开
简体标题：单晶硅拉晶用二氧化硅玻璃坩埚 VITREOUS SILICA CRUCIBLE FOR PULLING UP SILICON SINGLE CRYSTAL
公开(公告)号：TW201111307A
公开(公告)日：2011-04-01
申请号：TW099125480
申请日：2010-07-30
申请人：日本超精石英股份有限公司
发明人：佐藤賢
IPC分类号： C03B , C30B
CPC分类号： C03B19/095 , C30B15/10 , C30B29/06 , C30B35/002 , Y02P40/57 , Y10T117/1032
摘要：本發明提供一種在高溫環境下強度高，拉晶結束後能簡單取出的二氧化矽玻璃坩堝。二氧化矽玻璃坩堝具有設置於坩堝外表面側的二氧化矽玻璃外層、設置於坩堝內表面側的二氧化矽玻璃內層、設置於二氧化矽玻璃外層和二氧化矽玻璃內層之間的二氧化矽玻璃中間層。二氧化矽玻璃外層有100ppm以上的礦化劑濃度，二氧化矽玻璃中間層和二氧化矽玻璃內層具有50ppm以下的礦化劑濃度。優選的，外層和中間層由天然二氧化矽組成，內層由高純度天然二氧化矽或合成二氧化矽組成。且底部的二氧化矽玻璃外層的厚度是0.5mm～2.0mm，側壁部的外層比底部的外層厚。
简体摘要：本发明提供一种在高温环境下强度高，拉晶结束后能简单取出的二氧化硅玻璃坩埚。二氧化硅玻璃坩埚具有设置于坩埚外表面侧的二氧化硅玻璃外层、设置于坩埚内表面侧的二氧化硅玻璃内层、设置于二氧化硅玻璃外层和二氧化硅玻璃内层之间的二氧化硅玻璃中间层。二氧化硅玻璃外层有100ppm以上的矿化剂浓度，二氧化硅玻璃中间层和二氧化硅玻璃内层具有50ppm以下的矿化剂浓度。优选的，外层和中间层由天然二氧化硅组成，内层由高纯度天然二氧化硅或合成二氧化硅组成。且底部的二氧化硅玻璃外层的厚度是0.5mm～2.0mm，侧壁部的外层比底部的外层厚。

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