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1. 发明专利

TW201229333A 氧化矽玻璃坩堝的製造方法 METHOD OF MANUFACTURING VITREOUS SILICA CRUCIBLE 审中-公开
简体标题：氧化硅玻璃坩埚的制造方法 METHOD OF MANUFACTURING VITREOUS SILICA CRUCIBLE
公开(公告)号：TW201229333A
公开(公告)日：2012-07-16
申请号：TW100149381
申请日：2011-12-28
申请人：日本超精石英股份有限公司
发明人：須藤俊明 , 鈴木江梨子
IPC分类号： C30B , C03B
CPC分类号： C03B19/095 , G01J5/0022 , Y02P40/57
摘要：一種製造內表面的狀態(坩堝內表面特性)等得到適當控制的氧化矽玻璃坩堝的製造方法，在旋轉的模具(10)內，藉由多個碳電極(13)的電弧放電加熱熔化由氧化矽粉末構成的氧化矽粉層(11)，製造氧化矽玻璃坩堝，包括：對於選自由氧化矽粉層(11)、熔化時發生的煙塵、以及因電弧放電而產生的電弧火焰組成的條件群組的一種以上，預先求出加熱熔化時的最佳溫度；對於已求出最佳溫度的選自上述群的一種以上，測量在加熱熔化時的實際溫度；以及溫度控制製程，對於已測量實際溫度的選自上述群的一種以上，控制實際溫度以成為最佳溫度。
简体摘要：一种制造内表面的状态(坩埚内表面特性)等得到适当控制的氧化硅玻璃坩埚的制造方法，在旋转的模具(10)内，借由多个碳电极(13)的电弧放电加热熔化由氧化硅粉末构成的氧化硅粉层(11)，制造氧化硅玻璃坩埚，包括：对于选自由氧化硅粉层(11)、熔化时发生的烟尘、以及因电弧放电而产生的电弧火焰组成的条件群组的一种以上，预先求出加热熔化时的最佳温度；对于已求出最佳温度的选自上述群的一种以上，测量在加热熔化时的实际温度；以及温度控制制程，对于已测量实际温度的选自上述群的一种以上，控制实际温度以成为最佳温度。

2. 发明专利

TW201113401A 二氧化矽玻璃坩堝的製造裝置及其製造方法 APPARATUS AND METHOD FOR MANUFACTURING A VITREOUS SILICA CRUCIBLE 审中-公开
简体标题：二氧化硅玻璃坩埚的制造设备及其制造方法 APPARATUS AND METHOD FOR MANUFACTURING A VITREOUS SILICA CRUCIBLE
公开(公告)号：TW201113401A
公开(公告)日：2011-04-16
申请号：TW099126771
申请日：2010-08-11
申请人：日本超精石英股份有限公司
发明人：鈴木江梨子 , 岸弘史 , 藤田剛司
IPC分类号： C30B , C03B
CPC分类号： C25B11/12 , C03B19/09 , C03B19/095 , C04B35/52 , C25B11/0405 , Y02P40/57
摘要：在二氧化矽玻璃坩堝的製造工程中,提供可防止內表面特性的降低的二氧化矽玻璃坩堝的製造裝置,以及二氧化矽玻璃坩堝的製造方法。本發明的二氧化矽玻璃坩堝的製造裝置,具備限定二氧化矽玻璃坩堝的外形的模具,具有多個電極以及電力供給元件的電弧放電元件,上述多個電極各自分別具有朝向上述模具的前端部,位於該前端部的相反側的他端部,以及設置與上述前端部與上述他端部之間的彎曲部。
简体摘要：在二氧化硅玻璃坩埚的制造工程中,提供可防止内表面特性的降低的二氧化硅玻璃坩埚的制造设备,以及二氧化硅玻璃坩埚的制造方法。本发明的二氧化硅玻璃坩埚的制造设备,具备限定二氧化硅玻璃坩埚的外形的模具,具有多个电极以及电力供给组件的电弧放电组件,上述多个电极各自分别具有朝向上述模具的前端部,位于该前端部的相反侧的他端部,以及设置与上述前端部与上述他端部之间的弯曲部。

3. 发明专利

TWI399463B 二氧化矽玻璃坩堝的製造裝置及其製造方法有权
简体标题：二氧化硅玻璃坩埚的制造设备及其制造方法
公开(公告)号：TWI399463B
公开(公告)日：2013-06-21
申请号：TW099126771
申请日：2010-08-11
申请人：日本超精石英股份有限公司 , JAPAN SUPER QUARTZ CORPORATION
发明人：鈴木江梨子 , SUZUKI, ERIKO , 岸弘史 , KISHI, HIROSHI , 藤田剛司 , FUJITA, TAKESHI
IPC分类号： C30B13/14 , C03B20/00 , C03B19/09
CPC分类号： C25B11/12 , C03B19/09 , C03B19/095 , C04B35/52 , C25B11/0405 , Y02P40/57

4. 发明专利

TW201137193A 坩堝溫度分布計算方法 CALCULATION METHOD OF CRUCIBLE TEMPERATURE DISTRIBUTION 审中-公开
简体标题：坩埚温度分布计算方法 CALCULATION METHOD OF CRUCIBLE TEMPERATURE DISTRIBUTION
公开(公告)号：TW201137193A
公开(公告)日：2011-11-01
申请号：TW099143997
申请日：2010-12-15
申请人：日本超精石英股份有限公司 , 學校法人芝浦工業大學
发明人：須藤俊明 , 鈴木江梨子 , 小野直樹
IPC分类号： C30B
CPC分类号： C03B19/095 , C30B15/10 , G06F17/5018 , G06F2217/80
摘要：本發明提供一種相較于現有技術精度更高的溫度分佈計算方法，該溫度分佈計算方法利用邊界條件以計算製造時的氧化矽粉末成形體內面的溫度分佈，該邊界條件是將根據電弧放電的電漿輻射和電弧放電自身的熱輻射考慮在內，並以實測溫度進行補償的邊界條件。本發明的製造時的坩堝溫度分佈計算方法，該方法具有一溫度計算過程，在該溫度計算過程中，溫度計算部計算出熱流束，並利用數值計算方法求出溫度分佈，在此，該熱流束是從熱電漿向氧化矽粉末成形體內面的熱流束，該熱電漿將從電弧電極放射的熱電漿用以氣流及輻射進行模型化，該氧化矽粉末成形體內面嵌合在作為坩堝模型的模具內面，該溫度分佈是氧化矽粉末成形體內面的溫度分佈，該數值計算方法是以網格劃分計算對象的數值計算方法；並且，預先調整氣流及輻射條件，從對應表格讀入該氣流及輻射條件，並計算溫度分佈，在此，所述調整是使得計算結果的溫度分佈和、實測的氧化矽粉末成形體內面的溫度分佈保持相同的調整，所述氣流及輻射條件對應于生成坩堝時的控制序列的各步驟。
简体摘要：本发明提供一种相较于现有技术精度更高的温度分布计算方法，该温度分布计算方法利用边界条件以计算制造时的氧化硅粉末成形体内面的温度分布，该边界条件是将根据电弧放电的等离子辐射和电弧放电自身的热辐射考虑在内，并以实测温度进行补偿的边界条件。本发明的制造时的坩埚温度分布计算方法，该方法具有一温度计算过程，在该温度计算过程中，温度计算部计算出热流束，并利用数值计算方法求出温度分布，在此，该热流束是从热等离子向氧化硅粉末成形体内面的热流束，该热等离子将从电弧电极放射的热等离子用以气流及辐射进行模型化，该氧化硅粉末成形体内面嵌合在作为坩埚模型的模具内面，该温度分布是氧化硅粉末成形体内面的温度分布，该数值计算方法是以网格划分计算对象的数值计算方法；并且，预先调整气流及辐射条件，从对应表格读入该气流及辐射条件，并计算温度分布，在此，所述调整是使得计算结果的温度分布和、实测的氧化硅粉末成形体内面的温度分布保持相同的调整，所述气流及辐射条件对应于生成坩埚时的控制串行的各步骤。

5. 发明专利

TW201125829A 氧化矽玻璃坩堝的製造裝置以及製造方法 APPARATUS AND METHOD FOR MANUFACTURING VITREOUS SILICA CRUCIBLE 审中-公开
简体标题：氧化硅玻璃坩埚的制造设备以及制造方法 APPARATUS AND METHOD FOR MANUFACTURING VITREOUS SILICA CRUCIBLE
公开(公告)号：TW201125829A
公开(公告)日：2011-08-01
申请号：TW099133350
申请日：2010-09-30
申请人：日本超精石英股份有限公司
发明人：鈴木江梨子 , 岸弘史
IPC分类号： C03B , C30B
CPC分类号： C03B19/095 , C30B15/10 , Y02P40/57
摘要：本發明提供氧化矽玻璃坩堝的製造裝置以及製造方法,可以正確地測量煙塵的產生量,從而能防止內表面特性的降低,同時也能即時地進行原料熔融狀態的控制。上述裝置用於製造氧化矽玻璃坩堝,即將氧化矽粉放入模具內並形成氧化矽粉層,對該氧化矽粉層進行電弧放電將其加熱熔化,以製造氧化矽玻璃坩堝,該裝置包括:界定氧化矽玻璃坩堝外形的模具;具備多個碳電極以及電力供給元件的電弧放電元件;檢測在模具內產生的煙塵的量的煙塵量測量部。
简体摘要：本发明提供氧化硅玻璃坩埚的制造设备以及制造方法,可以正确地测量烟尘的产生量,从而能防止内表面特性的降低,同时也能实时地进行原料熔融状态的控制。上述设备用于制造氧化硅玻璃坩埚,即将氧化硅粉放入模具内并形成氧化硅粉层,对该氧化硅粉层进行电弧放电将其加热熔化,以制造氧化硅玻璃坩埚,该设备包括:界定氧化硅玻璃坩埚外形的模具;具备多个碳电极以及电力供给组件的电弧放电组件;检测在模具内产生的烟尘的量的烟尘量测量部。

6. 发明专利

TWI457295B 氧化矽玻璃坩堝製造方法及氧化矽玻璃坩堝製造裝置有权
简体标题：氧化硅玻璃坩埚制造方法及氧化硅玻璃坩埚制造设备
公开(公告)号：TWI457295B
公开(公告)日：2014-10-21
申请号：TW100149384
申请日：2011-12-28
申请人：日本超精石英股份有限公司 , JAPAN SUPER QUARTZ CORPORATION
发明人：須藤俊明 , SUDO, TOSHIAKI , 鈴木江梨子 , SUZUKI, ERIKO
IPC分类号： C03B19/09 , C03B20/00 , C30B15/10
CPC分类号： C03B19/095 , C03B2201/02 , G01J5/0022 , G01J5/0037 , G01J5/0862 , Y02P40/57

7. 发明专利

TWI433969B 氧化矽玻璃坩堝有权
简体标题：氧化硅玻璃坩埚
公开(公告)号：TWI433969B
公开(公告)日：2014-04-11
申请号：TW100144038
申请日：2011-11-30
申请人：日本超精石英股份有限公司 , JAPAN SUPER QUARTZ CORPORATION
发明人：須藤俊明 , SUDO, TOSHIAKI , 岸弘史 , KISHI, HIROSHI , 鈴木江梨子 , SUZUKI, ERIKO
IPC分类号： C30B15/10 , C03B19/09 , C03B20/00
CPC分类号： C30B15/10 , C03B19/095 , Y10T117/1032

8. 发明专利

TW201226340A 氧化矽玻璃坩堝製造方法及氧化矽玻璃坩堝製造裝置 METHOD AND APPARATUS FOR MANUFACTURING VITREOUS SILICA CRUCIBLE 有权
简体标题：氧化硅玻璃坩埚制造方法及氧化硅玻璃坩埚制造设备 METHOD AND APPARATUS FOR MANUFACTURING VITREOUS SILICA CRUCIBLE
公开(公告)号：TW201226340A
公开(公告)日：2012-07-01
申请号：TW100149384
申请日：2011-12-28
申请人：日本超精石英股份有限公司
发明人：須藤俊明 , 鈴木江梨子
IPC分类号： C03B , C30B
CPC分类号： C03B19/095 , C03B2201/02 , G01J5/0022 , G01J5/0037 , G01J5/0862 , Y02P40/57
摘要：為在製造氧化矽玻璃坩堝時能夠準確測量製造中的溫度。本發明提供一種氧化矽玻璃坩堝製造裝置，該裝置藉由向坩堝形成用模具內供給氧化矽粉末來形成氧化矽粉層，藉由電弧放電加熱熔化該氧化矽粉層來製造氧化矽玻璃坩堝，該裝置具備：供給氧化矽粉末來形成氧化矽粉層的模具；具備多根碳電極及電力供給部的電弧放電部；以及至少測量該模具內熔化部分溫度的溫度測量部，該溫度測量部係藉由檢測波長4.8～5.2μm的輻射能量來測量溫度的輻射溫度計。
简体摘要：为在制造氧化硅玻璃坩埚时能够准确测量制造中的温度。本发明提供一种氧化硅玻璃坩埚制造设备，该设备借由向坩埚形成用模具内供给氧化硅粉末来形成氧化硅粉层，借由电弧放电加热熔化该氧化硅粉层来制造氧化硅玻璃坩埚，该设备具备：供给氧化硅粉末来形成氧化硅粉层的模具；具备多根碳电极及电力供给部的电弧放电部；以及至少测量该模具内熔化部分温度的温度测量部，该温度测量部系借由检测波长4.8～5.2μm的辐射能量来测量温度的辐射温度计。

9. 发明专利

TW201226338A 氧化矽玻璃坩堝的製造方法 METHOD OF MANUFACTURING VITREOUS SILICA CRUCIBLE 审中-公开
简体标题：氧化硅玻璃坩埚的制造方法 METHOD OF MANUFACTURING VITREOUS SILICA CRUCIBLE
公开(公告)号：TW201226338A
公开(公告)日：2012-07-01
申请号：TW100149382
申请日：2011-12-28
申请人：日本超精石英股份有限公司
发明人：須藤俊明 , 鈴木江梨子
IPC分类号： C03B
CPC分类号： C03B19/095 , G01J5/0003 , G01J5/0044 , G01J5/047
摘要：一種氧化矽玻璃坩堝的製造方法，藉由控制製造氧化矽玻璃坩堝時的熔化狀態，防止單晶矽製造時坩堝內表面發生褐色環，並抑制熔液面振動。將原料氧化矽粉末成形于坩堝成形用模具內，用電弧放電加熱熔化氧化矽粉層製造氧化矽玻璃坩堝的方法，包含向坩堝成形用模具內部供給氧化矽粉末形成氧化矽粉層的氧化矽粉末供給製程，以及用多個碳電極的電弧放電熔化氧化矽粉層的電弧熔化製程，在電弧熔化製程中，旋轉模具且測量位於設定在氧化矽粉層內表面不同高度的多個測量點的溫度，控制電弧放電來檢測出現於各測量點熔化初期的最初的溫度最高點Tp。
简体摘要：一种氧化硅玻璃坩埚的制造方法，借由控制制造氧化硅玻璃坩埚时的熔化状态，防止单晶硅制造时坩埚内表面发生褐色环，并抑制熔液面振动。将原料氧化硅粉末成形于坩埚成形用模具内，用电弧放电加热熔化氧化硅粉层制造氧化硅玻璃坩埚的方法，包含向坩埚成形用模具内部供给氧化硅粉末形成氧化硅粉层的氧化硅粉末供给制程，以及用多个碳电极的电弧放电熔化氧化硅粉层的电弧熔化制程，在电弧熔化制程中，旋转模具且测量位于设置在氧化硅粉层内表面不同高度的多个测量点的温度，控制电弧放电来检测出现于各测量点熔化初期的最初的温度最高点Tp。

10. 发明专利

TW201200642A 氧化矽玻璃坩堝及其製造方法，以及矽錠的製造方法 VITREOUS SILICA CRUCIBLE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND METHOD OF MANUFACTURING SILICON INGOT 审中-公开
简体标题：氧化硅玻璃坩埚及其制造方法，以及硅锭的制造方法 VITREOUS SILICA CRUCIBLE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND METHOD OF MANUFACTURING SILICON INGOT
公开(公告)号：TW201200642A
公开(公告)日：2012-01-01
申请号：TW100122050
申请日：2011-06-23
申请人：日本超精石英股份有限公司
发明人：須藤俊明 , 岸弘史 , 鈴木江梨子
IPC分类号： C30B
CPC分类号： C30B15/10 , C03B19/095 , C30B29/06 , C30B35/002 , Y10T117/1032
摘要：本發明提供即使在矽錠的拉製的時間極為長的情況下也能有效地抑制內傾及壓曲的氧化矽玻璃坩堝。本發明提供的氧化矽玻璃坩堝用於單晶矽拉晶，所述坩堝的壁具有自坩堝的內表面形成至外表面的氣泡含有率未滿0.5%的透明氧化矽玻璃層、氣泡含有率是1%以上且未滿50%的含氣泡氧化矽玻璃層、氣泡含有率是0.5%以上且未滿1%，並且，OH基濃度是35ppm以上且未滿300ppm的半透明氧化矽玻璃層。
简体摘要：本发明提供即使在硅锭的拉制的时间极为长的情况下也能有效地抑制内倾及压曲的氧化硅玻璃坩埚。本发明提供的氧化硅玻璃坩埚用於单晶硅拉晶，所述坩埚的壁具有自坩埚的内表面形成至外表面的气泡含有率未满0.5%的透明氧化硅玻璃层、气泡含有率是1%以上且未满50%的含气泡氧化硅玻璃层、气泡含有率是0.5%以上且未满1%，并且，OH基浓度是35ppm以上且未满300ppm的半透明氧化硅玻璃层。

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