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1. 发明专利

TW586218B 於極薄介電層中使用崩潰現象之可程式化非揮發性記憶體有权
简体标题：于极薄介电层中使用崩溃现象之可进程化非挥发性内存
公开(公告)号：TW586218B
公开(公告)日：2004-05-01
申请号：TW091123860
申请日：2002-10-16
申请人：奇洛帕司科技公司 KILOPASS TECHNOLOGIES, INC.
发明人：傑克傑思航彭 JACK ZEZHONG PENG
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/94 , H01L27/112 , H01L27/11206
摘要：一可再程式非揮發性記憶體陣列與其組成記憶體晶胞係被揭露。上述每一個記憶體晶胞具有一建構在一超薄介電層(例如一閘極氧化層)周圍之資料儲存元件。上述之資料儲存元件可用來存儲資訊，其方法係通過上述之超薄介電層施加應力使其崩潰(軟崩潰或硬崩潰)以建立該記憶體晶胞之漏電流電平(leakage current level)。上述記憶體晶胞係透過檢測該晶胞吸收的電流以進行讀出。一合適的超薄介電層是品質高的閘極氧化層，其厚度大約為50埃或者小於50埃。上述氧化層是目前一般先進CMOS邏輯製程所普遍採用的。首先，上述記憶體晶胞係通過施加應力於上述之閘極氧化層，一直到其軟崩潰發生以達到程式。然後，上述記憶體晶胞藉由增加上述之閘極氧化層之崩潰，以達到再程式。
简体摘要：一可再进程非挥发性内存数组与其组成内存晶胞系被揭露。上述每一个内存晶胞具有一建构在一超薄介电层(例如一闸极氧化层)周围之数据存储组件。上述之数据存储组件可用来存储信息，其方法系通过上述之超薄介电层施加应力使其崩溃(软崩溃或硬崩溃)以创建该内存晶胞之漏电流电平(leakage current level)。上述内存晶胞系透过检测该晶胞吸收的电流以进行读出。一合适的超薄介电层是品质高的闸极氧化层，其厚度大约为50埃或者小于50埃。上述氧化层是目前一般雪铁龙CMOS逻辑制程所普遍采用的。首先，上述内存晶胞系通过施加应力于上述之闸极氧化层，一直到其软崩溃发生以达到进程。然后，上述内存晶胞借由增加上述之闸极氧化层之崩溃，以达到再进程。

2. 发明专利

TW200421347A 用以測試使用崩潰電壓之半導體記憶元之超薄氧化層的方法 METHOD OF TESTING THE THIN OXIDE OF A SEMICONDUCTOR MEMORY CELL THAT USES BREAKDOWN VOLTAGE 审中-公开
简体标题：用以测试使用崩溃电压之半导体记忆元之超薄氧化层的方法 METHOD OF TESTING THE THIN OXIDE OF A SEMICONDUCTOR MEMORY CELL THAT USES BREAKDOWN VOLTAGE
公开(公告)号：TW200421347A
公开(公告)日：2004-10-16
申请号：TW093107848
申请日：2004-03-23
申请人：奇洛帕司科技公司 KILOPASS TECHNOLOGIES, INC.
发明人：傑克‧傑思航‧彭 JACK ZEZHONG PENG , 哈瑞‧笙文‧倫 HARRY SHENGWEN LUAN , 王建國 JIANGUO WANG , 劉中山 ZHONGSHAN LIU , 方大衛 DAVID FONG , 葉飛 FEI YE
IPC分类号： G11C
CPC分类号： G11C29/50 , G11C16/04 , G11C2029/5002
摘要：本發明揭露一種測試記憶元之方法。記憶元擁有資料儲存單元建構在如閘極氧化層之超薄電介質周圍，用以藉由將超薄電介質加壓至崩潰(breakdown)而設定記憶元之漏泄電流量以儲存資料。本發明之主要用途，在於確認資料儲存單元下方之閘極氧化層品質足以運作，記憶體陣列之記憶元測試可經由施與電壓通過資料儲存單元之閘極氧化層並且量取其電流而實施，超過預定範圍之電流值可用以辨識出不良之記憶元。
简体摘要：本发明揭露一种测试记忆元之方法。记忆元拥有数据存储单元建构在如闸极氧化层之超薄电介质周围，用以借由将超薄电介质加压至崩溃(breakdown)而设置记忆元之漏泄电流量以存储数据。本发明之主要用途，在于确认数据存储单元下方之闸极氧化层品质足以运作，内存数组之记忆元测试可经由施与电压通过数据存储单元之闸极氧化层并且量取其电流而实施，超过预定范围之电流值可用以辨识出不良之记忆元。

3. 发明专利

TW200400624A 使用單一電晶體之高密度半導體記憶胞與記憶陣列 HIGH DENSITY SEMICONDUCTOR MEMORY CELL AND MEMORY ARRAY USING A SIGNLE TRANSISTOR 审中-公开
简体标题：使用单一晶体管之高密度半导体记忆胞与记忆数组 HIGH DENSITY SEMICONDUCTOR MEMORY CELL AND MEMORY ARRAY USING A SIGNLE TRANSISTOR
公开(公告)号：TW200400624A
公开(公告)日：2004-01-01
申请号：TW092109813
申请日：2003-04-25
申请人：奇洛帕司科技公司 KILOPASS TECHNOLOGIES, INC.
发明人：傑克傑思航彭 JACK ZEZHONG PENG , 大衛方 DAVID FONG
IPC分类号： H01L
CPC分类号： G11C17/16
摘要：本發明揭露一種可程式(programmable)記憶胞(memorycell)，包含一位於一行位元線(columnbitline)與一列字元線(rowwordline)交叉點的電晶體。上述電晶體具有一形成於上述行位元線之閘極，與一連接到上述列字元線之源極。上述記憶胞藉由施加一電位於上述行位元線與上述列字元線之間來程式化，使上述電晶體閘極下方矽底材產生一程式化之n+區。
简体摘要：本发明揭露一种可进程(programmable)记忆胞(memorycell)，包含一位于一行比特线(columnbitline)与一列字符线(rowwordline)交叉点的晶体管。上述晶体管具有一形成于上述行比特线之闸极，与一连接到上述列字符线之源极。上述记忆胞借由施加一电位于上述行比特线与上述列字符线之间来进程化，使上述晶体管闸极下方硅底材产生一进程化之n+区。

4. 发明专利

TW200533069A 用於動態重新編程之組合場可編程閘陣列 COMBINATION FIELD PROGRAMMABLE GATE ARRAY ALLOWING DYNAMIC REPROGRAMMABILITY 审中-公开
简体标题：用于动态重新编程之组合场可编程闸数组 COMBINATION FIELD PROGRAMMABLE GATE ARRAY ALLOWING DYNAMIC REPROGRAMMABILITY
公开(公告)号：TW200533069A
公开(公告)日：2005-10-01
申请号：TW094102305
申请日：2005-01-26
申请人：奇洛帕司科技公司 KILOPASS TECHNOLOGIES, INC.
发明人：傑克傑思航彭 JACK ZEZHONG PENG , 劉中山 LIU, ZHONGSHAN , 葉飛 FEI YE , 邁克大衛佛利斯勒 MICHAEL DAVID FLIESLER
IPC分类号： H03K
CPC分类号： G11C11/405 , G11C11/406 , H01L27/0207 , H01L27/108 , H01L27/10894 , H01L27/11807 , H03K19/17728
摘要：本發明揭露一種晶胞，可作為用於儲存資料之動態記憶體晶胞，其係使用於程式化場可編程閘陣列(FPGA)。上述晶胞包含有閘極、源極以及汲極之選擇電晶體，其中此閘極連接至寫入位元線，此源極連接至浮動點節點，而此汲極則連接至列字語線。感測元件係決定儲存於上述浮動點節點上之資料。此外，並提供由上述浮動點節點所控制之開關。
简体摘要：本发明揭露一种晶胞，可作为用于存储数据之动态内存晶胞，其系使用于进程化场可编程闸数组(FPGA)。上述晶胞包含有闸极、源极以及汲极之选择晶体管，其中此闸极连接至写入比特线，此源极连接至浮动点节点，而此汲极则连接至列字语线。传感组件系决定存储于上述浮动点节点上之数据。此外，并提供由上述浮动点节点所控制之开关。

5. 发明专利

TW200717518A 使用閘極崩潰現象之3.5電晶體非揮發記憶體晶胞 3.5 TRANSISTOR NON-VOLATILE MEMORY CELL USING GATE BREAKDOWN PHENOMENA 审中-公开
简体标题：使用闸极崩溃现象之3.5晶体管非挥发内存晶胞 3.5 TRANSISTOR NON-VOLATILE MEMORY CELL USING GATE BREAKDOWN PHENOMENA
公开(公告)号：TW200717518A
公开(公告)日：2007-05-01
申请号：TW095108467
申请日：2006-03-13
申请人：奇洛帕司科技公司 KILOPASS TECHNOLOGIES, INC.
发明人：約翰M. 卡拉漢 JOHN M. CALLAHAN , 希曼絲哈T. 佛奈克 HEMANSHU T. VERNENKER , 蜜雪兒D. 佛萊瑟 MICHAEL D. FLIESLER , 葛倫A. 羅聖代爾 GLEN A. ROSENDALE , 哈利S. 路安 HARRY S. LUAN , 劉中山 LIU, ZHONGSHANG
IPC分类号： G11C , H03K
CPC分类号： G11C17/18 , G11C17/16
摘要：本發明揭露一種可程式化記憶胞(memory cell)有效的形成於一具有行位元線(column bitlines)與列字語線(row wordlines)之記憶體陣列(memory array)中。該記憶胞包含一崩潰電晶體(breakdown transistor)具有閘極連接至一程式字語線(program wordline);一寫入電晶體(write transistor)自一感測節點串聯至該崩潰電晶體。該寫入電晶體之閘極連結至一寫入字語線(write wordline)。再者,一第一感測電晶體(sense transistor)具有閘極,連結至該感測點。一第二感測電晶體串聯至該第一感測電晶體,且具有閘極連結至一讀取字語線(read wordline)。該第二感測電晶體有源極連結至行位元線。
简体摘要：本发明揭露一种可进程化记忆胞(memory cell)有效的形成于一具有行比特线(column bitlines)与列字语线(row wordlines)之内存数组(memory array)中。该记忆胞包含一崩溃晶体管(breakdown transistor)具有闸极连接至一进程字语线(program wordline);一写入晶体管(write transistor)自一传感节点串联至该崩溃晶体管。该写入晶体管之闸极链接至一写入字语线(write wordline)。再者,一第一传感晶体管(sense transistor)具有闸极,链接至该传感点。一第二传感晶体管串联至该第一传感晶体管,且具有闸极链接至一读取字语线(read wordline)。该第二传感晶体管有源极链接至行比特线。

6. 发明专利

TW200518460A 場可編程閘陣列 FIELD PROGRAMMABLE GATE ARRAY 审中-公开
简体标题：场可编程闸数组 FIELD PROGRAMMABLE GATE ARRAY
公开(公告)号：TW200518460A
公开(公告)日：2005-06-01
申请号：TW093124199
申请日：2004-08-12
申请人：奇洛帕司科技公司 KILOPASS TECHNOLOGIES, INC.
发明人：王滿 MAN WANG
IPC分类号： H03K
CPC分类号： H03K19/17736 , H03K19/1736 , H03K19/17728
摘要：一種具有層次化內連線結構之場可編程閘陣列(FPGA)被揭露。上述場可編程閘陣列(FPGA)包含邏輯頭與在邏輯頭之間傳遞信號之內連線結構。每一個邏輯頭包含複數個串聯之邏輯區塊，這些邏輯區塊能夠執行組合邏輯。上述邏輯頭能更進一步地區分為兩個獨立的邏輯單元。
简体摘要：一种具有层次化内连接结构之场可编程闸数组(FPGA)被揭露。上述场可编程闸数组(FPGA)包含逻辑头与在逻辑头之间传递信号之内连接结构。每一个逻辑头包含复数个串联之逻辑区块，这些逻辑区块能够运行组合逻辑。上述逻辑头能更进一步地区分为两个独立的逻辑单元。

7. 发明专利

TW577081B 半導體記憶胞以及在極薄介電層中使用崩潰現象之記憶體陣列有权
简体标题：半导体记忆胞以及在极薄介电层中使用崩溃现象之内存数组
公开(公告)号：TW577081B
公开(公告)日：2004-02-21
申请号：TW091121385
申请日：2002-09-18
申请人：奇洛帕司科技公司 KILOPASS TECHNOLOGIES, INC.
发明人：傑克傑思航彭 JACK ZEZHONG PENG
IPC分类号： G11C
CPC分类号： H01L27/11206 , G11C11/5692 , G11C17/16 , G11C29/50 , G11C2029/5006 , H01L27/112 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：一具有建構在一超薄介電層(例如一閘極氧化層)周圍之資料儲存元件可用來存儲資訊，其方法係通過上述之超薄介電層施加應力使其崩潰(軟崩潰或硬崩潰)以建立該記憶體晶胞之漏電流電平(leakage current level)。上述記憶體晶胞係透過檢測該晶胞吸收的電流以進行讀出。一合適的超薄介電層是品質高的閘極氧化層，其厚度大約為50埃或者小於50埃。上述氧化層是目前一般先進CMOS邏輯製程所普遍採用的。
简体摘要：一具有建构在一超薄介电层(例如一闸极氧化层)周围之数据存储组件可用来存储信息，其方法系通过上述之超薄介电层施加应力使其崩溃(软崩溃或硬崩溃)以创建该内存晶胞之漏电流电平(leakage current level)。上述内存晶胞系透过检测该晶胞吸收的电流以进行读出。一合适的超薄介电层是品质高的闸极氧化层，其厚度大约为50埃或者小于50埃。上述氧化层是目前一般雪铁龙CMOS逻辑制程所普遍采用的。

8. 发明专利

TWI261918B 使用單一電晶體之高密度半導體記憶胞與記憶陣列 HIGH DENSITY SEMICONDUCTOR MEMORY CELL AND MEMORY ARRAY USING A SINGLE TRANSISTOR 有权
简体标题：使用单一晶体管之高密度半导体记忆胞与记忆数组 HIGH DENSITY SEMICONDUCTOR MEMORY CELL AND MEMORY ARRAY USING A SINGLE TRANSISTOR
公开(公告)号：TWI261918B
公开(公告)日：2006-09-11
申请号：TW092109813
申请日：2003-04-25
申请人：奇洛帕司科技公司 KILOPASS TECHNOLOGIES, INC.
发明人：傑克‧傑思航‧彭 JACK ZEZHONG PENG , 大衛方 DAVID FONG
IPC分类号： H01L
CPC分类号： G11C17/16
摘要：本發明揭露一種可程式(programmable)記憶胞(memory cell)，包含一位於一行位元線(column bitline)與一列字元線(row wordline)交叉點的電晶體。上述電晶體具有一形成於上述行位元線之閘極，與一連接到上述列字元線之源極。上述記憶胞藉由施加一電位於上述行位元線與上述列字元線之間來程式化，使上述電晶體閘極下方矽底材產生一程式化之n+區。
简体摘要：本发明揭露一种可进程(programmable)记忆胞(memory cell)，包含一位于一行比特线(column bitline)与一列字符线(row wordline)交叉点的晶体管。上述晶体管具有一形成于上述行比特线之闸极，与一连接到上述列字符线之源极。上述记忆胞借由施加一电位于上述行比特线与上述列字符线之间来进程化，使上述晶体管闸极下方硅底材产生一进程化之n+区。

9. 发明专利

TWI234785B 具有記憶體之智慧卡 SMART CARD HAVING MEMORY USING A BREAKDOWN PHENOMENA IN AN ULTRA-THIN DIELECTRIC 有权
简体标题：具有内存之智能卡 SMART CARD HAVING MEMORY USING A BREAKDOWN PHENOMENA IN AN ULTRA-THIN DIELECTRIC
公开(公告)号：TWI234785B
公开(公告)日：2005-06-21
申请号：TW091123859
申请日：2002-10-16
申请人：奇洛帕司科技公司 KILOPASS TECHNOLOGIES, INC.
发明人：傑克傑思航彭 JACK ZEZHONG PENG
IPC分类号： G11C , G06K
CPC分类号： H01L27/11206 , G11C16/0433 , H01L27/112
摘要：本發明揭露了一包含改進的非揮發性記憶體之一智慧卡。上述智慧卡包括一處理器和記憶體。上述記憶體由一複數個記憶體晶胞構成。這些半導體記憶體晶胞每一個都有一在一超薄介電層(例如閘極氧化層)周圍構成的一資料儲存元件。上述之閘極氧化層可用來存儲資訊，其方法係通過上述之超薄介電層施加應力使其崩潰(軟崩潰或硬崩潰)以建立該記憶體晶胞之漏電流電平(leakage current level)。上述記憶體晶胞係透過檢測該晶胞吸收的電流以進行讀出。一合適的超薄介電層是品質高的閘極氧化層，其厚度大約?50埃或者小於50埃。上述氧化層是目前一般先進CMOS邏輯製程所普通採用的。
简体摘要：本发明揭露了一包含改进的非挥发性内存之一智能卡。上述智能卡包括一处理器和内存。上述内存由一复数个内存晶胞构成。这些半导体内存晶胞每一个都有一在一超薄介电层(例如闸极氧化层)周围构成的一数据存储组件。上述之闸极氧化层可用来存储信息，其方法系通过上述之超薄介电层施加应力使其崩溃(软崩溃或硬崩溃)以创建该内存晶胞之漏电流电平(leakage current level)。上述内存晶胞系透过检测该晶胞吸收的电流以进行读出。一合适的超薄介电层是品质高的闸极氧化层，其厚度大约?50埃或者小于50埃。上述氧化层是目前一般雪铁龙CMOS逻辑制程所普通采用的。

10. 发明专利

TWI234162B 用以測試使用崩潰電壓之半導體記憶元之超薄氧化層的方法 METHOD OF TESTING THE THIN OXIDE OF A SEMICONDUCTOR MEMORY CELL THAT USES BREAKDOWN VOLTAGE 有权
简体标题：用以测试使用崩溃电压之半导体记忆元之超薄氧化层的方法 METHOD OF TESTING THE THIN OXIDE OF A SEMICONDUCTOR MEMORY CELL THAT USES BREAKDOWN VOLTAGE
公开(公告)号：TWI234162B
公开(公告)日：2005-06-11
申请号：TW093107848
申请日：2004-03-23
申请人：奇洛帕司科技公司 KILOPASS TECHNOLOGIES, INC.
发明人：傑克傑思航彭 JACK ZEZHONG PENG , 哈瑞笙文倫 HARRY SHENGWEN LUAN , 王建國 JIANGUO WANG , 劉中山 ZHONGSHAN LIU , 方大衛 DAVID FONG , 葉飛 FEI YE
IPC分类号： G11C
CPC分类号： G11C29/50 , G11C16/04 , G11C2029/5002
摘要：本發明揭露一種測試記憶元之方法。記憶元擁有資料儲存單元建構在如閘極氧化層之超薄電介質周圍，用以藉由將超薄電介質加壓至崩潰(breakdown)而設定記憶元之漏泄電流量以儲存資料。本發明之主要用途，在於確認資料儲存單元下方之閘極氧化層品質足以運作，記憶體陣列之記憶元測試可經由施與電壓通過資料儲存單元之閘極氧化層並且量取其電流而實施，超過預定範圍之電流值可用以辨識出不良之記憶元。
简体摘要：本发明揭露一种测试记忆元之方法。记忆元拥有数据存储单元建构在如闸极氧化层之超薄电介质周围，用以借由将超薄电介质加压至崩溃(breakdown)而设置记忆元之漏泄电流量以存储数据。本发明之主要用途，在于确认数据存储单元下方之闸极氧化层品质足以运作，内存数组之记忆元测试可经由施与电压通过数据存储单元之闸极氧化层并且量取其电流而实施，超过预定范围之电流值可用以辨识出不良之记忆元。

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