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1. 发明专利

TW202027095A 積層陶瓷電容器用鎳糊料审中-公开
简体标题：积层陶瓷电容器用镍煳料
公开(公告)号：TW202027095A
公开(公告)日：2020-07-16
申请号：TW108101299
申请日：2019-01-14
申请人：日商住友金屬鑛山股份有限公司 , SUMITOMO METAL MINING CO., LTD.
发明人：磯野修 , ISONO, OSAMU
IPC分类号： H01B1/22 , H01G4/008 , H01G4/30
摘要：本發明之課題係提供可較好地形成鎳內部電極之積層陶瓷電容器用鎳糊料，其並非利用與介電體層之交互作用，且以不含有對半導體零件而言較不佳之硫，亦不含高價的貴金屬之構成，而提高導電糊料之燒結起始溫度，藉由接近於陶瓷坯片之燒結起始溫度，而於積層陶瓷電容器之燒成步驟中，可防止層間剝離或龜裂、內部電極膜之中斷等之構造缺陷發生。本發明之解決手段係以鎳粉末、分散劑及有機媒劑為主成分之積層陶瓷電容器之內部電極形成用之鎳糊料，前述分散劑含有磷酸聚酯。
简体摘要：本发明之课题系提供可较好地形成镍内部电极之积层陶瓷电容器用镍煳料，其并非利用与介电体层之交互作用，且以不含有对半导体零件而言较不佳之硫，亦不含高价的贵金属之构成，而提高导电煳料之烧结起始温度，借由接近于陶瓷坯片之烧结起始温度，而于积层陶瓷电容器之烧成步骤中，可防止层间剥离或龟裂、内部电极膜之中断等之构造缺陷发生。本发明之解决手段系以镍粉末、分散剂及有机媒剂为主成分之积层陶瓷电容器之内部电极形成用之镍煳料，前述分散剂含有磷酸聚酯。

2. 发明专利

TW202022893A 導電性漿料、電子零件、及積層陶瓷電容器审中-公开
简体标题：导电性浆料、电子零件、及积层陶瓷电容器
公开(公告)号：TW202022893A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：TW108135293
申请日：2019-09-27
申请人：日商住友金屬鑛山股份有限公司 , SUMITOMO METAL MINING CO., LTD.
发明人：鈴木伸壽 , SUZUKI, NOBUHISA , 高木勝彥 , TAKAGI, KATSUHIKO , 關塚亮 , SEKIZUKA, RYO
IPC分类号： H01B1/22 , H01G4/30
摘要：本發明提供一種隨時間的黏度變化非常小、黏度穩定性更優異、且在形成積層體時與生片的密接性優異的導電性漿料。本發明的導電性漿料包含導電性粉末、陶瓷粉末、分散劑、黏合劑樹脂以及有機溶劑，其特徵係，分散劑含有具有3.5以上且7.0以下的HLB值的第一分散劑，以導電性漿料為100質量%計，含有0.4質量%以上且1質量%以下的第一分散劑，並且，以導電性漿料為100質量%計，含有總含量為0.4質量%以上且2質量%以下的分散劑。
简体摘要：本发明提供一种随时间的黏度变化非常小、黏度稳定性更优异、且在形成积层体时与生片的密接性优异的导电性浆料。本发明的导电性浆料包含导电性粉末、陶瓷粉末、分散剂、黏合剂树脂以及有机溶剂，其特征系，分散剂含有具有3.5以上且7.0以下的HLB值的第一分散剂，以导电性浆料为100质量%计，含有0.4质量%以上且1质量%以下的第一分散剂，并且，以导电性浆料为100质量%计，含有总含量为0.4质量%以上且2质量%以下的分散剂。

3. 发明专利

TW201840756A 導電性糊料审中-公开
简体标题：导电性煳料
公开(公告)号：TW201840756A
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：TW107107162
申请日：2018-03-05
申请人：日商住友金屬鑛山股份有限公司 , SUMITOMO METAL MINING CO., LTD.
发明人：舘祐伺 , TACHI, YUJI
IPC分类号： C09D11/03 , C09D11/033 , C09D11/52 , H01B1/22 , H01G4/12 , H01G4/30
摘要： [課題] 本發明係提供一種導電性糊料，該導電性糊料係特別是有用於層疊陶瓷電容器內部電極用，具有適於凹版印刷的低黏度，於印刷後或製造後之保管時抑制導電性金屬粉之再凝聚，且難以變形而不易產生分離。　　[解決手段] 一種層疊陶瓷電容器內部電極用導電性糊料，其係含有導電性粉末(A)、有機樹脂(B)及有機溶劑(C)、添加劑(D)及介電質粉末(E)，其特徵為：有機樹脂(B)僅由乙基纖維素所構成，有機溶劑(C)僅由松油醇所構成，添加劑(D)由含有不飽和羧酸系分散劑和油胺系分散劑的組成物所構成；前述添加劑(D)中之不飽和羧酸系分散劑之含有率為相對於導電性糊料全量而言為0.2質量%以上、1.2質量%以下，且，油胺系分散劑之含量為0.3質量%以上、2.0質量%以下。
简体摘要： [课题] 本发明系提供一种导电性煳料，该导电性煳料系特别是有用于层叠陶瓷电容器内部电极用，具有适于凹版印刷的低黏度，于印刷后或制造后之保管时抑制导电性金属粉之再凝聚，且难以变形而不易产生分离。　　[解决手段] 一种层叠陶瓷电容器内部电极用导电性煳料，其系含有导电性粉末(A)、有机树脂(B)及有机溶剂(C)、添加剂(D)及介电质粉末(E)，其特征为：有机树脂(B)仅由乙基纤维素所构成，有机溶剂(C)仅由松油醇所构成，添加剂(D)由含有不饱和羧酸系分散剂和油胺系分散剂的组成物所构成；前述添加剂(D)中之不饱和羧酸系分散剂之含有率为相对于导电性煳料全量而言为0.2质量%以上、1.2质量%以下，且，油胺系分散剂之含量为0.3质量%以上、2.0质量%以下。

4. 发明专利

TWI601854B 氫氧化銦粉之製造方法及氧化銦粉之製造方法、以及濺鍍靶有权
简体标题：氢氧化铟粉之制造方法及氧化铟粉之制造方法、以及溅镀靶
公开(公告)号：TWI601854B
公开(公告)日：2017-10-11
申请号：TW103118435
申请日：2014-05-27
申请人：住友金屬鑛山股份有限公司 , SUMITOMO METAL MINING CO., LTD.
发明人：菅本憲明 , SUGAMOTO, NORIAKI , 木部龍夫 , KIBE, TATSUO , 加茂哲郎 , KAMO, TETSURO , 岩佐剛 , IWASA, TSUYOSHI , 川上哲史 , KAWAKAMI, TETSUJI , 高田功 , TAKADA, KOU , 水沼昌平 , MIZUNUMA, SHOUHEI
IPC分类号： C25B1/00 , C01G15/00 , C04B35/01 , C04B35/64 , C23C14/08 , C23C14/34
CPC分类号： C01G15/00 , C01P2004/61 , C01P2004/62 , C04B35/01 , C04B2235/3286 , C04B2235/52 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/5481 , C04B2235/77 , C23C14/086 , C23C14/3414 , C25B1/00

5. 发明专利

TWI595668B 氧化物半導體薄膜及薄膜電晶體有权
简体标题：氧化物半导体薄膜及薄膜晶体管
公开(公告)号：TWI595668B
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：TW102136713
申请日：2013-10-11
申请人：住友金屬鑛山股份有限公司 , SUMITOMO METAL MINING CO., LTD.
发明人：中山德行 , NAKAYAMA, TOKUYUKI
IPC分类号： H01L29/786
CPC分类号： H01L29/24 , H01L29/04 , H01L29/66969 , H01L29/7869

6. 发明专利

TWI579073B 銀粉及其製造方法有权
简体标题：银粉及其制造方法
公开(公告)号：TWI579073B
公开(公告)日：2017-04-21
申请号：TW101121743
申请日：2012-06-18
申请人：住友金屬鑛山股份有限公司 , SUMITOMO METAL MINING CO., LTD.
发明人：井上雅仁 , INOUE, MASAHITO , 川上裕二 , KAWAKAMI, YUJI , 二瓶知倫 , NIHEI, TOMOMICHI , 寺尾俊昭 , TERAO, TOSHIAKI
IPC分类号： B22F1/00 , B22F9/24 , H01B1/22
CPC分类号： B22F9/24 , B22F1/0011 , B22F1/0096 , B22F1/02

7. 发明专利

TW201704509A 反應性濺鍍法及積層體薄膜之製造方法审中-公开
简体标题：反应性溅镀法及积层体薄膜之制造方法
公开(公告)号：TW201704509A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：TW105113021
申请日：2016-04-27
申请人：住友金屬鑛山股份有限公司 , SUMITOMO METAL MINING CO., LTD.
发明人：渡邊寬人 , WATANABE, HIROTO
IPC分类号： C23C14/35 , H01J37/34
CPC分类号： C23C14/0036 , C23C14/06 , C23C14/14 , C23C14/34 , C23C14/35 , C23C14/562 , H01B13/00
摘要：本發明提供一種於非侵蝕區域堆積之粒子堆積物或於侵蝕區域產生之突粒(nodule)不易自濺鍍靶剝離，且電弧放電等亦可獲得抑制之反應性濺鍍法等。本發明反應性濺鍍法係使用在真空腔室10內具備磁控濺鍍陰極17、18、19、20之濺鍍裝置，將含有反應性氣體之程序氣體導入真空腔室內而進行成膜，其特徵在於：反應性氣體由氧氣或氮氣所構成，且反應性氣體中含有水。藉由反應性氣體中所含之水分的作用，粒子堆積物或突粒將變得不易自濺鍍靶剝離，且帶電之粒子堆積物或突粒之電荷也會減少而可抑制電弧放電等。
简体摘要：本发明提供一种于非侵蚀区域堆积之粒子堆积物或于侵蚀区域产生之突粒(nodule)不易自溅镀靶剥离，且电弧放电等亦可获得抑制之反应性溅镀法等。本发明反应性溅镀法系使用在真空腔室10内具备磁控溅镀阴极17、18、19、20之溅镀设备，将含有反应性气体之进程气体导入真空腔室内而进行成膜，其特征在于：反应性气体由氧气或氮气所构成，且反应性气体中含有水。借由反应性气体中所含之水分的作用，粒子堆积物或突粒将变得不易自溅镀靶剥离，且带电之粒子堆积物或突粒之电荷也会减少而可抑制电弧放电等。

8. 发明专利

TWI549308B 氧化物燒結體及將其加工而成之錠有权
简体标题：氧化物烧结体及将其加工而成之锭
公开(公告)号：TWI549308B
公开(公告)日：2016-09-11
申请号：TW101103178
申请日：2012-02-01
申请人：住友金屬鑛山股份有限公司 , SUMITOMO METAL MINING CO., LTD.
发明人：中山德行 , NAKAYAMA, TOKUYUKI
IPC分类号： H01L31/042
CPC分类号： C23C14/3407 , C04B35/01 , C04B35/62675 , C04B35/62695 , C04B2235/3232 , C04B2235/3244 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/326 , C04B2235/3286 , C04B2235/5436 , C04B2235/604 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6585 , C04B2235/6586 , C04B2235/76 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C23C14/3414 , H01B1/08 , H01L31/022466 , H01L31/032 , H01L51/442 , H01L2251/308

9. 发明专利

TW201623152A 氫氧化錫粉之製造方法、及氫氧化錫粉审中-公开
简体标题：氢氧化锡粉之制造方法、及氢氧化锡粉
公开(公告)号：TW201623152A
公开(公告)日：2016-07-01
申请号：TW104134556
申请日：2015-10-21
申请人：住友金屬鑛山股份有限公司 , SUMITOMO METAL MINING CO., LTD.
发明人：木部龍夫 , KIBE, TATSUO , 加茂哲郎 , KAMO, TETSURO , 菅本憲明 , SUGAMOTO, NORIAKI
IPC分类号： C01G19/00 , C25B1/00
CPC分类号： B08B3/10 , B08B3/12 , C01G19/00 , C25B1/00
摘要：本發明提供一種氫氧化錫粉之製造方法，其在以電解法製造氫氧化錫粉之過程中，防止乾燥步驟中之氫氧化錫粉之突沸。一種藉由電解液使用硝酸銨水溶液之電解法而生成氫氧化錫粉之氫氧化錫粉之製造方法，其特徵係包含以洗淨液洗淨含氫氧化錫粉之塊餅(cake)，使洗淨後之洗淨液之導電度成為500μS/m以下之洗淨步驟S13，及使含有該洗淨步驟中洗淨後之氫氧化錫粉之塊餅在110℃以上150℃以下乾燥之乾燥步驟S15。
简体摘要：本发明提供一种氢氧化锡粉之制造方法，其在以电解法制造氢氧化锡粉之过程中，防止干燥步骤中之氢氧化锡粉之突沸。一种借由电解液使用硝酸铵水溶液之电解法而生成氢氧化锡粉之氢氧化锡粉之制造方法，其特征系包含以洗净液洗净含氢氧化锡粉之块饼(cake)，使洗净后之洗净液之导电度成为500μS/m以下之洗净步骤S13，及使含有该洗净步骤中洗净后之氢氧化锡粉之块饼在110℃以上150℃以下干燥之干燥步骤S15。

10. 发明专利

TW201613758A 積層薄膜與電極基板薄膜及此等之製造方法审中-公开
简体标题：积层薄膜与电极基板薄膜及此等之制造方法
公开(公告)号：TW201613758A
公开(公告)日：2016-04-16
申请号：TW104127614
申请日：2015-08-25
申请人：住友金屬鑛山股份有限公司 , SUMITOMO METAL MINING CO., LTD.
发明人：大上秀晴 , OKAMI, HIDEHARU
IPC分类号： B32B15/08 , B32B15/02 , B32B5/08 , H05K1/09 , H05K3/02
CPC分类号： H05K1/0274 , B32B7/02 , B32B2307/412 , B32B2307/418 , B32B2309/105 , C23C14/0036 , C23C14/08 , C23C14/185 , C23C14/24 , C23C14/352 , C23C14/562 , C23C28/021 , C23C28/023 , G06F3/041 , G06F3/044 , G06F3/045 , G06F2203/04103 , H05K1/09 , H05K3/06 , H05K3/467 , H05K2201/0108 , H05K2201/0338 , H05K2201/09681 , H05K2201/10128 , H05K2201/10151
摘要：本發明課題在於提供一種在高輝度照明下，包含金屬製細線之電路圖案也不易被看到的電極基板薄膜及用於其之積層體薄膜。解決手段為，具有透明基板52及金屬製之積層細線的電極基板薄膜，其特徵為：積層細線係具有線寬為20μm以下且由透明基板側數來為第1層的膜厚為20nm以上30nm以下的金屬吸收層51及第2層之金屬層50，可見光波長區域(400~780nm)之金屬吸收層的光學常數中，波長400nm的折射率為2.0~2.2、消光係數為1.8~2.1、波長500nm的折射率為2.4~2.7、消光係數為1.9~2.3、波長600nm的折射率為2.8~3.2、消光係數為1.9~2.5、波長700nm的折射率為3.2~3.6、消光係數為1.7~2.5、波長780nm的折射率為3.5~3.8、消光係數為1.5~2.4，透明基板與金屬吸收層的界面反射所產生之可見光波長區域的平均反射率為20%以下，可見光波長區域的最高穿透率與最低穿透率的差為10%以下。
简体摘要：本发明课题在于提供一种在高辉度照明下，包含金属制细线之电路图案也不易被看到的电极基板薄膜及用于其之积层体薄膜。解决手段为，具有透明基板52及金属制之积层细线的电极基板薄膜，其特征为：积层细线系具有线宽为20μm以下且由透明基板侧数来为第1层的膜厚为20nm以上30nm以下的金属吸收层51及第2层之金属层50，可见光波长区域(400~780nm)之金属吸收层的光学常数中，波长400nm的折射率为2.0~2.2、消光系数为1.8~2.1、波长500nm的折射率为2.4~2.7、消光系数为1.9~2.3、波长600nm的折射率为2.8~3.2、消光系数为1.9~2.5、波长700nm的折射率为3.2~3.6、消光系数为1.7~2.5、波长780nm的折射率为3.5~3.8、消光系数为1.5~2.4，透明基板与金属吸收层的界面反射所产生之可见光波长区域的平均反射率为20%以下，可见光波长区域的最高穿透率与最低穿透率的差为10%以下。

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