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81. 发明专利

TW201834066A 利用電漿連同快速熱活化製程的原子層蝕刻方法审中-公开
简体标题：利用等离子连同快速热活化制程的原子层蚀刻方法
公开(公告)号：TW201834066A
公开(公告)日：2018-09-16
申请号：TW106115441
申请日：2017-05-10
申请人：美商瑪森科技公司 , MATTSON TECHNOLOGY, INC.
发明人：馬紹銘 , MA, SHAWMING
IPC分类号： H01L21/311 , H01L21/3105 , H01J37/32
摘要：揭示一種用於在半導體晶圓上蝕刻一薄膜層的方法。該方法特別佳地適合蝕刻含碳層，例如硬式光罩層，光阻層，及其他低介電薄膜。依照本揭示內容，由一電漿所產生的一反應性物種，係與該薄膜層的表面進行接觸。同時，該基板或半導體晶圓係承受快速熱加熱循環，其以一受到控制的方式提升溫度超過反應的活化溫度。
简体摘要：揭示一种用于在半导体晶圆上蚀刻一薄膜层的方法。该方法特别佳地适合蚀刻含碳层，例如硬式光罩层，光阻层，及其他低介电薄膜。依照本揭示内容，由一等离子所产生的一反应性物种，系与该薄膜层的表面进行接触。同时，该基板或半导体晶圆系承受快速热加热循环，其以一受到控制的方式提升温度超过反应的活化温度。

82. 发明专利

TW201833992A 以原子層沉積間隙填充間隔件遮罩進行的自對準多重圖案化製程流程审中-公开
简体标题：以原子层沉积间隙填充间隔件遮罩进行的自对准多重图案化制程流程
公开(公告)号：TW201833992A
公开(公告)日：2018-09-16
申请号：TW106138259
申请日：2017-11-06
申请人：美商蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：拉芙依艾里恩 , LAVOIE, ADRIEN
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/033 , H01L21/3105 , H01L21/311
摘要：本文中描述了針對自對準多重圖案化處理形成對稱的間隔件之方法及設備。方法包含：藉由原子層沉積而在圖案化的一基板上沉積間隙填充材料，該基板包含芯材及目標層；將該基板平坦化；及對該芯材進行蝕刻以形成對稱的間隔件。填充材料可進行沉積達一持續時間，該持續時間係不足以將特徵部完全填充，使得特徵部係加以部分填充。
简体摘要：本文中描述了针对自对准多重图案化处理形成对称的间隔件之方法及设备。方法包含：借由原子层沉积而在图案化的一基板上沉积间隙填充材料，该基板包含芯材及目标层；将该基板平坦化；及对该芯材进行蚀刻以形成对称的间隔件。填充材料可进行沉积达一持续时间，该持续时间系不足以将特征部完全填充，使得特征部系加以部分填充。

83. 发明专利

TWI634607B 基板處理裝置及基板處理方法有权
简体标题：基板处理设备及基板处理方法
公开(公告)号：TWI634607B
公开(公告)日：2018-09-01
申请号：TW103144033
申请日：2014-12-17
申请人：斯克林集團公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：宮城雅宏 , MIYAGI, MASAHIRO , 田中真人 , TANAKA, MASATO
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/3105

84. 发明专利

TWI634150B 用於定向自組裝之共聚物調配物、其製造方法及包括其之物品有权
简体标题：用于定向自组装之共聚物调配物、其制造方法及包括其之物品
公开(公告)号：TWI634150B
公开(公告)日：2018-09-01
申请号：TW104140989
申请日：2015-12-07
申请人：羅門哈斯電子材料有限公司 , ROHM AND HAAS ELECTRONIC MATERIALS LLC , 陶氏全球科技責任有限公司 , DOW GLOBAL TECHNOLOGIES LLC
发明人：胡斯塔德飛利浦 D , HUSTAD, PHILLIP D. , 特萊弗納斯彼得 III , TREFONAS, PETER, III , 張詩瑋 , CHANG, SHIH WEI
IPC分类号： C08L53/00 , H01L21/3105 , H01L21/312

85. 发明专利

TW201824378A 基板處理方法审中-公开
简体标题：基板处理方法
公开(公告)号：TW201824378A
公开(公告)日：2018-07-01
申请号：TW106131778
申请日：2017-09-15
申请人：日商斯庫林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：樋口鮎美 , HIGUCHI, AYUMI , 岩崎晃久 , IWASAKI, AKIHISA
IPC分类号： H01L21/302 , H01L21/3105
摘要：本發明的基板處理方法係處理在表面形成有低介電常數被覆膜的基板。執行緻密化步驟，該緻密化步驟係藉由將低介電常數被覆膜之表層部緻密化來轉換成緻密化層。然後，執行修復液供給步驟，該修復液供給步驟係在緻密化層形成步驟之後，對低介電常數被覆膜之表面供給用以修復緻密化層的修復液。
简体摘要：本发明的基板处理方法系处理在表面形成有低介电常数被覆膜的基板。运行致密化步骤，该致密化步骤系借由将低介电常数被覆膜之表层部致密化来转换成致密化层。然后，运行修复液供给步骤，该修复液供给步骤系在致密化层形成步骤之后，对低介电常数被覆膜之表面供给用以修复致密化层的修复液。

86. 发明专利

TW201821583A 收容有液體組成物之收容容器及液體組成物的保管方法审中-公开
简体标题：收容有液体组成物之收容容器及液体组成物的保管方法
公开(公告)号：TW201821583A
公开(公告)日：2018-06-16
申请号：TW106119378
申请日：2017-06-12
申请人：富士軟片股份有限公司 , FUJIFILM CORPORATION
发明人：清水哲也 , SHIMIZU, TETSUYA , 西塔亮 , SAITO, RYO
IPC分类号： C09K3/18 , C09D7/12 , H01L21/027 , H01L21/3105 , B65D85/84
摘要：本發明的目的在於提供一種在半導體器件的製造製程等中，收容有使用於撥水性賦予等表面改性用途中之液體組成物之收容容器及上述液體組成物的保管方法，且提供一種抑制了因保管而表面改性性能劣化之、收容有液體組成物之收容容器及液體組成物的保管方法。並且，本發明的目的在於提供一種即使在作為上述液體組成物的收容容器而重複使用之情況下，亦能夠抑制因保管而表面改性性能劣化之、收容有可回收性優異之液體組成物之收容容器及液體組成物的保管方法。本發明的實施形態之收容容器具備收容有液體組成物之收容部，該液體組成物含有水分濃度為400質量ppm以下的有機溶劑和表面處理劑。上述收容部的內壁上之至少與上述液體組成物接觸之部位相對於水之接觸角θ為10度以上且150度以下。
简体摘要：本发明的目的在于提供一种在半导体器件的制造制程等中，收容有使用于拨水性赋予等表面改性用途中之液体组成物之收容容器及上述液体组成物的保管方法，且提供一种抑制了因保管而表面改性性能劣化之、收容有液体组成物之收容容器及液体组成物的保管方法。并且，本发明的目的在于提供一种即使在作为上述液体组成物的收容容器而重复使用之情况下，亦能够抑制因保管而表面改性性能劣化之、收容有可回收性优异之液体组成物之收容容器及液体组成物的保管方法。本发明的实施形态之收容容器具备收容有液体组成物之收容部，该液体组成物含有水分浓度为400质量ppm以下的有机溶剂和表面处理剂。上述收容部的内壁上之至少与上述液体组成物接触之部位相对于水之接触角θ为10度以上且150度以下。

87. 发明专利

TW201809224A ＴｉＮ硬遮罩及蝕刻殘留物的移除审中-公开
简体标题：ＴｉＮ硬遮罩及蚀刻残留物的移除
公开(公告)号：TW201809224A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：TW106143252
申请日：2016-05-02
申请人：美商慧盛材料美國責任有限公司 , VERSUM MATERIALS US, LLC
发明人：劉文達 , LIU, WEN DAR , 李翊嘉 , LEE, YI CHIA , 加斯特爾威廉傑克 JR , CASTEEL, WILLIAM JACK, JR. , 陳天牛 , CHEN, TIANNIU , 阿加渥勞爵夫克里山 , AGARWAL, RAJIV KRISHAN , 雷馬乎卡巴斯卡拉 , RAO, MADHUKAR BHASKARA
IPC分类号： C09K13/00 , C11D11/00 , C11D7/18 , C11D7/32 , C11D7/26 , C23F11/14 , C11D7/50 , H01L21/3105
CPC分类号： C11D11/0047 , C11D3/0073 , C11D3/2086 , C11D3/28 , C11D3/30 , C11D3/33 , C11D3/3773 , C11D3/3947 , C11D3/43 , H01L21/02068 , H01L21/0332 , H01L21/31111 , H01L21/31144 , H01L21/32134 , H01L21/76865
摘要：本文揭示的是用於自28/20nm圖案晶圓移除PVD TiN硬遮罩的組合物、方法及系統。該組合物使用過氧化物充當在微鹼性條件之下移除PVD TiN硬遮罩的氧化劑。該組合物包含大型或長鏈有機胺類或聚烷基胺以改良PVD TiN對比於CVD TiN的移除/蝕刻選擇性。該組合物另外包含長鏈有機酸類或胺類以保持Co相容性。
简体摘要：本文揭示的是用于自28/20nm图案晶圆移除PVD TiN硬遮罩的组合物、方法及系统。该组合物使用过氧化物充当在微碱性条件之下移除PVD TiN硬遮罩的氧化剂。该组合物包含大型或长链有机胺类或聚烷基胺以改良PVD TiN对比于CVD TiN的移除/蚀刻选择性。该组合物另外包含长链有机酸类或胺类以保持Co兼容性。

88. 发明专利

TWI618187B 藉由使用遠端電漿ＰＥＣＶＤ之ＦＣＶＤ硬體形成之可流動碳膜有权
简体标题：借由使用远程等离子ＰＥＣＶＤ之ＦＣＶＤ硬件形成之可流动碳膜
公开(公告)号：TWI618187B
公开(公告)日：2018-03-11
申请号：TW103143895
申请日：2014-12-16
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：恰特吉阿密特 , CHATTERJEE, AMIT
IPC分类号： H01L21/764 , H01L21/31 , H01L21/3105
CPC分类号： H01L21/764 , H01L21/02118 , H01L21/02274 , H01L21/31138 , H01L21/7682 , H01L21/76876

89. 发明专利

TWI609416B 半導體裝置結構及其製造方法有权
简体标题：半导体设备结构及其制造方法
公开(公告)号：TWI609416B
公开(公告)日：2017-12-21
申请号：TW105124737
申请日：2016-08-04
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：張哲誠 , CHANG, CHE CHENG , 林志翰 , LIN, CHIH HAN
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/3105 , H01L21/321 , H01L29/49 , H01L29/66 , H01L29/78
CPC分类号： H01L21/823431 , H01L21/28079 , H01L21/28088 , H01L21/31051 , H01L21/31111 , H01L21/32115 , H01L27/0886 , H01L29/0649 , H01L29/4958 , H01L29/4966 , H01L29/517 , H01L29/66545 , H01L29/66795 , H01L29/6681 , H01L29/7848 , H01L29/785 , H01L29/7851

90. 发明专利

TW201742900A CMP用研磨液及研磨方法审中-公开
公开(公告)号：TW201742900A
公开(公告)日：2017-12-16
申请号：TW106119258
申请日：2017-06-09
申请人：日立化成股份有限公司 , HITACHI CHEMICAL COMPANY, LTD.
发明人：井上恵介 , INOUE, KEISUKE , 近藤俊輔 , KONDO, SHUNSUKE , 大塚祐哉 , OTSUKA, YUYA
IPC分类号： C09G1/02 , C09K3/14 , H01L21/3105 , H01L21/321 , H01L21/304 , B24B37/04
CPC分类号： B24B37/00 , C09K3/14 , H01L21/304
摘要：本發明是有關於一種研磨液，其為用於研磨至少包含障壁金屬、金屬膜及二氧化矽膜的基板、或者至少包含障壁金屬、金屬膜、二氧化矽膜及low-k膜的基板的CMP用研磨液，且所述研磨液含有研磨粒子、氧化金屬溶解劑、氧化劑、水溶性高分子及鹼金屬離子，研磨時的研磨粒子及金屬膜的表面電位為相同符號，研磨粒子的表面電位（mV）與金屬膜的表面電位（mV）的積為250～10000，pH為7.0～11.0。
简体摘要：本发明是有关于一种研磨液，其为用于研磨至少包含障壁金属、金属膜及二氧化硅膜的基板、或者至少包含障壁金属、金属膜、二氧化硅膜及low-k膜的基板的CMP用研磨液，且所述研磨液含有研磨粒子、氧化金属溶解剂、氧化剂、水溶性高分子及碱金属离子，研磨时的研磨粒子及金属膜的表面电位为相同符号，研磨粒子的表面电位（mV）与金属膜的表面电位（mV）的积为250～10000，pH为7.0～11.0。

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