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81. 发明专利

TW202007442A 靜電電場乾燥方法及其裝置审中-公开
简体标题：静电电场干燥方法及其设备
公开(公告)号：TW202007442A
公开(公告)日：2020-02-16
申请号：TW107125073
申请日：2018-07-20
申请人：郭朝泉 , 吳耀華
发明人：郭朝泉 , 吳耀華
IPC分类号： B01J19/08
摘要：本發明係指一種靜電電場乾燥方法及其裝置，具有含有水分子之欲乾燥物品置入靜電電場乾燥裝置之階段，且在該階段中，是在該電場乾燥裝置產生的電磁累積產生靜電，並以靜電與電子累積之電子在該欲乾燥物品所含水分子處產生電泳，電泳在該欲乾燥物品內使所含水分子以反方向溢出，且電泳能使水分子以反方向脫離出該欲乾燥物品之外，俾此，達成該欲乾燥物品之乾燥，俾此，達成該欲乾燥物品之乾燥的事實優異依據者。
简体摘要：本发明系指一种静电电场干燥方法及其设备，具有含有水分子之欲干燥物品置入静电电场干燥设备之阶段，且在该阶段中，是在该电场干燥设备产生的电磁累积产生静电，并以静电与电子累积之电子在该欲干燥物品所含水分子处产生电泳，电泳在该欲干燥物品内使所含水分子以反方向溢出，且电泳能使水分子以反方向脱离出该欲干燥物品之外，俾此，达成该欲干燥物品之干燥，俾此，达成该欲干燥物品之干燥的事实优异依据者。

82. 发明专利

TWI683929B 水凝膠的電化學性製作方法、具有以細胞所形成的型樣之水凝膠的製作方法、水凝膠製作裝置及轉換器有权
简体标题：水凝胶的电化学性制作方法、具有以细胞所形成的型样之水凝胶的制作方法、水凝胶制作设备及转换器
公开(公告)号：TWI683929B
公开(公告)日：2020-02-01
申请号：TW107103357
申请日：2018-01-31
申请人：國立大學法人東北大學 , TOHOKU UNIVERSITY , 日商日本航空電子工業股份有限公司 , JAPAN AVIATION ELECTRONICS INDUSTRY, LIMITED
发明人：伊野浩介 , INO, KOSUKE , 末永智一 , MATSUE, TOMOKAZU , 珠玖仁 , SHIKU, HITOSHI , 寺內万由子 , TERAUCHI, MAYUKO , 平典子 , TAIRA, NORIKO , 國方亮太 , KUNIKATA, RYOTA , 須田篤史 , SUDA, ATSUSHI
IPC分类号： C25B3/00 , C25B9/00 , B01J19/08 , C12N11/04 , C12N13/00 , C12M1/42

83. 发明专利

TWI644724B 照光反應化工處理系統有权
简体标题：照光反应化工处理系统
公开(公告)号：TWI644724B
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：TW106146385
申请日：2017-12-29
申请人：國立清華大學 , NATIONAL TSING HUA UNIVERSITY
发明人：黃國柱 , HWANG, KUO-CHU
IPC分类号： B01J19/08 , B01F3/04 , B01F15/00

84. 发明专利

TWI641556B 用於奈米粒子之合成的連續流動反應器有权
简体标题：用于奈米粒子之合成的连续流动反应器
公开(公告)号：TWI641556B
公开(公告)日：2018-11-21
申请号：TW104108205
申请日：2015-03-13
申请人：秀伊電子材料公司 , SHOEI ELECTRONIC MATERIALS, INC.
发明人：史酷特大衛M , SCHUT, DAVID M. , 哈本派翠克M , HABEN, PATRICK M. , 諾維特湯瑪斯E , NOVET, THOMAS E. , 彼得森丹尼爾A , PETERSON, DANIEL A. , 威廉斯喬治M , WILLIAMS, GEORGE M.
IPC分类号： C01G21/21 , B82B3/00 , B82Y40/00 , B22F9/28 , B22F1/02 , B01J8/24 , B01J19/08 , B01J19/24

85. 发明专利

TW201831648A 半導體奈米粒子製造裝置以及半導體奈米粒子製造方法审中-公开
简体标题：半导体奈米粒子制造设备以及半导体奈米粒子制造方法
公开(公告)号：TW201831648A
公开(公告)日：2018-09-01
申请号：TW107102431
申请日：2018-01-24
申请人：國立研究開發法人產業技術總合研究所 , NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY , 日商日立化成股份有限公司 , HITACHI CHEMICAL COMPANY, LTD.
发明人：佐野泰三 , SANO, TAIZO , 脇坂昭弘 , WAKISAKA, AKIHIRO , 小須田勝利 , KOSUDA, SHORI , 平谷正彦 , HIRATANI, MASAHIKO , 馬渕勇介 , MABUCHI, YUSUKE
IPC分类号： C09K11/02 , C09K11/08 , B82Y40/00 , B01J19/26 , B01J19/08
摘要：一種半導體奈米粒子製造裝置，其包括：噴霧部，將包含12族元素及13族元素的至少一種的液體（1）或包含15族元素及16族元素的至少一種的液體（2）中的一者噴霧；以及反應器，供給所述液體（1）及所述液體（2）中的未被噴霧的另一液體，由所述噴霧部噴霧的液滴與所述另一液體接觸，將所述液體（1）與所述液體（2）混合來使液體（1）中所含的12族元素及13族元素的至少一種與液體（2）中所含的15族元素及16族元素的至少一種反應。
简体摘要：一种半导体奈米粒子制造设备，其包括：喷雾部，将包含12族元素及13族元素的至少一种的液体（1）或包含15族元素及16族元素的至少一种的液体（2）中的一者喷雾；以及反应器，供给所述液体（1）及所述液体（2）中的未被喷雾的另一液体，由所述喷雾部喷雾的液滴与所述另一液体接触，将所述液体（1）与所述液体（2）混合来使液体（1）中所含的12族元素及13族元素的至少一种与液体（2）中所含的15族元素及16族元素的至少一种反应。

86. 发明专利

TWI618570B 用於廢氣處理的低壓電漿反應器有权
简体标题：用于废气处理的低压等离子反应器
公开(公告)号：TWI618570B
公开(公告)日：2018-03-21
申请号：TW104110271
申请日：2015-03-30
申请人：清洁要素技術有限公司 , CLEAN FACTORS CO., LTD. , 盧明根 , NOH, MYUNG KEUN , 文敬淳 , MOON, KYUNG SUN
发明人：盧明根 , NOH, MYUNGKEUN , 文敬淳 , MOON, KYUNGSUN , 高京吾 , KO, GYOUNG O
IPC分类号： B01D53/46 , B01D53/32 , B01J19/08 , H01L21/3065 , C23C16/44
CPC分类号： C23C16/505 , H01L21/3065 , H05H1/46

87. 发明专利

TW201803641A 藉由動態磁控管控制的物理氣相沉積電漿能量控制审中-公开
简体标题：借由动态磁控管控制的物理气相沉积等离子能量控制
公开(公告)号：TW201803641A
公开(公告)日：2018-02-01
申请号：TW106120881
申请日：2017-06-22
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：萊克馬丁李 , RIKER, MARTIN LEE , 米勒凱斯A , MILLER, KEITH A. , 卡亞卡史瑞坎特 , GAYAKA, SHREEKANT , 強森卡羅R , JOHNSON, CARL R.
IPC分类号： B01J19/08 , C23C14/35
CPC分类号： H01J37/3476 , C23C14/35 , C23C14/541 , C23C14/542 , C23C14/5806 , H01J37/32027 , H01J37/32082 , H01J37/3266 , H01J37/32697 , H01J37/32715 , H01J37/3455 , H01J2237/334 , H01L21/2855 , H01L21/3065 , H01L22/26
摘要：本案描述用於控制處理腔室內的基板的處理的方法、設備和系統。在一些實施例中，控制處理腔室內的基板處理的方法包括以下步驟：決定處理腔室中的磁控管相對於基板的表面上的參考位置之一位置及基於所決定的磁控管的位置來調變影響基板處理的至少一個電源供應的功率參數，以控制例如基板處理的沉積速率或蝕刻速率中的至少一個。在一個實施例中，調變功率參數是以下各者中的至少一個的功率設定點：直流（DC）源功率、射頻（RF）偏壓功率、直流屏蔽偏壓電壓或至少一個電源供應的電磁線圈電流。
简体摘要：本案描述用于控制处理腔室内的基板的处理的方法、设备和系统。在一些实施例中，控制处理腔室内的基板处理的方法包括以下步骤：决定处理腔室中的磁控管相对于基板的表面上的参考位置之一位置及基于所决定的磁控管的位置来调制影响基板处理的至少一个电源供应的功率参数，以控制例如基板处理的沉积速率或蚀刻速率中的至少一个。在一个实施例中，调制功率参数是以下各者中的至少一个的功率设置点：直流（DC）源功率、射频（RF）偏压功率、直流屏蔽偏压电压或至少一个电源供应的电磁线圈电流。

88. 发明专利

TWI601845B 具有旋轉反應器管之電漿增強型原子層沈積系統有权
简体标题：具有旋转反应器管之等离子增强型原子层沉积系统
公开(公告)号：TWI601845B
公开(公告)日：2017-10-11
申请号：TW105127323
申请日：2016-08-25
申请人：精微超科技公司 , ULTRATECH, INC.
发明人：賽菲羅普羅亞瑟 , ZAFIROPOULO, ARTHUR W. , 漢瑞魯克安德魯 , HAWRYLUK, ANDREW M.
IPC分类号： C23C16/44 , C23C16/442 , C23C16/455 , C23C16/505 , B01J19/08 , B01J19/28 , B01J8/10 , H05H1/46 , H05H7/14
CPC分类号： H01J37/32733 , C23C16/4417 , C23C16/45538 , C23C16/45555 , H01J37/32247 , H01J37/32458 , H01J37/32467 , H01J37/3266 , H01J37/32678 , H01J37/32825 , H01J37/32853 , H01J2237/20214

89. 发明专利

TWI589375B 金屬粉末製造用電漿裝置及金屬粉末的製造方法有权
简体标题：金属粉末制造用等离子设备及金属粉末的制造方法
公开(公告)号：TWI589375B
公开(公告)日：2017-07-01
申请号：TW101144892
申请日：2012-11-30
申请人：昭榮化學工業股份有限公司 , SHOEI CHEMICAL INC.
发明人：謝力克傑蘇爾 , CELIK, CESUR , 科姆希奇法蘭克 , KOMSIC, FRANK , 前川雅之 , MAEKAWA, MASAYUKI , 清水史幸 , SHIMIZU, FUMIYUKI , 卡基亞阿卡西凱末爾 , CAKIR, AGASI KEMAL , 德斯傑汀班諾特 , DESJARDINS, BENOIT
IPC分类号： B22F9/14 , B01J19/08

90. 发明专利

TW201716090A 殺菌裝置审中-公开
简体标题：杀菌设备
公开(公告)号：TW201716090A
公开(公告)日：2017-05-16
申请号：TW105128629
申请日：2016-09-05
申请人：日機裝股份有限公司 , NIKKISO CO., LTD.
发明人：木內裕紀 , KIUCHI, HIROKI , 越智鐵美 , OCHI, TETSUMI
IPC分类号： A61L2/10 , C02F1/32 , A23L2/50 , B01J19/08 , A23L3/28 , B65B55/16
CPC分类号： A61L2/10 , A61B1/121 , A61L2/0047 , A61L9/20 , A61L2202/122 , A61L2202/24 , C02F1/32
摘要：本發明提供一種殺菌裝置(10)，係具備：處理室，其具有複數個流入口(第一流入口(32)、第二流入口(34))、和流出口(36)；以及複數個光源(第一光源(12)、第二光源(14))，用以對流動於處理室(50)內的流體照射紫外光。複數個光源(第一光源(12)、第二光源(14))的每個光源係以朝向比流出口(36)更流動於所對應的流入口(第一流入口(32)、第二流入口(34))之附近的流體照射紫外光的方式所配置。處理室(50)亦可具有從第一端面朝向第二端面並沿著長邊方向延伸的形狀。複數個光源亦可包括：配置於第一端面的第一光源(12)；以及配置於第二端面的第二光源(14)。
简体摘要：本发明提供一种杀菌设备(10)，系具备：处理室，其具有复数个流入口(第一流入口(32)、第二流入口(34))、和流出口(36)；以及复数个光源(第一光源(12)、第二光源(14))，用以对流动于处理室(50)内的流体照射紫外光。复数个光源(第一光源(12)、第二光源(14))的每个光源系以朝向比流出口(36)更流动于所对应的流入口(第一流入口(32)、第二流入口(34))之附近的流体照射紫外光的方式所配置。处理室(50)亦可具有从第一端面朝向第二端面并沿着长边方向延伸的形状。复数个光源亦可包括：配置于第一端面的第一光源(12)；以及配置于第二端面的第二光源(14)。

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