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81. 发明专利

TWI697089B 具有整合的電容器的半導體裝置及其製造方法有权
简体标题：具有集成的电容器的半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TWI697089B
公开(公告)日：2020-06-21
申请号：TW107119483
申请日：2018-06-06
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.
发明人：周仲彥 , CHOU, CHUNG-YEN
IPC分类号： H01L23/522 , H01L29/92

82. 发明专利

TWI688107B 半導體電容器結構及其製備方法有权
简体标题：半导体电容器结构及其制备方法
公开(公告)号：TWI688107B
公开(公告)日：2020-03-11
申请号：TW107136919
申请日：2018-10-19
申请人：南亞科技股份有限公司 , NANYA TECHNOLOGY CORPORATION
发明人：黃仲麟 , HUANG, CHUNG-LIN
IPC分类号： H01L29/92

83. 发明专利

TWI686956B 電容器有权
简体标题：电容器
公开(公告)号：TWI686956B
公开(公告)日：2020-03-01
申请号：TW108109881
申请日：2019-03-21
申请人：奇景光電股份有限公司 , HIMAX TECHNOLOGIES LIMITED
发明人：陳稟亮 , CHEN, PING-LIANG , 簡兆良 , CHIEN, CHAO-LIANG , 湯士逸 , TANG, SHIH-YI
IPC分类号： H01L29/92 , H01L29/772

84. 发明专利

TW202004793A 積層陶瓷電子零件之製造方法审中-公开
简体标题：积层陶瓷电子零件之制造方法
公开(公告)号：TW202004793A
公开(公告)日：2020-01-16
申请号：TW108115853
申请日：2019-05-08
申请人：日商太陽誘電股份有限公司 , TAIYO YUDEN CO., LTD.
发明人：服部貴之 , HATTORI, TAKAYUKI , 大和雄斗 , YAMATO, YUTO
IPC分类号： H01G4/12 , H01G4/30 , H01L29/92
摘要：本發明提供一種可抑制內部電極發生短路之積層陶瓷電子零件之製造方法。積層陶瓷電子零件之製造方法中，製作積層體，該積層體具有：複數個陶瓷層，其積層於第1方向；複數個內部電極，其配置於上述複數個陶瓷層之間；及側面，其朝向正交於上述第1方向之第2方向，露出上述複數個內部電極。燒成上述積層體。於燒成之上述積層體之上述側面形成側邊緣部。該構成中，由於在形成側邊緣部之前燒成積層體，故於燒成時不易發生因內部電極變形所致之短路。
简体摘要：本发明提供一种可抑制内部电极发生短路之积层陶瓷电子零件之制造方法。积层陶瓷电子零件之制造方法中，制作积层体，该积层体具有：复数个陶瓷层，其积层于第1方向；复数个内部电极，其配置于上述复数个陶瓷层之间；及侧面，其朝向正交于上述第1方向之第2方向，露出上述复数个内部电极。烧成上述积层体。于烧成之上述积层体之上述侧面形成侧边缘部。该构成中，由于在形成侧边缘部之前烧成积层体，故于烧成时不易发生因内部电极变形所致之短路。

85. 发明专利

TWI675489B 製造電容匹配ＦＥＴ之方法及相關裝置有权
简体标题：制造电容匹配ＦＥＴ之方法及相关设备
公开(公告)号：TWI675489B
公开(公告)日：2019-10-21
申请号：TW107110695
申请日：2018-03-28
申请人：新加坡商格羅方德半導體私人有限公司 , GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE. LTD.
发明人：侯永田 , HOU, YONGTIAN , 林啟榮 , LIM, KHEE YONG , 蔡明蒼 , TSAI, MING TSANG , 郭克文 , QUEK, ELGIN KIOK BOONE
IPC分类号： H01L29/92 , H01L21/30 , H01L21/76

86. 发明专利

TWI664652B 金屬-氧化物-金屬電容有权
简体标题：金属-氧化物-金属电容
公开(公告)号：TWI664652B
公开(公告)日：2019-07-01
申请号：TW106118009
申请日：2017-06-01
申请人：聯發科技股份有限公司 , MEDIATEK INC.
发明人：蔡志厚 , TSAI, CHIH-HOU , 蔡偉浩 , TSAI, WEI-HAO , 褚嶸興 , CHU, RONG-SING , 林英儒 , LIN, YING-ZU , 呂昭信 , LU, CHAO-HSIN
IPC分类号： H01G4/005 , H01G4/10 , H01G4/228 , H01L29/92 , H01L23/522

87. 发明专利

TWI648861B 高壓電容結構及數位隔離裝置有权
简体标题：高压电容结构及数码隔离设备
公开(公告)号：TWI648861B
公开(公告)日：2019-01-21
申请号：TW107105179
申请日：2018-02-13
申请人：富創微電子有限公司 , VOLTRON MICROELECTRONICS CORP.
发明人：鄭俊一 , CHENG, CHUN YI
IPC分类号： H01L29/92

88. 发明专利

TW201904077A 電容器結構及其製造方法审中-公开
简体标题：电容器结构及其制造方法
公开(公告)号：TW201904077A
公开(公告)日：2019-01-16
申请号：TW106119200
申请日：2017-06-09
申请人：華邦電子股份有限公司 , WINBOND ELECTRONICS CORP.
发明人：朴哲秀 , PARK, CHEOL SOO , 陳明堂 , CHEN, MING-TANG , 王春傑 , WANG, CHUN-CHIEH
IPC分类号： H01L29/92 , H01L21/70
摘要：一種電容器結構，包括：基底、杯狀下電極、頂支撐層、電容介電層以及上電極。杯狀下電極位於基底上。頂支撐層環繞所述杯狀下電極的上部。所述頂支撐層的材料為高介電常數材料。電容介電層覆蓋所述杯狀下電極的表面與所述頂支撐層的表面。上電極覆蓋所述電容介電層的表面。
简体摘要：一种电容器结构，包括：基底、杯状下电极、顶支撑层、电容介电层以及上电极。杯状下电极位于基底上。顶支撑层环绕所述杯状下电极的上部。所述顶支撑层的材料为高介电常数材料。电容介电层覆盖所述杯状下电极的表面与所述顶支撑层的表面。上电极覆盖所述电容介电层的表面。

89. 发明专利

TWI636576B 嵌入式金屬－絕緣體－金屬（ＭＩＭ）電容器有权
简体标题：嵌入式金属－绝缘体－金属（ＭＩＭ）电容器
公开(公告)号：TWI636576B
公开(公告)日：2018-09-21
申请号：TW104125574
申请日：2015-08-06
申请人：格羅方德半導體公司 , GLOBALFOUNDRIES US INC.
发明人：西德爾羅柏特 , SEIDEL, ROBERT , 哈斯卡托斯特 , HUISINGA, TORSTEN
IPC分类号： H01L29/92

90. 发明专利

TWI621211B 電路基板及電路基板之製造方法有权
简体标题：电路基板及电路基板之制造方法
公开(公告)号：TWI621211B
公开(公告)日：2018-04-11
申请号：TW106103254
申请日：2017-01-26
申请人：富士全錄股份有限公司 , FUJI XEROX CO., LTD. , 野田士克林股份有限公司 , NODA SCREEN CO., LTD.
发明人：井口大介 , IGUCHI, DAISUKE , 服部篤典 , HATTORI, ATSUNORI
IPC分类号： H01L21/768 , H01L29/92
CPC分类号： H01L24/17 , H01L21/4875 , H01L23/492 , H01L23/5223 , H01L23/528 , H01L23/53214 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L25/16 , H01L25/50 , H01L2224/13144 , H01L2224/16225 , H01L2924/15174 , H01L2924/15311 , H01L2924/19041 , H01L2924/19105 , H01L2924/00014

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