专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TWI643192B 非揮發性記憶體裝置的交接點佈局有权
简体标题：非挥发性内存设备的交接点布局
公开(公告)号：TWI643192B
公开(公告)日：2018-12-01
申请号：TW106131577
申请日：2017-09-14
申请人：新加坡商格羅方德半導體私人有限公司 , GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE. LTD.
发明人：蔡新樹 , CAI, XINSHU , 林啟榮 , LIM, KHEE YONG , 郭克文 , QUEK, KIOK BOONE ELGIN
IPC分类号： G11C11/412 , H01L27/11

2. 发明专利

TWI675489B 製造電容匹配ＦＥＴ之方法及相關裝置有权
简体标题：制造电容匹配ＦＥＴ之方法及相关设备
公开(公告)号：TWI675489B
公开(公告)日：2019-10-21
申请号：TW107110695
申请日：2018-03-28
申请人：新加坡商格羅方德半導體私人有限公司 , GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE. LTD.
发明人：侯永田 , HOU, YONGTIAN , 林啟榮 , LIM, KHEE YONG , 蔡明蒼 , TSAI, MING TSANG , 郭克文 , QUEK, ELGIN KIOK BOONE
IPC分类号： H01L29/92 , H01L21/30 , H01L21/76

3. 发明专利

TW201832238A 非揮發性記憶體裝置的交接點佈局审中-公开
简体标题：非挥发性内存设备的交接点布局
公开(公告)号：TW201832238A
公开(公告)日：2018-09-01
申请号：TW106131577
申请日：2017-09-14
申请人：新加坡商格羅方德半導體私人有限公司 , GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE. LTD.
发明人：蔡新樹 , CAI, XINSHU , 林啟榮 , LIM, KHEE YONG , 郭克文 , QUEK, KIOK BOONE ELGIN
IPC分类号： G11C11/412 , H01L27/11
摘要：本文揭露一種裝置及形成該裝置的方法。該方法包括提供製備有一記憶體單元區域的一基板以及形成記憶體單元對於該單元區域中。該記憶體單元對包括第一分離閘極記憶體單元以及第二分離閘極記憶體單元。各記憶體單元包括作為一存取閘極的一第一閘極，相鄰於該第一閘極的一第二閘極，該第二閘極作為一儲存閘極，一第一源/汲(S/D)區域鄰接該第一閘極以及一第二S/D區域鄰接該第二閘極。該方法還包括形成矽化物接觸件於拾取點區域中的閘極導電體以及第一S/D區域以及暴露的掩埋共同的源線(SL)上的基板上，以增加至一延伸位移距離DE的字元線以及源線(WLSL)區域中的位移距離，而避免該第一偏移存取閘極導電體以及記憶體單元對的行(row)的相鄰存取閘極導電體之間的短路。
简体摘要：本文揭露一种设备及形成该设备的方法。该方法包括提供制备有一内存单元区域的一基板以及形成内存单元对于该单元区域中。该内存单元对包括第一分离闸极内存单元以及第二分离闸极内存单元。各内存单元包括作为一存取闸极的一第一闸极，相邻于该第一闸极的一第二闸极，该第二闸极作为一存储闸极，一第一源/汲(S/D)区域邻接该第一闸极以及一第二S/D区域邻接该第二闸极。该方法还包括形成硅化物接触件于十取点区域中的闸极导电体以及第一S/D区域以及暴露的掩埋共同的源线(SL)上的基板上，以增加至一延伸位移距离DE的字符线以及源线(WLSL)区域中的位移距离，而避免该第一偏移存取闸极导电体以及内存单元对的行(row)的相邻存取闸极导电体之间的短路。

4. 发明专利

TWI699000B 延伸汲極MOSFETS(EDMOS) 有权
简体标题：延伸汲极MOSFETS(EDMOS)
公开(公告)号：TWI699000B
公开(公告)日：2020-07-11
申请号：TW108117121
申请日：2019-05-17
申请人：新加坡商格芯(新加坡)私人有限公司 , GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE. LTD.
发明人：楊嘉晶 , YEO, CHIA CHING , 林啟榮 , LIM, KHEE YONG , 郭克文 , QUEK, KIOK BOONE ELGIN , 迪士尼唐納R , DISNEY, DONALD R.
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/28

5. 发明专利

TWI642182B 鰭基非揮發性記憶體結構、具有此結構之積體電路及其製造方法有权
简体标题：鳍基非挥发性内存结构、具有此结构之集成电路及其制造方法
公开(公告)号：TWI642182B
公开(公告)日：2018-11-21
申请号：TW105125273
申请日：2016-08-09
申请人：格羅方德半導體私人有限公司 , GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE. LTD.
发明人：蔡明蒼 , TSAI, MING TSANG , 林啟榮 , LIM, KHEE YONG , 郭克文 , QUEK, KIOK BOONE ELGIN
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/423 , H01L29/66 , H01L29/78 , H01L29/788 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L27/11517

6. 发明专利

TW201813085A 鰭基非揮發性記憶體結構、具有此結構之積體電路及其製造方法审中-公开
简体标题：鳍基非挥发性内存结构、具有此结构之集成电路及其制造方法
公开(公告)号：TW201813085A
公开(公告)日：2018-04-01
申请号：TW105125273
申请日：2016-08-09
申请人：格羅方德半導體私人有限公司 , GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE. LTD.
发明人：蔡明蒼 , TSAI, MING TSANG , 林啟榮 , LIM, KHEE YONG , 郭克文 , QUEK, KIOK BOONE ELGIN
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/423 , H01L29/66 , H01L29/78 , H01L29/788 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L27/11517
CPC分类号： H01L29/7887 , H01L29/0653 , H01L29/42328 , H01L29/66795 , H01L29/66825 , H01L29/7851
摘要：提供的是積體電路、非揮發性記憶體(NVM)結構、以及具有NVM結構之積體電路的製造方法。例示性積體電路包括基材及上覆於此基材之雙位元NVM結構。雙位元NVM結構包括基材上方平行橫向延展的主要、第一相鄰與第二相鄰鰭形結構。主要鰭形結構包括源極、通道與汲極區。各相鄰鰭形結構包括編程/抹除閘極。雙位元NVM結構更包括定位於主要鰭形結構之通道區與第一相鄰鰭形結構之間的第一浮動閘極、以及定位於主要鰭形結構之通道區與第二相鄰鰭形結構之間的第二浮動閘極。此外，雙位元NVM結構包括相鄰主要鰭形結構之控制閘極。
简体摘要：提供的是集成电路、非挥发性内存(NVM)结构、以及具有NVM结构之集成电路的制造方法。例示性集成电路包括基材及上覆于此基材之双比特NVM结构。双比特NVM结构包括基材上方平行横向延展的主要、第一相邻与第二相邻鳍形结构。主要鳍形结构包括源极、信道与汲极区。各相邻鳍形结构包括编程/抹除闸极。双比特NVM结构更包括定位于主要鳍形结构之信道区与第一相邻鳍形结构之间的第一浮动闸极、以及定位于主要鳍形结构之信道区与第二相邻鳍形结构之间的第二浮动闸极。此外，双比特NVM结构包括相邻主要鳍形结构之控制闸极。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式