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81. 发明专利

TWI501927B 金屬膜製造用組成物、金屬膜之製造方法及金屬粉末之製造方法有权
简体标题：金属膜制造用组成物、金属膜之制造方法及金属粉末之制造方法
公开(公告)号：TWI501927B
公开(公告)日：2015-10-01
申请号：TW098135757
申请日：2009-10-22
申请人：東曹股份有限公司 , TOSOH CORPORATION , 財團法人相模中央化學研究所 , SAGAMI CHEMICAL RESEARCH CENTER
发明人：山川哲 , YAMAKAWA, TETSU , 大島憲昭 , OSHIMA, NORIAKI , 川畑貴裕 , KAWABATA, TAKAHIRO , 木下智之 , KINOSHITA, TOMOYUKI , 稻生俊雄 , INASE, TOSHIO
IPC分类号： C01G3/00 , C01G5/00 , C01G15/00 , C07C31/125 , B01J31/26 , H01L21/283
CPC分类号： C23C18/08 , B22F9/24 , B22F2998/00 , H01B1/02 , H01B1/026 , B22F1/0018

82. 发明专利

TWI494471B 金屬銅膜及其製造方法、金屬銅圖案及使用其之導體配線、金屬銅凸塊、熱傳導路徑、接合材及液狀組成物失效
简体标题：金属铜膜及其制造方法、金属铜图案及使用其之导体配线、金属铜凸块、热传导路径、接合材及液状组成物
公开(公告)号：TWI494471B
公开(公告)日：2015-08-01
申请号：TW099131225
申请日：2010-09-15
申请人：日立化成股份有限公司 , HITACHI CHEMICAL COMPANY, LTD.
发明人：中子偉夫 , NAKAKO, HIDEO , 山本和德 , YAMAMOTO, KAZUNORI , 神代恭 , KUMASHIRO, YASUSHI , 橫澤舜哉 , YOKOZAWA, SHUNYA , 增田克之 , MASUDA, KATSUYUKI , 江尻芳則 , EJIRI, YOSHINORI , 稻田麻希 , INADA, MAKI , 黑田杏子 , KURODA, KYOUKO
IPC分类号： C23C18/38 , B32B15/04 , H05K3/10 , H05K3/32
CPC分类号： B22F9/26 , B22F1/02 , B22F9/22 , B22F9/24 , B22F2201/01 , B22F2301/10 , B22F2302/25 , B22F2999/00 , B32B15/01 , C22C5/04 , C22C9/00 , H01B1/026 , H05K1/097 , H05K3/105 , H05K3/1283 , H05K2201/0224 , H05K2201/0272 , H05K2203/0315 , H05K2203/1131 , H05K2203/1157 , Y10T156/10 , Y10T428/12903 , B22F2201/013 , B22F2202/13

83. 发明专利

TW201527557A 鍍錫銅合金端子材审中-公开
简体标题：镀锡铜合金端子材
公开(公告)号：TW201527557A
公开(公告)日：2015-07-16
申请号：TW103135367
申请日：2014-10-13
申请人：三菱綜合材料股份有限公司 , MITSUBISHI MATERIALS CORPORATION
发明人：井上雄基 , INOUE, YUKI , 加藤直樹 , KATO, NAOKI
IPC分类号： C22C9/00 , C23C28/02 , B32B15/01 , B32B3/30 , B32B38/10 , H01R13/03
CPC分类号： B32B15/01 , B32B15/20 , B32B2250/04 , C25D5/12 , C25D5/505 , H01B1/026 , Y10T428/12715
摘要：本發明之目的在於提供一種對於使用通用鍍Sn端子材的端子也能夠降低嵌合時的插入力的鍍錫銅合金端子材。本發明的鍍錫銅合金端子材在由Cu合金構成的基材上表面形成有Sn系表面層，在Sn系表面層與基材之間形成有CuSn合金層，將Sn系表面層熔解除去而使CuSn合金層出現在表面時所測定的CuSn合金層的油積存深度Rvk為0.2μm以上，並且，前述Sn系表面層的平均厚度為0.2μm以上0.6μm以下，CuSn合金層的一部分在Sn系表面層露出，在最表面形成有0.005μm以上0.05μm以下的膜厚的由Ni或NiSn合金構成的Ni系包覆層，Ni系包覆層形成於從Sn系表面層露出的CuSn合金層上，表面的動摩擦係數為0.3以下。
简体摘要：本发明之目的在于提供一种对于使用通用镀Sn端子材的端子也能够降低嵌合时的插入力的镀锡铜合金端子材。本发明的镀锡铜合金端子材在由Cu合金构成的基材上表面形成有Sn系表面层，在Sn系表面层与基材之间形成有CuSn合金层，将Sn系表面层熔解除去而使CuSn合金层出现在表面时所测定的CuSn合金层的油积存深度Rvk为0.2μm以上，并且，前述Sn系表面层的平均厚度为0.2μm以上0.6μm以下，CuSn合金层的一部分在Sn系表面层露出，在最表面形成有0.005μm以上0.05μm以下的膜厚的由Ni或NiSn合金构成的Ni系包覆层，Ni系包覆层形成于从Sn系表面层露出的CuSn合金层上，表面的动摩擦系数为0.3以下。

84. 发明专利

TW201518519A 銅合金板及具備其之散熱用電子零件审中-公开
简体标题：铜合金板及具备其之散热用电子零件
公开(公告)号：TW201518519A
公开(公告)日：2015-05-16
申请号：TW103120313
申请日：2014-06-12
申请人： JX日鑛日石金屬股份有限公司 , JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION
发明人：川崎由記 , KAWASAKI, YUKI , 柿谷明宏 , KAKITANI, AKIHIRO
IPC分类号： C22C9/02 , C22F1/08 , H05K1/09 , H05K1/02 , H05K7/20
CPC分类号： C22C9/02 , C22C9/00 , C22C9/05 , H01B1/026
摘要：本發明之銅合金板含有0.01~0.3質量%之Sn，剩餘部分由銅及其不可避免之雜質構成，具有75%IACS以上之導電率及300MPa以上之0.2%保證應力，且於將相對於壓延方向平行之方向、直角之方向及形成45°之方向之各自的蘭克福特值(Lankford value)分別設為r0、r90、r45時，以(r0+r90+2×r45)/4定義之板厚各向異性r成為1.0以上。
简体摘要：本发明之铜合金板含有0.01~0.3质量%之Sn，剩余部分由铜及其不可避免之杂质构成，具有75%IACS以上之导电率及300MPa以上之0.2%保证应力，且于将相对于压延方向平行之方向、直角之方向及形成45°之方向之各自的兰克福特值(Lankford value)分别设为r0、r90、r45时，以(r0+r90+2×r45)/4定义之板厚各向异性r成为1.0以上。

85. 发明专利

TWI480394B Ｃｕ－Ｍｇ－Ｐ系銅合金條材及其製造方法有权
简体标题：Ｃｕ－Ｍｇ－Ｐ系铜合金条材及其制造方法
公开(公告)号：TWI480394B
公开(公告)日：2015-04-11
申请号：TW099144991
申请日：2010-12-21
申请人：三菱伸銅股份有限公司 , MITSUBISHI SHINDOH CO., LTD.
发明人：櫻井健 , SAKURAI, TAKESHI , 龜山嘉裕 , KAMEYAMA, YOSHIHIRO , 阿部良雄 , ABE, YOSHIO
IPC分类号： C22C9/00 , C22F1/08 , B21B3/00
CPC分类号： H01B1/026 , C22C9/00 , C22F1/08

86. 发明专利

TW201447053A 具有優異插拔性的鍍錫銅合金端子材审中-公开
简体标题：具有优异插拔性的镀锡铜合金端子材
公开(公告)号：TW201447053A
公开(公告)日：2014-12-16
申请号：TW103110474
申请日：2014-03-20
申请人：三菱綜合材料股份有限公司 , MITSUBISHI MATERIALS CORPORATION
发明人：加藤直樹 , KATO, NAOKI , 井上雄基 , INOUE, YUKI , 樽谷圭栄 , TARUTANI, YOSHIE
IPC分类号： C25D5/34 , C25D5/10 , C25D5/50 , C22C9/00 , C22C9/02 , C22C9/06 , C22C9/10 , C25D7/06 , H01B5/02 , H01B13/00
CPC分类号： H01B1/026 , C25D3/30 , C25D3/38 , C25D5/10 , C25D5/34 , C25D5/505 , Y10T428/12715
摘要：本發明之課題在於提供一種可發揮優異電連接特性並將動摩擦係數降低至0.3以下，且具有優異插拔性的鍍錫銅合金端子材。本發明之解決手段為一種鍍錫銅合金端子材，其係在由Cu合金所構成之基材上的表面形成有Sn系表面層，且於該Sn系表面層與基材之間形成有CuSn合金層之鍍錫銅合金端子材，CuSn合金層為以Cu6Sn5為主成分，且於基材側界面附近具有該Cu6Sn5之Cu的一部分被取代為Ni及Si之化合物之合金層，CuSn合金層的算術平均粗糙度Ra於至少一方向上為0.3μm以上，於全方向上的算術平均粗糙度Ra為1.0μm以下，CuSn合金層的儲油深度Rvk為0.5μm以上，且Sn系表面層的平均厚度為0.4μm以上1.0μm以下，動摩擦係數為0.3以下。
简体摘要：本发明之课题在于提供一种可发挥优异电连接特性并将动摩擦系数降低至0.3以下，且具有优异插拔性的镀锡铜合金端子材。本发明之解决手段为一种镀锡铜合金端子材，其系在由Cu合金所构成之基材上的表面形成有Sn系表面层，且于该Sn系表面层与基材之间形成有CuSn合金层之镀锡铜合金端子材，CuSn合金层为以Cu6Sn5为主成分，且于基材侧界面附近具有该Cu6Sn5之Cu的一部分被取代为Ni及Si之化合物之合金层，CuSn合金层的算术平均粗糙度Ra于至少一方向上为0.3μm以上，于全方向上的算术平均粗糙度Ra为1.0μm以下，CuSn合金层的储油深度Rvk为0.5μm以上，且Sn系表面层的平均厚度为0.4μm以上1.0μm以下，动摩擦系数为0.3以下。

87. 发明专利

TWI460294B 電子零件用鈦銅有权
简体标题：电子零件用钛铜
公开(公告)号：TWI460294B
公开(公告)日：2014-11-11
申请号：TW099137715
申请日：2010-11-03
申请人： JX日鑛日石金屬股份有限公司 , JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION
发明人：江良尚彥 , ERA, NAOHIKO , 崛江弘泰 , HORIE, HIROYASU
IPC分类号： C22C9/00 , C22F1/08
CPC分类号： C22C9/00 , C22F1/08 , H01B1/026

88. 发明专利

TW201439344A 高強度Ｃｕ－Ｎｉ－Ｃｏ－Ｓｉ系銅合金板材，及其製造方法，及導電性組件审中-公开
简体标题：高强度Ｃｕ－Ｎｉ－Ｃｏ－Ｓｉ系铜合金板材，及其制造方法，及导电性组件
公开(公告)号：TW201439344A
公开(公告)日：2014-10-16
申请号：TW103104530
申请日：2014-02-12
申请人：同和金屬股份有限公司 , DOWA METALTECH CO., LTD.
发明人：木村崇 , KIMURA, TAKASHI , 鎌田俊哉 , KAMADA, TOSHIYA , 高維林 , GAO, WEILIN , 佐佐木史明 , SASAKI, FUMIAKI , 菅原章 , SUGAWARA, AKIRA
IPC分类号： C22C9/06 , C22F1/08 , B21B3/00 , H01B1/02
CPC分类号： H01B1/026 , C22C9/06 , C22F1/08
摘要：本發明之課題在於提供一種具有0.2%偏位降伏強度(offset yield strength)為980MPa以上之極高強度，且電導率、耐應力緩和特性及沖壓加工性亦良好之銅合金板材。本發明之解決手段是一種銅合金板材，其係具有：以質量%計為Ni與Co的合計：2.50至4.00%、Co：0.50至2.00%、Si：0.70至1.50%、Fe：0至0.50%、Mg：0至0.10%、Sn：0至0.50%、Zn：0至0.15%、B：0至0.07%、P：0至0.10%、REM(稀土族元素)：0至0.10%，Cr、Zr、Hf、Nb、S的合計含量0至0.01%，且剩餘部分由Cu及不可避免的雜質所構成，粒徑5μm以上之「粗大第二相粒子」的個數密度為10個/mm2以下，粒徑5至10nm之「細微第二相粒子」的個數密度為1.0×109個/mm2以上，母相中的Si濃度為0.10質量%以上。
简体摘要：本发明之课题在于提供一种具有0.2%偏位降伏强度(offset yield strength)为980MPa以上之极高强度，且电导率、耐应力缓和特性及冲压加工性亦良好之铜合金板材。本发明之解决手段是一种铜合金板材，其系具有：以质量%计为Ni与Co的合计：2.50至4.00%、Co：0.50至2.00%、Si：0.70至1.50%、Fe：0至0.50%、Mg：0至0.10%、Sn：0至0.50%、Zn：0至0.15%、B：0至0.07%、P：0至0.10%、REM(稀土族元素)：0至0.10%，Cr、Zr、Hf、Nb、S的合计含量0至0.01%，且剩余部分由Cu及不可避免的杂质所构成，粒径5μm以上之“粗大第二相粒子”的个数密度为10个/mm2以下，粒径5至10nm之“细微第二相粒子”的个数密度为1.0×109个/mm2以上，母相中的Si浓度为0.10质量%以上。

89. 发明专利

TWI452152B 電子材料用Ｃｕ－Ｃｏ－Ｓｉ系銅合金條及其製造方法有权
简体标题：电子材料用Ｃｕ－Ｃｏ－Ｓｉ系铜合金条及其制造方法
公开(公告)号：TWI452152B
公开(公告)日：2014-09-11
申请号：TW101110069
申请日：2012-03-23
申请人： JX日鑛日石金屬股份有限公司 , JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION
发明人：桑垣寬 , KUWAGAKI, HIROSHI , 岡藤康弘 , OKAFUJI, YASUHIRO
IPC分类号： C22C9/00 , C22C9/10 , C22C1/02 , C22F1/08
CPC分类号： H01B1/026 , C22C9/00 , C22F1/08 , H01L23/49579 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

90. 发明专利

TWI450987B 銅－鎳－矽系銅合金有权
简体标题：铜－镍－硅系铜合金
公开(公告)号：TWI450987B
公开(公告)日：2014-09-01
申请号：TW102105971
申请日：2013-02-21
申请人： JX日鑛日石金屬股份有限公司 , JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION
发明人：桑垣寬 , KUWAGAKI, HIROSHI
IPC分类号： C22C9/06 , C22F1/08
CPC分类号： H01B1/026 , C22C9/06 , C22F1/08

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