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81. 发明专利

TW201202851A 高分子化合物及使用其之化學增幅正型光阻組成物以及圖型之形成方法 POLYMER, CHEMICALLY AMPLIFIED POSITIVE RESIST COMPOSITION AND PATTERN FORMING PROCESS 审中-公开
简体标题：高分子化合物及使用其之化学增幅正型光阻组成物以及图型之形成方法 POLYMER, CHEMICALLY AMPLIFIED POSITIVE RESIST COMPOSITION AND PATTERN FORMING PROCESS
公开(公告)号：TW201202851A
公开(公告)日：2012-01-16
申请号：TW100106198
申请日：2011-02-24
申请人：信越化學工業股份有限公司
发明人：增永惠一 , 渡邊聰 , 畠山潤 , 大澤洋一 , 土門大將
IPC分类号： G03F , C08F , H01L
CPC分类号： G03F7/0045 , C08F20/22 , C08F212/14 , C08F220/18 , G03F7/0046 , G03F7/039 , G03F7/0397 , Y10S430/106 , Y10S430/111 , Y10S430/122 , Y10S430/123 , C08F2220/283 , C08F232/08 , C08F2220/382
摘要：本發明係關於一種具有以通式(1)表示之含氟羧酸鎓鹽作為重複單位之高分子化合物，
[R 1 表示以下述式表示之源自賦予聚合性單體中之聚合活性之基本骨架之任一構造，
但，自上述構造中之氧原子延伸之鍵表示與W 1 之鍵，R 2 表示氟原子或含氟原子之烷基，W 1 表示二價有機基，Q + 表示鋶陽離子或錪陽離子]。依據本發明可提供一種可使酸之擴散更均勻且更低擴散、線邊緣粗糙度獲得改善、溫度依存性減低、圖型之基板依存性小之化學增幅正型光阻組成物。
简体摘要：本发明系关于一种具有以通式(1)表示之含氟羧酸鎓盐作为重复单位之高分子化合物， [R 1 表示以下述式表示之源自赋予聚合性单体中之聚合活性之基本骨架之任一构造，但，自上述构造中之氧原子延伸之键表示与W 1 之键，R 2 表示氟原子或含氟原子之烷基，W 1 表示二价有机基，Q + 表示锍阳离子或錪阳离子]。依据本发明可提供一种可使酸之扩散更均匀且更低扩散、线边缘粗糙度获得改善、温度依存性减低、图型之基板依存性小之化学增幅正型光阻组成物。

82. 发明专利

TW201142510A 電子線用或ＥＵＶ用化學增幅正型光阻組成物及圖型之形成方法 CHEMICALLY AMPLIFIED POSITIVE RESIST COMPOSITION FOR EB OR EUV LITHOGRAPHY AND PATTERNING PROCESS 审中-公开
简体标题：电子线用或ＥＵＶ用化学增幅正型光阻组成物及图型之形成方法 CHEMICALLY AMPLIFIED POSITIVE RESIST COMPOSITION FOR EB OR EUV LITHOGRAPHY AND PATTERNING PROCESS
公开(公告)号：TW201142510A
公开(公告)日：2011-12-01
申请号：TW100104906
申请日：2011-02-15
申请人：信越化學工業股份有限公司
发明人：增永惠一 , 渡邊聰 , 田中啟順 , 土門大將
IPC分类号： G03F , H01L
CPC分类号： G03F7/0392 , G03F7/0395 , G03F7/0397
摘要：本發明係一種電子線用或EUV用化學增幅正型光阻組成物，其係含有：(A)單一種之高分子化合物或複數種之高分子化合物的混合物，上述高分子化合物之一部份或全部係具有藉由酸被脫保護之保護基，使以上述高分子化合物或上述高分子化合物之混合物所成的膜，對於鹼性顯像液為不溶性，藉由酸的作用變成可溶性的高分子化合物或高分子化合物的混合物、(B)酸產生劑、(C)抑制酸之作用的鹼性化合物、及(D)溶劑，上述(C)成分係具有下述重複單位的高分子化合物，前述重複單位係具有含有作為鹼性活性點之二級胺結構或三級胺結構的側鏈，且為上述(A)成分之高分子化合物之一部份或全部。依據本發明時，在形成要求超微細圖型之光阻圖型時，藉由使用上述化學增幅正型光阻組成物，可使鹼之存在均一，改善線邊緣粗糙度，可進一步抑制溫度依存性，可提供可期待高解像度之化學增幅正型光阻組成物。
简体摘要：本发明系一种电子线用或EUV用化学增幅正型光阻组成物，其系含有：(A)单一种之高分子化合物或复数种之高分子化合物的混合物，上述高分子化合物之一部份或全部系具有借由酸被脱保护之保护基，使以上述高分子化合物或上述高分子化合物之混合物所成的膜，对于碱性显像液为不溶性，借由酸的作用变成可溶性的高分子化合物或高分子化合物的混合物、(B)酸产生剂、(C)抑制酸之作用的碱性化合物、及(D)溶剂，上述(C)成分系具有下述重复单位的高分子化合物，前述重复单位系具有含有作为碱性活性点之二级胺结构或三级胺结构的侧链，且为上述(A)成分之高分子化合物之一部份或全部。依据本发明时，在形成要求超微细图型之光阻图型时，借由使用上述化学增幅正型光阻组成物，可使碱之存在均一，改善线边缘粗糙度，可进一步抑制温度依存性，可提供可期待高解像度之化学增幅正型光阻组成物。

83. 发明专利

TW201142503A 化學增幅負型光阻組成物及圖型之形成方法 CHEMICALLY AMPLIFIED NEGATIVE RESIST COMPOSITION AND PATTERNING PROCESS 审中-公开
简体标题：化学增幅负型光阻组成物及图型之形成方法 CHEMICALLY AMPLIFIED NEGATIVE RESIST COMPOSITION AND PATTERNING PROCESS
公开(公告)号：TW201142503A
公开(公告)日：2011-12-01
申请号：TW100106397
申请日：2011-02-25
申请人：信越化學工業股份有限公司
发明人：增永惠一 , 渡邊聰 , 畠山潤 , 大澤洋一 , 土門大將
IPC分类号： G03F , C08F , H01L
CPC分类号： G03F7/0382 , G03F1/14 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , Y10S430/11 , Y10S430/111
摘要：本發明係一種化學增幅負型光阻組成物，其係含有：(A)水性鹼性顯像液中可溶性，藉由酸觸媒之反應成為水性鹼性顯像液中不溶性的基礎聚合物，及/或水性鹼性顯像液中可溶性，藉由酸觸媒，與交聯劑反應成為水性鹼性顯像液中不溶性的基礎聚合物與交聯劑的組合，(B)酸產生劑、(C)作為鹼性成分之含有氮的化合物之化學增幅負型光阻組成物，上述基礎聚合物之至少一部份為使用下述一般式(1)表示之高分子化合物。
[R 1 係表示來自以下述式
表示提供聚合性單體之聚合活性之基本骨架之任一結構，但是由上述結構中之氧原子所延伸的鍵結係表示與W 1 之鍵結。R 2 係表示氟原子或含氟烷基，W 1 係表示2價有機基，Q + 係表示鋶陽離子或碘鎓陽離子]。依據本發明時，可提供使酸之擴散更均勻且低擴散，改善線邊緣粗糙度、圖型之基板依存性較小的化學增幅負型光阻組成物。
简体摘要：本发明系一种化学增幅负型光阻组成物，其系含有：(A)水性碱性显像液中可溶性，借由酸触媒之反应成为水性碱性显像液中不溶性的基础聚合物，及/或水性碱性显像液中可溶性，借由酸触媒，与交联剂反应成为水性碱性显像液中不溶性的基础聚合物与交联剂的组合，(B)酸产生剂、(C)作为碱性成分之含有氮的化合物之化学增幅负型光阻组成物，上述基础聚合物之至少一部份为使用下述一般式(1)表示之高分子化合物。 [R 1 系表示来自以下述式表示提供聚合性单体之聚合活性之基本骨架之任一结构，但是由上述结构中之氧原子所延伸的键结系表示与W 1 之键结。R 2 系表示氟原子或含氟烷基，W 1 系表示2价有机基，Q + 系表示锍阳离子或碘鎓阳离子]。依据本发明时，可提供使酸之扩散更均匀且低扩散，改善线边缘粗糙度、图型之基板依存性较小的化学增幅负型光阻组成物。

84. 发明专利

TW201139353A 鋶鹽、高分子化合物、高分子化合物之製造方法、光阻材料及圖案形成方法 NOVEL SULFONIUM SALT, POLYMER, METHOD FOR PRODUCING THE POLYMER, RESIST COMPOSITION AND PATTERNING PROCESS 审中-公开
简体标题：锍盐、高分子化合物、高分子化合物之制造方法、光阻材料及图案形成方法 NOVEL SULFONIUM SALT, POLYMER, METHOD FOR PRODUCING THE POLYMER, RESIST COMPOSITION AND PATTERNING PROCESS
公开(公告)号：TW201139353A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：TW100101446
申请日：2011-01-14
申请人：信越化學工業股份有限公司
发明人：大橋正樹 , 渡邊聰 , 大澤洋一 , 增永惠一 , 金生剛
IPC分类号： C07C , C08F , G03F , H01L
CPC分类号： C07C69/54 , C08F220/38 , G03F7/004 , G03F7/20
摘要：本發明提供一種在將ArF準分子雷射、EUV光、電子束等高能量射線作為光源的光微影中，可作為高解析性且LER優異的光阻材料使用之鋶鹽、由該鋶鹽得到的高分子化合物、含有該高分子化合物的光阻材料、及使用該光阻材料的圖案形成方法。本發明提供一種下述通式(1)所表示的鋶鹽。(式中之X、Y表示具有聚合性官能基的基。Z表示可包含雜原子之碳數1~33的二價烴基。R 1 表示可包含雜原子之碳數1~36的二價烴基。R 2 及R 3 各自表示可包含雜原子之碳數1~30的一價烴基，或是R 2 及R 3 相互鍵結，並與式中之硫原子一起形成環。)
简体摘要：本发明提供一种在将ArF准分子激光、EUV光、电子束等高能量射线作为光源的光微影中，可作为高解析性且LER优异的光阻材料使用之锍盐、由该锍盐得到的高分子化合物、含有该高分子化合物的光阻材料、及使用该光阻材料的图案形成方法。本发明提供一种下述通式(1)所表示的锍盐。(式中之X、Y表示具有聚合性官能基的基。Z表示可包含杂原子之碳数1~33的二价烃基。R 1 表示可包含杂原子之碳数1~36的二价烃基。R 2 及R 3 各自表示可包含杂原子之碳数1~30的一价烃基，或是R 2 及R 3 相互键结，并与式中之硫原子一起形成环。)

85. 发明专利

TW201137520A 負型光阻組成物及圖型之形成方法 NEGATIVE RESIST COMPOSITION AND PATTERNING PROCESS 审中-公开
简体标题：负型光阻组成物及图型之形成方法 NEGATIVE RESIST COMPOSITION AND PATTERNING PROCESS
公开(公告)号：TW201137520A
公开(公告)日：2011-11-01
申请号：TW099143050
申请日：2010-12-09
申请人：信越化學工業股份有限公司
发明人：田中啟順 , 增永惠一 , 土門大將 , 渡邊聰
IPC分类号： G03F , C08F , C08K , H01L
CPC分类号： G03F7/038 , G03F1/08 , G03F7/0045 , G03F7/0382 , G03F7/20 , Y10S430/111
摘要：本發明之目的係提供一種圖型形成時不易產生橋接,可賦予高的解像性之負型光阻組成物及使用該組成物之圖型形成方法。本發明提供一種負型光阻組成物,其係至少含有(A)鹼可溶性,且藉由酸之作用成為鹼不溶性之基底聚合物,(B)酸產生劑,(C)鹼性成分之負型光阻組成物,其特徵為前述基底聚合物至少含有以下述通式(1)及下述通式(2)表示之重複單位,且重量平均分子量為1,000-10,000之高分子化合物。
简体摘要：本发明之目的系提供一种图型形成时不易产生桥接,可赋予高的解像性之负型光阻组成物及使用该组成物之图型形成方法。本发明提供一种负型光阻组成物,其系至少含有(A)碱可溶性,且借由酸之作用成为碱不溶性之基底聚合物,(B)酸产生剂,(C)碱性成分之负型光阻组成物,其特征为前述基底聚合物至少含有以下述通式(1)及下述通式(2)表示之重复单位,且重量平均分子量为1,000-10,000之高分子化合物。

86. 发明专利

TW201130902A 保護聚合物之脫保護方法 DEPROTECTION METHOD OF PROTECTED POLYMER 审中-公开
简体标题：保护聚合物之脱保护方法 DEPROTECTION METHOD OF PROTECTED POLYMER
公开(公告)号：TW201130902A
公开(公告)日：2011-09-16
申请号：TW099134761
申请日：2010-10-12
申请人：信越化學工業股份有限公司
发明人：增永惠一 , 渡邊武 , 土門大將 , 渡邊聰
IPC分类号： C08K , C08F , G03F
CPC分类号： G03F7/0392 , C08F8/12 , C08F212/14 , C08F212/32 , C08F220/18 , C08F2220/1825 , C08F2220/1833 , C08F2220/185 , G03F7/0382 , G03F7/0397 , C08F220/30 , C08F230/08
摘要：本發明提供一種於含有具有利用醯基保護之酚性羥基之單位構造之單位構造的聚合物之脫保護反應中，可在更短時間保存其他部分構造而直接進行脫醯基化，且作為聚合物取出時，可高度的抑制因反應中之聚合物以外之物質造成之污染的保護聚合物之脫保護方法。本發明提供一種保護聚合物之脫保護方法，其至少包含將至少含有具有利用醯基保護之酚性羥基之單位構造之保護聚合物，與自ClogP之值為1.00以下之一級或二級胺化合物所選出之脫保護試劑（但，二級胺化合物之鍵結於胺基之氮原子上之兩個碳原子均不為三級）溶解於有機溶劑中並脫保護之步驟。上述一級或二級胺化合物較好以HNR 1 2-nR 2 n （1）表示。
简体摘要：本发明提供一种于含有具有利用酰基保护之酚性羟基之单位构造之单位构造的聚合物之脱保护反应中，可在更短时间保存其他部分构造而直接进行脱酰基化，且作为聚合物取出时，可高度的抑制因反应中之聚合物以外之物质造成之污染的保护聚合物之脱保护方法。本发明提供一种保护聚合物之脱保护方法，其至少包含将至少含有具有利用酰基保护之酚性羟基之单位构造之保护聚合物，与自ClogP之值为1.00以下之一级或二级胺化合物所选出之脱保护试剂（但，二级胺化合物之键结于胺基之氮原子上之两个碳原子均不为三级）溶解于有机溶剂中并脱保护之步骤。上述一级或二级胺化合物较好以HNR 1 2-nR 2 n （1）表示。

87. 发明专利

TW201116926A 化學增輻型光阻材料及圖型之形成方法 CHEMICALLY AMPLIFIED RESIST COMPOSITION AND PATTERN FORMING PROCESS 审中-公开
简体标题：化学增辐型光阻材料及图型之形成方法 CHEMICALLY AMPLIFIED RESIST COMPOSITION AND PATTERN FORMING PROCESS
公开(公告)号：TW201116926A
公开(公告)日：2011-05-16
申请号：TW099117210
申请日：2010-05-28
申请人：信越化學工業股份有限公司
发明人：增永惠一 , 渡邊聰 , 田中啟順 , 土門大將
IPC分类号： G03F , C08F , H01L
CPC分类号： G03F7/0045 , G03F7/0392 , G03F7/0397
摘要：本發明的解決手段為一種化學增幅型光阻材料，其係作為含有藉由在分子中持有極性而給聚合物密接性的單位、與藉由酸不穩定基保護且經由酸的作用成為鹼可溶性的單位之化學增幅型光阻用聚合物，使用一種聚合物，具有下述通式(1)
(式中，R 1 表示H、F、CH3或CF3，Rf表示H、F、CF3或CF2CF3，A表示二價的單價氫基；R 2 、R 3 及R 4 係烷基、烯基或氧代烷基、或芳基、芳烷基或芳基氧代烷基，或R 2 、R 3 及R 4 的2個以上可鍵結而與硫原子一起形成環)的重複單位，重複單位中含有芳香環骨架的單位係60莫耳％以上，式(1)的重複單位之含量係未達5莫耳％。效果為若依照本發明，則可提供一種光阻材料，其使用持有高的具芳香族骨架的單元之組成比，在側鏈具有具經氟取代的烷基鏈之磺酸鋶鹽的聚合物，即使在如鉻化合物所致的膜表面之圖型形成困難的基板上，也不易發生圖型剝落或圖型崩塌。
简体摘要：本发明的解决手段为一种化学增幅型光阻材料，其系作为含有借由在分子中持有极性而给聚合物密接性的单位、与借由酸不稳定基保护且经由酸的作用成为碱可溶性的单位之化学增幅型光阻用聚合物，使用一种聚合物，具有下述通式(1) (式中，R 1 表示H、F、CH3或CF3，Rf表示H、F、CF3或CF2CF3，A表示二价的单价氢基；R 2 、R 3 及R 4 系烷基、烯基或氧代烷基、或芳基、芳烷基或芳基氧代烷基，或R 2 、R 3 及R 4 的2个以上可键结而与硫原子一起形成环)的重复单位，重复单位中含有芳香环骨架的单位系60莫耳％以上，式(1)的重复单位之含量系未达5莫耳％。效果为若依照本发明，则可提供一种光阻材料，其使用持有高的具芳香族骨架的单元之组成比，在侧链具有具经氟取代的烷基链之磺酸锍盐的聚合物，即使在如铬化合物所致的膜表面之图型形成困难的基板上，也不易发生图型剥落或图型崩塌。

88. 发明专利

TW201115274A 負型光阻組成物及使用此之圖型形成方法 NEGATIVE RESIST COMPOSITION AND PATTERNING PROCESS USING THE SAME 审中-公开
简体标题：负型光阻组成物及使用此之图型形成方法 NEGATIVE RESIST COMPOSITION AND PATTERNING PROCESS USING THE SAME
公开(公告)号：TW201115274A
公开(公告)日：2011-05-01
申请号：TW099117031
申请日：2010-05-27
申请人：信越化學工業股份有限公司
发明人：田中啟順 , 增永惠一 , 土門大將 , 渡邊聰
IPC分类号： G03F , C08F , H01L
CPC分类号： G03F7/0382
摘要：本發明的課題為提供在微細加工用的微影術中，尤其在使用KrF雷射、極短紫外線、電子線、X射線等當作曝光源的微影術中，具有優異解像性與蝕刻耐性之負型光阻組成物，及使用此的圖型形成方法。本發明的解決手段為一種負型光阻組成物，其係含有（A）鹼可溶性但藉由酸的作用成為鹼不溶性的基礎聚合物及/或鹼可溶性但藉由酸的作用與交聯劑反應成為鹼不溶性的基礎聚合物與交聯劑之組合、（B）酸產生劑、（C）作為鹼性成分的含氮化合物之光阻組成物，其特徵為：作為上述基礎聚合物使用的聚合物，係將含有2種以上的下述通式（1）所示之單體、或1種以上的下述通式（1）所示之單體及1種以上的下述通式（2）所示之苯乙烯單體的單體混合物聚合而得之聚合物，或進一步化學轉換該聚合物所具有的官能基而得之聚合物，其中相對於構成前述所得之聚合物的全部重複單位而言，下述通式（1）所示之單體而來的重複單位之合計係50莫耳％以上。
简体摘要：本发明的课题为提供在微细加工用的微影术中，尤其在使用KrF激光、极短紫外线、电子线、X射线等当作曝光源的微影术中，具有优异解像性与蚀刻耐性之负型光阻组成物，及使用此的图型形成方法。本发明的解决手段为一种负型光阻组成物，其系含有（A）碱可溶性但借由酸的作用成为碱不溶性的基础聚合物及/或碱可溶性但借由酸的作用与交联剂反应成为碱不溶性的基础聚合物与交联剂之组合、（B）酸产生剂、（C）作为碱性成分的含氮化合物之光阻组成物，其特征为：作为上述基础聚合物使用的聚合物，系将含有2种以上的下述通式（1）所示之单体、或1种以上的下述通式（1）所示之单体及1种以上的下述通式（2）所示之苯乙烯单体的单体混合物聚合而得之聚合物，或进一步化学转换该聚合物所具有的官能基而得之聚合物，其中相对于构成前述所得之聚合物的全部重复单位而言，下述通式（1）所示之单体而来的重复单位之合计系50莫耳％以上。

89. 发明专利

TW201015218A 光阻圖型之形成方法及光罩之製造方法 RESIST PATTERNING PROCESS AND MANUFACTURING PHOTO MASK 审中-公开
简体标题：光阻图型之形成方法及光罩之制造方法 RESIST PATTERNING PROCESS AND MANUFACTURING PHOTO MASK
公开(公告)号：TW201015218A
公开(公告)日：2010-04-16
申请号：TW098123529
申请日：2009-07-10
申请人：信越化學工業股份有限公司
发明人：武田隆信 , 渡邊聰 , 渡邊保 , 田中啟順 , 增永惠一 , 小板橋龍二
IPC分类号： G03F
CPC分类号： G03F7/0392
摘要： ﹝課題﹞現在所欲解決之課題之一有線邊緣粗糙度(line edge roughness)，然而經由酸發生劑或鹼性化合物之解決，則會引起與解像性之間的權衡取捨。本發明係提供關於以藉由具有高解像性之酸不安定基而受保護之羥基苯乙烯等作為基質聚合物之光阻組成物，其線邊緣粗糙度受到抑制，65nm以下之圖型規則(Pattern Rule)所成之光阻圖型之形成方法作為目的。﹝解決手段﹞作為化學增幅型光阻組成物之基質聚合物，具有將羥基以酸分解性基保護之苯乙烯單位、與茚單位或苊烯單位之聚合物之中，使用已使用重量平均分子量為4000至7000、特別係4500至5500之聚合物的光阻組成物，形成最少線寬為65nm以下之圖型為其特徵的光阻圖型形成方法。
简体摘要： ﹝课题﹞现在所欲解决之课题之一有线边缘粗糙度(line edge roughness)，然而经由酸发生剂或碱性化合物之解决，则会引起与解像性之间的权衡取舍。本发明系提供关于以借由具有高解像性之酸不安定基而受保护之羟基苯乙烯等作为基质聚合物之光阻组成物，其线边缘粗糙度受到抑制，65nm以下之图型守则(Pattern Rule)所成之光阻图型之形成方法作为目的。﹝解决手段﹞作为化学增幅型光阻组成物之基质聚合物，具有将羟基以酸分解性基保护之苯乙烯单位、与茚单位或苊烯单位之聚合物之中，使用已使用重量平均分子量为4000至7000、特别系4500至5500之聚合物的光阻组成物，形成最少线宽为65nm以下之图型为其特征的光阻图型形成方法。

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