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81. 发明专利

TWI512845B 基板處理裝置有权
简体标题：基板处理设备
公开(公告)号：TWI512845B
公开(公告)日：2015-12-11
申请号：TW102129433
申请日：2013-08-16
申请人：尤金科技有限公司 , EUGENE TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：梁日光 , YANG, IL-KWANG , 宋炳奎 , SONG, BYOUNG-GYU , 金勁勳 , KIM, KYONG-HUN , 金龍基 , KIM, YONG-KI , 申良湜 , SHIN, YANG-SIK
IPC分类号： H01L21/365
CPC分类号： C23C16/4586 , C23C16/46 , H01L21/67109 , H01L21/68742 , H01L21/68785 , H01L21/68792

82. 发明专利

TWI505392B 基板處理模組以及包含該基板處理模組的基板處理裝置有权
简体标题：基板处理模块以及包含该基板处理模块的基板处理设备
公开(公告)号：TWI505392B
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：TW101147105
申请日：2012-12-13
申请人：尤金科技有限公司 , EUGENE TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：梁日光 , YANG, IL-KWANG , 宋炳奎 , SONG, BYOUNG-GYU , 金勁勳 , KIM, KYONG-HUN , 金龍基 , KIM, YONG-KI , 申良湜 , SHIN, YANG-SIK
IPC分类号： H01L21/677 , H01L21/683
CPC分类号： H01L21/677 , H01L21/683 , H01L21/68764 , H01L21/68771

83. 发明专利

TWI505337B 基板處理裝置失效
简体标题：基板处理设备
公开(公告)号：TWI505337B
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：TW103121850
申请日：2014-06-25
申请人：尤金科技有限公司 , EUGENE TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：梁日光 , YANG, IL-KWANG , 宋炳奎 , SONG, BYOUNG-GYU , 金龍基 , KIM, YONG-KI , 金勁勳 , KIM, KYONG-HUN , 申良湜 , SHIN, YANG-SIK
IPC分类号： H01L21/283
CPC分类号： H01L21/67757 , C23C16/45591 , C23C16/4583 , F27B17/0025 , F27D5/0037 , H01L21/6719

84. 发明专利

TW201537660A 處理基板的設備审中-公开
简体标题：处理基板的设备
公开(公告)号：TW201537660A
公开(公告)日：2015-10-01
申请号：TW104102446
申请日：2015-01-26
申请人：尤金科技有限公司 , EUGENE TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：玄俊鎭 , HYON, JUN JIN , 宋炳奎 , SONG, BYOUNG GYU , 金勁勳 , KIM, KYONG HUN , 金龍基 , KIM, YONG KI , 申良湜 , SHIN, YANG SIK , 金蒼乭 , KIM, CHANG DOL
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/324
摘要：本發明提供一種用於處理基板的設備。在其中對基板執行製程的用於處理基板的所述設備包含：下部腔室，所述下部腔室在其一側中具有開放的上部及通道，可通過所述通道接近基板；外部反應管，其經設置以關閉下部腔室的開放的上部，進而提供在其中執行所述製程的製程空間；基板固持器，至少基板垂直地堆疊在其中，所述基板固持器在堆疊位置與製程位置之間切換，在所述堆疊位置中，基板堆疊在基板固持器中，在所述製程位置中，對基板執行所述製程；以及氣體供應單元，其安置在外部反應管中以將反應氣體供應到反應區中，進而產生在垂直方向上具有彼此不同的相位差的反應氣體氣流。
简体摘要：本发明提供一种用于处理基板的设备。在其中对基板运行制程的用于处理基板的所述设备包含：下部腔室，所述下部腔室在其一侧中具有开放的上部及信道，可通过所述信道接近基板；外部反应管，其经设置以关闭下部腔室的开放的上部，进而提供在其中运行所述制程的制程空间；基板固持器，至少基板垂直地堆栈在其中，所述基板固持器在堆栈位置与制程位置之间切换，在所述堆栈位置中，基板堆栈在基板固持器中，在所述制程位置中，对基板运行所述制程；以及气体供应单元，其安置在外部反应管中以将反应气体供应到反应区中，进而产生在垂直方向上具有彼此不同的相位差的反应气体气流。

85. 发明专利

TW201527576A 薄膜形成之循環性沉積方法，半導體製造方法，及半導體裝置失效
简体标题：薄膜形成之循环性沉积方法，半导体制造方法，及半导体设备
公开(公告)号：TW201527576A
公开(公告)日：2015-07-16
申请号：TW103143117
申请日：2014-12-10
申请人：尤金科技有限公司 , EUGENE TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：金海元 , KIM, HAI-WON , 金錫允 , KIM, SEOK-YUN , 申昌勳 , SHIN, CHANG-HUN , 李政勳 , LEE, JEONG-HOON
IPC分类号： C23C16/24 , C23C16/30 , C23C16/50
CPC分类号： H01L21/0228 , C23C16/24 , C23C16/45523 , C23C16/56 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/02211 , H01L21/02219 , H01L21/02274 , H01L21/02532 , H01L21/02592 , H01L21/02595 , H01L21/0262
摘要：一種用於薄膜形成之循環性沉積方法包括藉由將一矽前驅物注入其中加載一物體之一腔室中來於該物體上形成一矽薄膜，將矽沉積於該物體上，且執行一第一沖洗，自該腔室之內部移除該矽前驅物之一未反應部分及反應副產物；藉由在該腔室中形成一電漿氣氛來預處理該矽薄膜之一表面且供應具有一氫原子之一第一反應源，以及藉由在該腔室中形成該電漿氣氛且供應具有一或多個氧原子、一或多個氮原子或其混合物之一第二反應源來使該矽薄膜形成為一包括矽之絕緣膜。
简体摘要：一种用于薄膜形成之循环性沉积方法包括借由将一硅前驱物注入其中加载一物体之一腔室中来于该物体上形成一硅薄膜，将硅沉积于该物体上，且运行一第一冲洗，自该腔室之内部移除该硅前驱物之一未反应部分及反应副产物；借由在该腔室中形成一等离子气氛来预处理该硅薄膜之一表面且供应具有一氢原子之一第一反应源，以及借由在该腔室中形成该等离子气氛且供应具有一或多个氧原子、一或多个氮原子或其混合物之一第二反应源来使该硅薄膜形成为一包括硅之绝缘膜。

86. 发明专利

TW201526147A 基板處理模組、包括該基板處理模組之基板處理裝置以及基板轉移方法审中-公开
简体标题：基板处理模块、包括该基板处理模块之基板处理设备以及基板转移方法
公开(公告)号：TW201526147A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：TW103143088
申请日：2014-12-10
申请人：尤金科技有限公司 , EUGENE TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：玄俊鎭 , HYON, JUN-JIN , 宋炳奎 , SONG, BYOUNG-GYU , 金勁勳 , KIM, KYONG-HUN , 金龍基 , KIM, YONG-KI , 申良湜 , SHIN, YANG-SIK , 金蒼乭 , KIM, CHANG-DOL
IPC分类号： H01L21/677 , H01L21/67
CPC分类号： H01L21/67748 , C23C16/4584 , C23C16/4585 , C23C16/54 , H01L21/6719 , H01L21/68742
摘要：一種基板處理模組、包括該基板處理模組之基板處理裝置、以及基板轉移方法。基板處理模組包括：腔室，該腔室在其一側上形成有通道且允許基板經由該通道進入或退出；第一基座，其安裝於該腔室內、在其一上表面中形成有至少一個通孔且允許該基板置放於其上；第二基座，其安裝於該腔室內且允許該基板置放於其上；旋轉構件，其提供於該腔室內且基於預設位置來旋轉；固持器，其連接至該旋轉構件且具有安裝表面，該安裝表面允許該基板置放於其上；以及固持器驅動模組，其驅動該旋轉構件以使該固持器移動至對應於該第一基座之備用位置或移動至對應於該第二基座之傳送位置。
简体摘要：一种基板处理模块、包括该基板处理模块之基板处理设备、以及基板转移方法。基板处理模块包括：腔室，该腔室在其一侧上形成有信道且允许基板经由该信道进入或退出；第一基座，其安装于该腔室内、在其一上表面中形成有至少一个通孔且允许该基板置放于其上；第二基座，其安装于该腔室内且允许该基板置放于其上；旋转构件，其提供于该腔室内且基于默认位置来旋转；固持器，其连接至该旋转构件且具有安装表面，该安装表面允许该基板置放于其上；以及固持器驱动模块，其驱动该旋转构件以使该固持器移动至对应于该第一基座之备用位置或移动至对应于该第二基座之发送位置。

87. 发明专利

TWI485795B 具有輔助氣體供應口的基板處理裝置有权
简体标题：具有辅助气体供应口的基板处理设备
公开(公告)号：TWI485795B
公开(公告)日：2015-05-21
申请号：TW101139452
申请日：2012-10-25
申请人：尤金科技有限公司 , EUGENE TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：梁日光 , YANG, IL-KWANG , 諸成泰 , JE, SUNG-TAE , 宋炳奎 , SONG, BYUNG-GYU , 金龍基 , KIM, YONG-KI , 金勁勳 , KIM, KYOUNG-HUN , 申良湜 , SHIN, YANG-SIK
IPC分类号： H01L21/67
CPC分类号： C23C16/4412 , C23C16/0236 , C23C16/45504 , C23C16/45512 , C23C16/45578 , C23C16/4584 , C23C16/4588 , C23C16/54 , C30B25/14 , H01L21/67757

88. 发明专利

TWI474399B 循環沉積薄膜之方法有权
简体标题：循环沉积薄膜之方法
公开(公告)号：TWI474399B
公开(公告)日：2015-02-21
申请号：TW100127081
申请日：2011-07-29
申请人：尤金科技有限公司 , EUGENE TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：金海元 , KIM, HAI WON , 禹相浩 , WOO, SANG HO
IPC分类号： H01L21/314
CPC分类号： B05D3/145 , C23C16/345 , C23C16/401 , C23C16/4554 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/02532 , H01L21/0262

89. 发明专利

TWI462156B 循環沈積薄膜之方法有权
简体标题：循环沉积薄膜之方法
公开(公告)号：TWI462156B
公开(公告)日：2014-11-21
申请号：TW100127083
申请日：2011-07-29
申请人：尤金科技有限公司 , EUGENE TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：金海元 , KIM, HAI WON , 禹相浩 , WOO, SANG HO
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/314
CPC分类号： H01L21/02271 , C23C16/345 , C23C16/401 , C23C16/4554 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/02211 , H01L21/02219 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/02532 , H01L21/0262

90. 发明专利

TW201443998A 基板處理裝置审中-公开
简体标题：基板处理设备
公开(公告)号：TW201443998A
公开(公告)日：2014-11-16
申请号：TW103112668
申请日：2014-04-07
申请人：尤金科技有限公司 , EUGENE TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：梁日光 , YANG, IL-KWANG , 宋炳奎 , SONG, BYOUNG-GYU , 金勁勳 , KIM, KYONG-HUN , 金龍基 , KIM, YONG-KI , 申良湜 , SHIN, YANG-SIK
IPC分类号： H01L21/324 , H01L21/67
CPC分类号： H01L21/67303 , H01L21/67757 , H01L21/67778
摘要：本發明揭示一種基板處理裝置。該基板處理設備包含：一腔室，其提供其中堆疊一基板的一堆疊空間，以及其中執行與該基板相關的一處理之一處理空間；一晶舟，其包含至少一個垂直站立的晶舟框架，該晶舟可上升移動進入該堆疊空間以及該處理空間；複數個承座，其位於該晶舟框架上並且沿著該晶舟框架的一縱向方向彼此相隔，其中隨著該晶舟移動進入該處理空間，會將該基板連續載入該等複數個承座每一者的一頂端表面上；以及至少一固定器，其包含與該晶舟框架平行放置的一垂直桿，以及從該垂直桿內側表面突出支撐該基板的一基板支撐尖端，其中當該晶舟移動進入該處理空間時，該垂直桿沿著該晶舟框架的該縱向方向相對移動。
简体摘要：本发明揭示一种基板处理设备。该基板处理设备包含：一腔室，其提供其中堆栈一基板的一堆栈空间，以及其中运行与该基板相关的一处理之一处理空间；一晶舟，其包含至少一个垂直站立的晶舟框架，该晶舟可上升移动进入该堆栈空间以及该处理空间；复数个承座，其位于该晶舟框架上并且沿着该晶舟框架的一纵向方向彼此相隔，其中随着该晶舟移动进入该处理空间，会将该基板连续加载该等复数个承座每一者的一顶端表面上；以及至少一固定器，其包含与该晶舟框架平行放置的一垂直杆，以及从该垂直杆内侧表面突出支撑该基板的一基板支撑尖端，其中当该晶舟移动进入该处理空间时，该垂直杆沿着该晶舟框架的该纵向方向相对移动。

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