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71. 发明专利

TWI494390B 不純物擴散用塗佈液失效
简体标题：不纯物扩散用涂布液
公开(公告)号：TWI494390B
公开(公告)日：2015-08-01
申请号：TW100143812
申请日：2011-11-29
申请人：日本合成化學工業股份有限公司 , THE NIPPON SYNTHETIC CHEMICAL INDUSTRY CO., LTD.
发明人：佐藤弘章 , SATO, HIROAKI , 勝間勝彥 , KATSUMA, KATSUHIKO , 加藤邦泰 , KATO, KUNIYASU , 堤由佳 , TSUTSUMI, YUKA
IPC分类号： C09D7/12 , C09D129/04 , H01L21/225
CPC分类号： H01L21/228 , C08K3/32 , C08K2003/329 , C09D129/04 , C30B29/06 , C30B29/08 , C30B31/04 , H01L21/2225 , H01L29/36 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521 , C08K5/053 , C08L71/02

72. 发明专利

TWI485751B 擴散劑組成物及雜質擴散層之形成方法有权
简体标题：扩散剂组成物及杂质扩散层之形成方法
公开(公告)号：TWI485751B
公开(公告)日：2015-05-21
申请号：TW100124209
申请日：2011-07-08
申请人：東京應化工業股份有限公司 , TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.
发明人：森田敏郎 , MORITA, TOSHIRO , 神園喬 , KAMIZONO, TAKASHI , 宮城忠 , MIYAGI, TADASHI
IPC分类号： H01L21/22 , H01L31/042
CPC分类号： H01L31/18 , H01L21/2225 , H01L21/2254 , H01L31/068 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521

73. 发明专利

TWI483294B 形成ｎ型擴散層的組成物、ｎ型擴散層的製造方法及太陽電池元件的製造方法有权
简体标题：形成ｎ型扩散层的组成物、ｎ型扩散层的制造方法及太阳电池组件的制造方法
公开(公告)号：TWI483294B
公开(公告)日：2015-05-01
申请号：TW100114098
申请日：2011-04-22
申请人：日立化成股份有限公司 , HITACHI CHEMICAL COMPANY, LTD.
发明人：町井洋一 , MACHII, YOUICHI , 吉田誠人 , YOSHIDA, MASATO , 野尻剛 , NOJIRI, TAKESHI , 岡庭香 , OKANIWA, KAORU , 岩室光則 , IWAMURO, MITSUNORI , 足立修一郎 , ADACHI, SHUUICHIROU , 佐藤鐵也 , SATO, TETSUYA , 木澤桂子 , KIZAWA, KEIKO
IPC分类号： H01L21/225 , H01L31/0224 , H01L31/042 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/0288 , C03C3/097 , C03C8/18 , H01L21/04 , H01L21/22 , H01L21/2225 , H01L21/2255 , H01L31/022425 , H01L31/0236 , H01L31/068 , H01L31/18 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521

74. 发明专利

TWI482208B 形成ｎ型擴散層的組合物和ｎ型擴散層的製造方法，及光伏電池的製造方法有权
简体标题：形成ｎ型扩散层的组合物和ｎ型扩散层的制造方法，及光伏电池的制造方法
公开(公告)号：TWI482208B
公开(公告)日：2015-04-21
申请号：TW100102722
申请日：2011-01-25
申请人：日立化成股份有限公司 , HITACHI CHEMICAL COMPANY, LTD.
发明人：町井洋一 , MACHII, YOUICHI , 吉田誠人 , YOSHIDA, MASATO , 野尻剛 , NOJIRI, TAKESHI , 岡庭香 , OKANIWA, KAORU , 岩室光則 , IWAMURO, MITSUNORI , 足立修一郎 , ADACHI, SHUUICHIROU , 青柳拓也 , AOYAGI, TAKUYA
IPC分类号： H01L21/225 , H01L31/0224
CPC分类号： H01L21/2255 , H01L21/2225 , H01L31/068 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521

75. 发明专利

TWI482207B 形成ｐ型擴散層的組合物和ｐ型擴散層的製造方法，及製備光伏電池的方法有权
简体标题：形成ｐ型扩散层的组合物和ｐ型扩散层的制造方法，及制备光伏电池的方法
公开(公告)号：TWI482207B
公开(公告)日：2015-04-21
申请号：TW100102723
申请日：2011-01-25
申请人：日立化成股份有限公司 , HITACHI CHEMICAL COMPANY, LTD.
发明人：町井洋一 , MACHII, YOUICHI , 吉田誠人 , YOSHIDA, MASATO , 野尻剛 , NOJIRI, TAKESHI , 岡庭香 , OKANIWA, KAORU , 岩室光則 , IWAMURO, MITSUNORI , 足立修一郎 , ADACHI, SHUUICHIROU
IPC分类号： H01L21/22 , H01L31/18 , H01L31/042
CPC分类号： H01L21/2225 , H01L21/223 , H01L31/068 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521

76. 发明专利

TW201511302A ｐ型選擇射極形成方法及太陽電池审中-公开
简体标题：ｐ型选择射极形成方法及太阳电池
公开(公告)号：TW201511302A
公开(公告)日：2015-03-16
申请号：TW103119544
申请日：2014-06-05
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：高橋光人 , TAKAHASHI, MITSUHITO , 白井省三 , SHIRAI, SHOZO , 大塚寛之 , OTSUKA, HIROYUKI
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/068 , H01L31/18
CPC分类号： H01L21/2254 , H01L21/2225 , H01L31/068 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要：藉由p型選擇射極形成方法，該方法包含：在矽基板之受光面側形成有機矽化合物之膜的工程，和除去該有機矽化合物之膜中應形成高濃度擴散層之區域而在該區域形成開口部之工程，和接著覆蓋上述有機矽化合物之膜及開口部而塗佈第一摻雜塗佈劑，且從上述有機矽化合物及開口部使第一摻雜劑擴散在上述矽基板，在從上述開口部擴散第一摻雜劑之部分上形成高濃度擴散層，在通過上述有機矽化合物之膜而擴散第一摻雜劑之部分上形成低濃度擴散層之工程，可以簡單製造出具有p型選擇射極層之太陽電池，且該p型選擇射極層具有高濃度擴散層和低濃度擴散層，並可以一面維持製造良率在高水準，一面提供高性能的太陽電池。
简体摘要：借由p型选择射极形成方法，该方法包含：在硅基板之受光面侧形成有机硅化合物之膜的工程，和除去该有机硅化合物之膜中应形成高浓度扩散层之区域而在该区域形成开口部之工程，和接着覆盖上述有机硅化合物之膜及开口部而涂布第一掺杂涂布剂，且从上述有机硅化合物及开口部使第一掺杂剂扩散在上述硅基板，在从上述开口部扩散第一掺杂剂之部分上形成高浓度扩散层，在通过上述有机硅化合物之膜而扩散第一掺杂剂之部分上形成低浓度扩散层之工程，可以简单制造出具有p型选择射极层之太阳电池，且该p型选择射极层具有高浓度扩散层和低浓度扩散层，并可以一面维持制造良率在高水准，一面提供高性能的太阳电池。

77. 发明专利

TW201508824A 用以增進離子植入系統中之離子源的壽命及性能之方法與設備审中-公开
简体标题：用以增进离子植入系统中之离子源的寿命及性能之方法与设备
公开(公告)号：TW201508824A
公开(公告)日：2015-03-01
申请号：TW103140114
申请日：2011-02-25
申请人：尖端科技材料股份有限公司 , ADVANCED TECHNOLOGY MATERIALS, INC.
发明人：肯恩羅伯 , KAIM, ROBERT , 史維尼約瑟夫D , SWEENEY, JOSEPH D. , 艾維拉安東尼M , AVILA, ANTHONY M. , 瑞理查S , RAY, RICHARD S.
IPC分类号： H01L21/265
CPC分类号： H01L21/2225 , F17C7/00 , H01J37/08 , H01J37/3002 , H01J37/3171 , H01J2237/022 , H01J2237/304 , H01L21/223 , H01L21/26506 , Y02E60/321 , Y10T428/13
摘要：一種離子植入系統和製程，其中離子植入系統的離子源性能與壽命係藉由採用同位素濃化之摻質材料、或採用具有效提供增進效果之補充氣體的摻質材料而增進。
简体摘要：一种离子植入系统和制程，其中离子植入系统的离子源性能与寿命系借由采用同位素浓化之掺质材料、或采用具有效提供增进效果之补充气体的掺质材料而增进。

78. 发明专利

TW201508822A 形成ｐ型擴散層的組成物、ｐ型擴散層的製造方法及太陽電池元件的製造方法审中-公开
简体标题：形成ｐ型扩散层的组成物、ｐ型扩散层的制造方法及太阳电池组件的制造方法
公开(公告)号：TW201508822A
公开(公告)日：2015-03-01
申请号：TW103135128
申请日：2011-04-22
申请人：日立化成工業股份有限公司 , HITACHI CHEMICAL COMPANY, LTD.
发明人：足立修一郎 , ADACHI, SHUUICHIROU , 吉田誠人 , YOSHIDA, MASATO , 野尻剛 , NOJIRI, TAKESHI , 岡庭香 , OKANIWA, KAORU , 町井洋一 , MACHII, YOUICHI , 岩室光則 , IWAMURO, MITSUNORI , 佐藤鐵也 , SATO, TETSUYA , 木澤桂子 , KIZAWA, KEIKO
IPC分类号： H01L21/225 , H01L21/22 , H01L31/042 , H01L31/18
CPC分类号： H01L21/2225 , C03C8/18 , H01L21/2255 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要：一種形成p型擴散層的組成物，其包括含有受體元素的玻璃粉末、及分散介質。上述玻璃粉末包括含有受體元素的物質、及玻璃成分物質。上述玻璃粉末中的上述含有受體元素的物質的含有比率為1質量%以上至90質量%以下。塗佈該形成p型擴散層的組成物並實施熱擴散處理，藉此製造p型擴散層、及具有p型擴散層的太陽電池元件。
简体摘要：一种形成p型扩散层的组成物，其包括含有受体元素的玻璃粉末、及分散介质。上述玻璃粉末包括含有受体元素的物质、及玻璃成分物质。上述玻璃粉末中的上述含有受体元素的物质的含有比率为1质量%以上至90质量%以下。涂布该形成p型扩散层的组成物并实施热扩散处理，借此制造p型扩散层、及具有p型扩散层的太阳电池组件。

79. 发明专利

TW201445619A 離子植入組成、系統及方法审中-公开
简体标题：离子植入组成、系统及方法
公开(公告)号：TW201445619A
公开(公告)日：2014-12-01
申请号：TW103107470
申请日：2014-03-05
申请人：尖端科技材料股份有限公司 , ADVANCED TECHNOLOGY MATERIALS, INC.
发明人：帛爾歐雷格 , BYL, OLEG , 史溫尼約瑟夫D , SWEENEY, JOSEPH D. , 唐瀛 , TANG, YING , 瑞理查S , RAY, RICHARD S.
IPC分类号： H01L21/265
CPC分类号： H01J37/3171 , C23C14/48 , H01J37/08 , H01J2237/006 , H01J2237/08 , H01L21/2225
摘要：本發明描述用於植入摻雜劑物種的離子植入組成物、系統及方法。本發明描述特殊的硒摻雜劑來源組成物並使用共流氣體來實現在諸如配方轉換、離子束安定性、離子源壽命、離子束均勻性、離子束電流及經營成本等植入系統特性上的優點。
简体摘要：本发明描述用于植入掺杂剂物种的离子植入组成物、系统及方法。本发明描述特殊的硒掺杂剂来源组成物并使用共流气体来实现在诸如配方转换、离子束安定性、离子源寿命、离子束均匀性、离子束电流及经营成本等植入系统特性上的优点。

80. 发明专利

TW201436277A 太陽電池的製造方法审中-公开
简体标题：太阳电池的制造方法
公开(公告)号：TW201436277A
公开(公告)日：2014-09-16
申请号：TW103118716
申请日：2011-11-16
申请人：日立化成工業股份有限公司 , HITACHI CHEMICAL COMPANY, LTD.
发明人：町井洋一 , MACHII, YOUICHI , 吉田誠人 , YOSHIDA, MASATO , 野尻剛 , NOJIRI, TAKESHI , 岡庭香 , OKANIWA, KAORU , 岩室光則 , IWAMURO, MITSUNORI , 足立修一郎 , ADACHI, SHUUICHIROU , 織田明博 , ORITA, AKIHIRO , 佐藤鐵也 , SATOU, TETSUYA , 木澤桂子 , KIZAWA, KEIKO
IPC分类号： H01L31/18
CPC分类号： H01L31/068 , H01L21/2225 , H01L21/2254 , H01L21/2255 , H01L31/1804 , H01L31/186 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要：一種太陽電池的製造方法，包括下列步驟：在半導體基板的其中一面上的部分區域賦予含有包含n型雜質的玻璃粉末以及分散介質的第一n型擴散層形成組成物；在半導體基板的被賦予第一n型擴散層形成組成物的面上且為至少上述部分區域以外的區域，賦予含有包含n型雜質的玻璃粉末以及分散介質的第二n型擴散層形成組成物，第二n型擴散層形成組成物較第一n型擴散層形成組成物而言，n型雜質濃度低；將被賦予第一n型擴散層形成組成物以及第二n型擴散層形成組成物的半導體基板進行熱處理而形成n型擴散層；以及在上述部分區域上形成電極。
简体摘要：一种太阳电池的制造方法，包括下列步骤：在半导体基板的其中一面上的部分区域赋予含有包含n型杂质的玻璃粉末以及分散介质的第一n型扩散层形成组成物；在半导体基板的被赋予第一n型扩散层形成组成物的面上且为至少上述部分区域以外的区域，赋予含有包含n型杂质的玻璃粉末以及分散介质的第二n型扩散层形成组成物，第二n型扩散层形成组成物较第一n型扩散层形成组成物而言，n型杂质浓度低；将被赋予第一n型扩散层形成组成物以及第二n型扩散层形成组成物的半导体基板进行热处理而形成n型扩散层；以及在上述部分区域上形成电极。

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