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71. 发明专利

TW200628638A 清除矽半導體或矽氧化物之溶液 SOLUTIONS FOR CLEANING SILICON SEMICONDUCTORS OR SILICON OXIDES 审中-公开
简体标题：清除硅半导体或硅氧化物之溶液 SOLUTIONS FOR CLEANING SILICON SEMICONDUCTORS OR SILICON OXIDES
公开(公告)号：TW200628638A
公开(公告)日：2006-08-16
申请号：TW094132675
申请日：2005-09-21
申请人：藍姆研究公司 LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：歐娜里昂堤 LEONTE, OANA , 羅伯崔比 CHEBI, ROBERT
IPC分类号： C23G , C11D
CPC分类号： C11D3/044 , C11D1/523 , C11D1/90 , C11D3/2058 , C11D3/2079 , C11D3/30 , C11D3/33 , C11D3/3947 , C11D7/06 , C11D7/261 , C11D7/265 , C11D7/3218 , C11D7/3245 , C11D11/0047 , H01L21/02052 , H01L21/0206
摘要：本發明揭示一種用於清除矽半導體或矽氧化物之溶液，及使用該溶液清除矽半導體或矽氧化物之方法。該溶液包括過氧化氫、氫氧化銨、烷醇胺，及至少一種四烷基銨氫氧化物、烷醇醯胺、醯胺基–甜菜鹼、α,α–二羥基酚、羧酸、膦酸、螯合劑或界面活性劑。本發明揭示氫氧化銨與過氧化物與水之重量比介於約1：1：5與1：1–4：50間，氫氧化銨與水之重量比介於1：5與1：50間，且組份A與氫氧化銨之莫耳比介於1：10與1：5000間。該溶液可藉由一步在更短時間內維持矽及矽氧化物基板完整性同時，且不使用諸如HCl及硫酸之強酸自矽半導體及矽氧化物表面有效移除諸如有機物、微粒及金屬之污染物，取得與習知RCA兩步清除溶液等價之功效。
简体摘要：本发明揭示一种用于清除硅半导体或硅氧化物之溶液，及使用该溶液清除硅半导体或硅氧化物之方法。该溶液包括过氧化氢、氢氧化铵、烷醇胺，及至少一种四烷基铵氢氧化物、烷醇酰胺、酰胺基–甜菜碱、α,α–二羟基酚、羧酸、膦酸、螯合剂或界面活性剂。本发明揭示氢氧化铵与过氧化物与水之重量比介于约1：1：5与1：1–4：50间，氢氧化铵与水之重量比介于1：5与1：50间，且组份A与氢氧化铵之莫耳比介于1：10与1：5000间。该溶液可借由一步在更短时间内维持硅及硅氧化物基板完整性同时，且不使用诸如HCl及硫酸之强酸自硅半导体及硅氧化物表面有效移除诸如有机物、微粒及金属之污染物，取得与习知RCA两步清除溶液等价之功效。

72. 发明专利

TW200523690A 鹼性的後電漿蝕刻/灰殘留物之除去劑及含金屬鹵化物腐蝕抑制劑之光阻剝離組合物 ALKALINE, POST PLASMA ETCH/ASH RESIDUE REMOVERS AND PHOTORESIST STRIPPING COMPOSITIONS CONTAINING METAL-HALIDE CORROSION INHIBITORS 失效
简体标题：碱性的后等离子蚀刻/灰残留物之除去剂及含金属卤化物腐蚀抑制剂之光阻剥离组合物 ALKALINE, POST PLASMA ETCH/ASH RESIDUE REMOVERS AND PHOTORESIST STRIPPING COMPOSITIONS CONTAINING METAL-HALIDE CORROSION INHIBITORS
公开(公告)号：TW200523690A
公开(公告)日：2005-07-16
申请号：TW093133035
申请日：2004-10-29
申请人：馬連克勞得貝克股份有限公司 MALLINCKRODT BAKER, INC.
发明人：大衛C 史基 SKEE, DAVID C.
IPC分类号： G03F
CPC分类号： G03F7/425 , C09K13/02 , C09K13/08 , C11D3/0073 , C11D7/02 , C11D7/06 , C11D7/08 , C11D7/10 , C11D7/32 , C11D7/3209 , C11D11/0047 , C23G1/16
摘要：本發明係提供一種可用於微電子工業以藉由除去光阻殘留物及其他不想要的污染物而剝離或清理半導體晶圓基板之鹼性組合物。該等組合物包含(a)一或多種鹼及(b)一或多種下式抑制金屬腐蝕之金屬鹵化物：093133035-p01.bmp其中M是選自Si、Ge、Sn、Pt、P、B、Au、Ir、Os、Cr、Ti、Zr、Rh、Ru及Sb之群的金屬；X是選自F、C1、Br及I之鹵化物；W是選自H、鹼金屬或鹼土金屬及不含金屬離子之氫氧化物鹼部分；視金屬鹵化物而定，y是一從4至6之數字；z為數字1、2或3。
简体摘要：本发明系提供一种可用于微电子工业以借由除去光阻残留物及其他不想要的污染物而剥离或清理半导体晶圆基板之碱性组合物。该等组合物包含(a)一或多种碱及(b)一或多种下式抑制金属腐蚀之金属卤化物：093133035-p01.bmp其中M是选自Si、Ge、Sn、Pt、P、B、Au、Ir、Os、Cr、Ti、Zr、Rh、Ru及Sb之群的金属；X是选自F、C1、Br及I之卤化物；W是选自H、碱金属或碱土金属及不含金属离子之氢氧化物碱部分；视金属卤化物而定，y是一从4至6之数字；z为数字1、2或3。

73. 发明专利

TWI226367B 用於玻璃瓶之抗侵蝕及清潔組成物 Anti-etch and cleaning composition for glass bottles 失效
简体标题：用于玻璃瓶之抗侵蚀及清洁组成物 Anti-etch and cleaning composition for glass bottles
公开(公告)号：TWI226367B
公开(公告)日：2005-01-11
申请号：TW089117440
申请日：2000-08-29
申请人：强生狄佛西公司 JOHNSONDIVERSEY, INC.
发明人：卡諾.路伊爾德 ROUILLARD, CAROL A. , 查爾斯.克勞福 CRAWFORD, CHARLES ALLEN , 大衛.柯爾 COLE, DAVID , 麥克.豪威爾 HOWELL, MICHAEL
IPC分类号： C11D
CPC分类号： C11D3/378 , C03C23/0075 , C11D3/044 , C11D3/3784 , C11D7/06
摘要：本發明描述一種新穎抗侵蝕與清潔溶液。該溶液包括一種雜官能化聚合物、苛性物質以及選擇性一種抗侵蝕組份，而且對於玻璃器皿有清潔後大體無污染物與侵蝕作用之意料外結果。
简体摘要：本发明描述一种新颖抗侵蚀与清洁溶液。该溶液包括一种杂官能化聚合物、苛性物质以及选择性一种抗侵蚀组份，而且对于玻璃器皿有清洁后大体无污染物与侵蚀作用之意料外结果。

74. 发明专利

TW384309B 去污劑組成物失效
简体标题：去污剂组成物
公开(公告)号：TW384309B
公开(公告)日：2000-03-11
申请号：TW085115771
申请日：1996-12-20
申请人：三菱麗陽股份有限公司
发明人：齊藤浩 , 高橋千惠 , 西澤正浩 , 山本浩 , 高橋清文
IPC分类号： C11D
CPC分类号： C11D11/0041 , C11D3/33 , C11D7/06 , C11D7/16 , C11D7/3245
摘要：一種去污劑組成物，包括鹼金屬氫氧化物、L－氨基丁二酸－N，N－二乙酸鹼金屬鹽、葡萄糖酸的鹼金屬鹽和視需要地包括鍋垢抑制劑。該去污劑組成物係用來將附著或沉積在玻璃、塑膠、金屬等表面（特別是例如飲料、加工食品及其它食品等容器，容器箱，食品生產設備的輸送管線，大水槽，殺菌板，板式熱交換器，填充機器及其相似物的硬表面）上的土壤、污垢和其他的污染物，藉由適當的方法（例如將物品浸在清潔溶液裡，將清潔溶液在要清理的設備裡循環，或將清潔溶液噴在要清理的物品表面上）去除。本發明的去污劑組成物具有優良的清潔績效和極佳的生物降解度。
简体摘要：一种去污剂组成物，包括碱金属氢氧化物、L－氨基丁二酸－N，N－二乙酸碱金属盐、葡萄糖酸的碱金属盐和视需要地包括锅垢抑制剂。该去污剂组成物系用来将附着或沉积在玻璃、塑胶、金属等表面（特别是例如饮料、加工食品及其它食品等容器，容器箱，食品生产设备的输送管线，大水槽，杀菌板，板式热交换器，填充机器及其相似物的硬表面）上的土壤、污垢和其他的污染物，借由适当的方法（例如将物品浸在清洁溶液里，将清洁溶液在要清理的设备里循环，或将清洁溶液喷在要清理的物品表面上）去除。本发明的去污剂组成物具有优良的清洁绩效和极佳的生物降解度。

75. 发明专利

TW373020B 含高鹼性之清潔濃縮物失效
简体标题：含高碱性之清洁浓缩物
公开(公告)号：TW373020B
公开(公告)日：1999-11-01
申请号：TW086101696
申请日：1997-02-14
申请人：羅門哈斯公司
发明人：白瑞.溫斯敦
IPC分类号： C11D
CPC分类号： C11D3/044 , C11D3/3765 , C11D7/06 , C11D11/0023
摘要：本發明係揭示一種穩定之水性清潔濃縮物組成物之製法，該濃縮物組成物含有高濃度的鹼及聚合物，可作為抑垢清潔添加劑用。用於製備該穩定清潔濃縮物之水溶性聚合物添加劑為丙烯酸，及視需要地，順丁烯二酸，及經選定的烯丙氧基諸單體之聚合物。具貯存穩定性之該清潔濃縮物在自動洗滌系統(例如自動洗瓶機及定位清潔作業)的清潔調配物之提供上特別有用。
简体摘要：本发明系揭示一种稳定之水性清洁浓缩物组成物之制法，该浓缩物组成物含有高浓度的碱及聚合物，可作为抑垢清洁添加剂用。用于制备该稳定清洁浓缩物之水溶性聚合物添加剂为丙烯酸，及视需要地，顺丁烯二酸，及经选定的烯丙氧基诸单体之聚合物。具贮存稳定性之该清洁浓缩物在自动洗涤系统(例如自动洗瓶机及定位清洁作业)的清洁调配物之提供上特别有用。

76. 发明专利

TWI600756B 利用後段化學機械拋光移除之組成物及其使用方法有权
简体标题：利用后段化学机械抛光移除之组成物及其使用方法
公开(公告)号：TWI600756B
公开(公告)日：2017-10-01
申请号：TW102105519
申请日：2013-02-18
申请人：恩特葛瑞斯股份有限公司 , ENTEGRIS, INC.
发明人：劉俊 , LIU, JUN , 巴尼斯傑佛里A , BARNES, JEFFREY A. , 庫帕艾曼紐I , COOPER, EMANUEL I. , 孫來生 , SUN, LAISHENG , 湯瑪斯伊麗莎白 , THOMAS, ELIZABETH , 張傑森 , CHANG, JASON
IPC分类号： C11D7/04 , C11D7/06 , C11D7/26 , C11D7/50 , B08B3/08
CPC分类号： H01L21/02074 , C11D3/044 , C11D3/3409 , C11D3/39 , C11D3/3942 , C11D7/06 , C11D11/0047

77. 发明专利

TWI590865B 滲透膜之洗淨劑及洗淨方法有权
简体标题：渗透膜之洗净剂及洗净方法
公开(公告)号：TWI590865B
公开(公告)日：2017-07-11
申请号：TW102113959
申请日：2013-04-19
申请人：栗田工業股份有限公司 , KURITA WATER INDUSTRIES LTD.
发明人：青木哲也 , AOKI, TETSUYA , 川勝孝博 , KAWAKATSU, TAKAHIRO , 早川邦洋 , HAYAKAWA, KUNIHIRO
IPC分类号： B01D65/06 , B01D61/10 , C11D7/04
CPC分类号： B01D65/02 , B01D65/10 , B01D2321/164 , B01D2321/168 , C02F1/441 , C02F2303/16 , C02F2303/20 , C11D7/04 , C11D7/06 , C11D7/08 , C11D7/10 , C11D7/34 , C11D11/0041

78. 发明专利

TWI583786B 供附有金屬佈線之半導體用清洗劑有权
简体标题：供附有金属布线之半导体用清洗剂
公开(公告)号：TWI583786B
公开(公告)日：2017-05-21
申请号：TW104130929
申请日：2011-01-28
申请人：恩特葛瑞斯股份有限公司 , ENTEGRIS, INC.
发明人：中西睦 , NAKANISHI, MUTSUMI , 吉持浩 , YOSHIMOCHI, HIROSHI , 小路祐吉 , KOJI, YUKICHI
IPC分类号： C11D7/26 , C11D7/32 , B08B3/08 , H01L21/30
CPC分类号： C11D11/0047 , C11D3/0042 , C11D3/044 , C11D3/2065 , C11D3/2086 , C11D3/2096 , C11D3/28 , C11D7/06 , C11D7/265 , C11D7/267 , C11D7/3209 , C11D7/3218 , C11D7/3281 , H01L21/02074

79. 发明专利

TW201627497A 無胺之化學機械研磨後（ＰＯＳＴ　ＣＭＰ）組成物及其使用方法审中-公开
简体标题：无胺之化学机械研磨后（ＰＯＳＴ　ＣＭＰ）组成物及其使用方法
公开(公告)号：TW201627497A
公开(公告)日：2016-08-01
申请号：TW104135783
申请日：2015-10-30
申请人：安堤格里斯公司 , ENTEGRIS, INC.
发明人：劉俊 , LIU, JUN , 弗萊唐納德 , FRYE, DONALD
IPC分类号： C11D11/00 , C11D7/32 , C11D7/34 , C11D7/26 , C11D7/06 , C11D7/36 , C11D7/50 , C11D7/38 , B08B3/08 , H01L21/304 , H01L21/67
CPC分类号： H01L21/02074 , C11D3/3947 , C11D3/3956 , C11D7/06 , C11D7/261 , C11D7/263 , C11D7/264 , C11D7/265 , C11D7/3245 , C11D7/3281 , C11D7/34 , C11D7/36 , C11D11/0047
摘要：本發明係關於一種保護含鈷材料層及/或自其上具有化學機械研磨(CMP)後殘留物及污染物之微電子裝置清除該等殘留物及污染物之高pH組成物及方法。該等組成物達成含鈷材料層之高度有效的保護及自微電子裝置表面清除CMP後殘留物及污染物材料，而不會損壞低k介電材料、銅互連材料、或含鈷材料。
简体摘要：本发明系关于一种保护含钴材料层及/或自其上具有化学机械研磨(CMP)后残留物及污染物之微电子设备清除该等残留物及污染物之高pH组成物及方法。该等组成物达成含钴材料层之高度有效的保护及自微电子设备表面清除CMP后残留物及污染物材料，而不会损坏低k介电材料、铜互连材料、或含钴材料。

80. 发明专利

TWI537379B 用以處理晶圓狀物品之方法及設備有权
简体标题：用以处理晶圆状物品之方法及设备
公开(公告)号：TWI537379B
公开(公告)日：2016-06-11
申请号：TW101139332
申请日：2012-10-24
申请人：蘭姆研究股份公司 , LAM RESEARCH AG
发明人：霍夫曼史帝芬 , HOFFMANN, STEPHAN , 克勞斯哈洛德 , KRAUS, HARALD , 曼汀岡德 , METTIN, GUNTER
IPC分类号： C11D9/36
CPC分类号： C11D7/06 , C11D7/3209 , C11D11/0047 , C23G1/14 , C23G3/00 , H01L21/02057 , H01L21/67051

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