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71. 发明专利

TW558745B 形成金屬層的方法失效
简体标题：形成金属层的方法
公开(公告)号：TW558745B
公开(公告)日：2003-10-21
申请号：TW091121423
申请日：2002-09-19
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司
发明人：劉繼文 , 王英郎
IPC分类号： H01L
摘要：本發明係提供一種形成金屬層的方法，其包括下列步驟：提供一基板，具有一已形成有一開口的介電質層形成於上述基板上；沉積一金屬層以填滿上述開口；沉積一氧阻障層覆蓋上述金屬層；將已沉積有上述金屬層和上述氧阻障層的上述基板移入一暫存儲區，等待排程；以及將已沉積有上述金屬層和上述氧阻障層的上述基板移出上述暫存儲區，平坦化上述金屬層。
简体摘要：本发明系提供一种形成金属层的方法，其包括下列步骤：提供一基板，具有一已形成有一开口的介电质层形成于上述基板上；沉积一金属层以填满上述开口；沉积一氧阻障层覆盖上述金属层；将已沉积有上述金属层和上述氧阻障层的上述基板移入一暂存储区，等待调度；以及将已沉积有上述金属层和上述氧阻障层的上述基板移出上述暂存储区，平坦化上述金属层。

72. 发明专利

TW534852B 防止產生氧化鎢之鎢-化學機械研磨製程失效
简体标题：防止产生氧化钨之钨-化学机械研磨制程
公开(公告)号：TW534852B
公开(公告)日：2003-06-01
申请号：TW090128313
申请日：2001-11-15
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司
发明人：王英郎 , 林士琦 , 鄭義榮 , 劉繼文 , 游明華 , 鄭文功 , 王建光
IPC分类号： B24B , H01L
摘要：本發明為一種防止產生氧化鎢之鎢-化學機械研磨製程，其步驟包括：提供一具有接觸開口之基底，順應性形成一阻障層於該具有接觸開口之基底上，形成一鎢金屬層於該阻障層上，並填滿該接觸開口，施行第一階段化學機械研磨步驟，研磨該鎢金屬層和該阻障層至該基底表面，以於該接觸窗內形成一鎢插栓，施行第二階段化學機械研磨步驟，加入一氫氧化四丁銨，研磨該鎢插栓，以及施行第三階段化學機械研磨後的洗淨步驟。
简体摘要：本发明为一种防止产生氧化钨之钨-化学机械研磨制程，其步骤包括：提供一具有接触开口之基底，顺应性形成一阻障层于该具有接触开口之基底上，形成一钨金属层于该阻障层上，并填满该接触开口，施行第一阶段化学机械研磨步骤，研磨该钨金属层和该阻障层至该基底表面，以于该接触窗内形成一钨插栓，施行第二阶段化学机械研磨步骤，加入一氢氧化四丁铵，研磨该钨插栓，以及施行第三阶段化学机械研磨后的洗净步骤。

73. 发明专利

TW527684B 以氟矽玻璃當作金屬層間介電層的製造方法有权
简体标题：以氟硅玻璃当作金属层间介电层的制造方法
公开(公告)号：TW527684B
公开(公告)日：2003-04-11
申请号：TW090125270
申请日：2001-10-12
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司
发明人：鄭義榮 , 游明華 , 吳斯安 , 王英郎 , 周培芬
IPC分类号： H01L
摘要：本發明提供一種以氟矽玻璃當作金屬層間介電層的製造方法，其方法係為使用含氮氣(N2)的氟矽玻璃製程氣體，在基底上沈積氟矽玻璃層。
简体摘要：本发明提供一种以氟硅玻璃当作金属层间介电层的制造方法，其方法系为使用含氮气(N2)的氟硅玻璃制程气体，在基底上沉积氟硅玻璃层。

74. 发明专利

TW523560B 一種應用於蝕刻停止層之氮氧矽薄膜有权
简体标题：一种应用于蚀刻停止层之氮氧硅薄膜
公开(公告)号：TW523560B
公开(公告)日：2003-03-11
申请号：TW088105467
申请日：1999-04-06
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司
发明人：簡宏儒 , 邱遠鴻 , 鄭文功 , 王英郎
IPC分类号： C30B
摘要：本發明揭露了一種可以應用在各種半導體結構中，作為蝕刻氧化層之阻絕層的氮氧矽薄膜。透過以氬氣為載氣的電漿化學氣相沈積法所沈積出的氮氧矽薄膜，將可具有十分良好的表面均勻度、反射率、折射率、反射率均勻度，與折射率均勻度。因此，將可使得蝕刻幕罩的圖案，可以更精確的轉移至光阻之上。此外，本發明所揭露的氮氧矽薄膜的厚度可以製作的十分薄，也可以使得對於半導體結構之電性所產生的影響降至最低。
简体摘要：本发明揭露了一种可以应用在各种半导体结构中，作为蚀刻氧化层之阻绝层的氮氧硅薄膜。透过以氩气为载气的等离子化学气相沉积法所沉积出的氮氧硅薄膜，将可具有十分良好的表面均匀度、反射率、折射率、反射率均匀度，与折射率均匀度。因此，将可使得蚀刻幕罩的图案，可以更精确的转移至光阻之上。此外，本发明所揭露的氮氧硅薄膜的厚度可以制作的十分薄，也可以使得对于半导体结构之电性所产生的影响降至最低。

75. 发明专利

TW506107B 金屬鎢插塞之回蝕製程失效
简体标题：金属钨插塞之回蚀制程
公开(公告)号：TW506107B
公开(公告)日：2002-10-11
申请号：TW090125977
申请日：2001-10-19
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司
发明人：陳科維 , 魏國修 , 林俞谷 , 王廷君 , 王英郎 , 張仕宗
IPC分类号： H01L
摘要：一種金屬鎢插塞之回蝕製程。先在基底上依序形成介電層與抗反射層，然後在介電層與抗反射層中形成開口。接著在開口中與抗反射層上形成共形的阻障層，再於阻障層上形成金屬鎢層。進行第一化學機械研磨步驟直至暴露出阻障層，以去除大部分的金屬鎢層。進行第二化學機械研磨步驟，以去除該阻障層上之殘餘的金屬鎢層與該阻障層。進行第三化學機械研磨步驟，以去除該抗反射層。該第三化學機械研磨步驟所用之研漿中至少含有液態之氫氧化烷基銨或烷基醇。
简体摘要：一种金属钨插塞之回蚀制程。先在基底上依序形成介电层与抗反射层，然后在介电层与抗反射层中形成开口。接着在开口中与抗反射层上形成共形的阻障层，再于阻障层上形成金属钨层。进行第一化学机械研磨步骤直至暴露出阻障层，以去除大部分的金属钨层。进行第二化学机械研磨步骤，以去除该阻障层上之残余的金属钨层与该阻障层。进行第三化学机械研磨步骤，以去除该抗反射层。该第三化学机械研磨步骤所用之研浆中至少含有液态之氢氧化烷基铵或烷基醇。

76. 发明专利

TW448086B 避免晶圓在化學機械研磨過程中破片的方法有权
简体标题：避免晶圆在化学机械研磨过程中破片的方法
公开(公告)号：TW448086B
公开(公告)日：2001-08-01
申请号：TW088110147
申请日：1999-06-17
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司
发明人：鄭文功 , 簡宏儒 , 陳俊彰 , 王英郎
IPC分类号： B24B , H01L
摘要：本發明係揭露一種於積體電路製程中避免晶圓在化學機械研磨(CMP)過程中破片的方法。係針對化學機械研磨之平坦化製程中，以抽真空方式利用晶圓載具將研磨完成之晶圓從研磨平台上吸起時，利用升高水溫或添加界面活性劑的方式，降低晶圓與研磨平台間之水溶液的表面張力，以減少晶圓被吸取時之形變，而改善嚴重之晶圓破片問題。
简体摘要：本发明系揭露一种于集成电路制程中避免晶圆在化学机械研磨(CMP)过程中破片的方法。系针对化学机械研磨之平坦化制程中，以抽真空方式利用晶圆载具将研磨完成之晶圆从研磨平台上吸起时，利用升高水温或添加界面活性剂的方式，降低晶圆与研磨平台间之水溶液的表面张力，以减少晶圆被吸取时之形变，而改善严重之晶圆破片问题。

77. 发明专利

TW444072B 分段式護層薄膜沈積方法有权
简体标题：分段式护层薄膜沉积方法
公开(公告)号：TW444072B
公开(公告)日：2001-07-01
申请号：TW088107174
申请日：1999-05-03
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司
发明人：王英郎 , 詹俊清 , 鄧覺為 , 簡宏儒
IPC分类号： C30B
摘要：本發明揭露了一種應用於半導體製程中分段沈積護層薄膜之方法。首先於半導體基材表面之導線上，以高密度電漿化學氣相沈積法(HDPCVD)沈積一層介電材料以形成護層薄膜。在此一護層薄膜產生的溫度高於導線所能承受之範圍前，即停止此段沈積反應的進行，並於晶圓的背面通入冷卻氣體以降低晶圓表面的溫度。最後再以不同速率的高密度電漿化學氣相沈積製程，以形成具有完好導線之護層薄膜。
简体摘要：本发明揭露了一种应用于半导体制程中分段沉积护层薄膜之方法。首先于半导体基材表面之导在线，以高密度等离子化学气相沉积法(HDPCVD)沉积一层介电材料以形成护层薄膜。在此一护层薄膜产生的温度高于导线所能承受之范围前，即停止此段沉积反应的进行，并于晶圆的背面通入冷却气体以降低晶圆表面的温度。最后再以不同速率的高密度等离子化学气相沉积制程，以形成具有完好导线之护层薄膜。

78. 发明专利

TWI686926B 電阻性隨機存取記憶體裝置及其形成方法有权
简体标题：电阻性随机存取内存设备及其形成方法
公开(公告)号：TWI686926B
公开(公告)日：2020-03-01
申请号：TW107121915
申请日：2018-06-26
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：朱文定 , CHU, WEN-TING , 翁烔城 , ONG, TONG-CHERN , 王英郎 , WANG, YING-LANG
IPC分类号： H01L27/105 , G11C11/40

79. 发明专利

TW202004859A 半導體製程的方法审中-公开
简体标题：半导体制程的方法
公开(公告)号：TW202004859A
公开(公告)日：2020-01-16
申请号：TW108107353
申请日：2019-03-06
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：劉書豪 , LIU, SU-HAO , 陳國儒 , CHEN, KUO-JU , 吳濬宏 , WU, CHUN-HUNG , 陳佳政 , CHEN, CHIA-CHENG , 陳亮吟 , CHEN, LIANG-YIN , 張惠政 , CHANG, HUI-CHENG , 王英郎 , WANG, YING-LANG
IPC分类号： H01L21/265 , H01L21/425 , H01L21/477 , H01L21/768
摘要：此處所述的實施例一般關於形成超淺接面於p型源極/汲極區中，且超淺接面具有高摻質濃度與低接點電阻。在一實施例中，方法包括形成源極/汲極區於基板上的主動區中，且源極/汲極區包含鍺；進行採用鎵的離子佈植製程，以形成非晶區於源極/汲極區中；進行採用摻質的離子佈植製程至非晶區中；以及對非晶區進行熱製程。
简体摘要：此处所述的实施例一般关于形成超浅接面于p型源极/汲极区中，且超浅接面具有高掺质浓度与低接点电阻。在一实施例中，方法包括形成源极/汲极区于基板上的主动区中，且源极/汲极区包含锗；进行采用镓的离子布植制程，以形成非晶区于源极/汲极区中；进行采用掺质的离子布植制程至非晶区中；以及对非晶区进行热制程。

80. 发明专利

TW201731099A 鰭型場效電晶體及其製造方法审中-公开
简体标题：鳍型场效应管及其制造方法
公开(公告)号：TW201731099A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：TW105144026
申请日：2016-12-30
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：蔡俊雄 , TSAI, CHUN-HSIUNG , 楊懷德 , YANG, HUAI-TEI , 張簡旭珂 , JANGJIAN, SHIU-KO , 陳科維 , CHEN, KEI-WEI , 王英郎 , WANG, YING-LANG , 方子韋 , FANG, ZIWEI
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/7848 , H01L21/823418 , H01L21/823431 , H01L21/823468 , H01L27/1211 , H01L29/1608 , H01L29/161 , H01L29/165 , H01L29/6653 , H01L29/66545
摘要：一種鰭型場效電晶體，所述鰭型場效電晶體包括基底、至少一個閘極結構、第一間隔壁、第二間隔壁以及源極及汲極區。所述基底具有鰭及配置於所述鰭之間的絕緣體。所述至少一個閘極結構配置於所述鰭之上且配置於所述絕緣體上。所述第一間隔壁配置於所述至少一個閘極結構的相對的側壁上。所述源極及汲極區配置於所述至少一個閘極結構的兩個相對側上且位於所述第一間隔壁旁邊。所述第二間隔壁配置於所述至少一個閘極結構的所述兩個相對側上且位於所述第一間隔壁旁邊。所述源極及汲極區夾置於所述相對的第二間隔壁之間。
简体摘要：一种鳍型场效应管，所述鳍型场效应管包括基底、至少一个闸极结构、第一间隔壁、第二间隔壁以及源极及汲极区。所述基底具有鳍及配置于所述鳍之间的绝缘体。所述至少一个闸极结构配置于所述鳍之上且配置于所述绝缘体上。所述第一间隔壁配置于所述至少一个闸极结构的相对的侧壁上。所述源极及汲极区配置于所述至少一个闸极结构的两个相对侧上且位于所述第一间隔壁旁边。所述第二间隔壁配置于所述至少一个闸极结构的所述两个相对侧上且位于所述第一间隔壁旁边。所述源极及汲极区夹置于所述相对的第二间隔壁之间。

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