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71. 发明专利

TWI635198B 用以減少電鍍系統中之瑕疵的隔膜設計有权
简体标题：用以减少电镀系统中之瑕疵的隔膜设计
公开(公告)号：TWI635198B
公开(公告)日：2018-09-11
申请号：TW103137914
申请日：2014-10-31
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：金道衍 , KIM, DOYEON , 剛加迪相提納斯 , GHONGADI, SHANTINATH , 高田祐一 , TAKADA, YUICHI , 黄璐丹 , HUANG, LUDAN , 馬吉德塔里克 , MAJID, TARIQ
IPC分类号： C25D5/00 , C25D7/12 , C25D17/00 , H01L21/288 , H01L21/3205 , H05K3/18

72. 发明专利

TW201830460A 主動式噴淋頭审中-公开
简体标题：主动式喷淋头
公开(公告)号：TW201830460A
公开(公告)日：2018-08-16
申请号：TW106138236
申请日：2017-11-06
申请人：美商蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：格雷戈爾馬里烏斯 , GREGOR, MARIUSCH , 立爾托爾斯滕 , LILL, THORSTEN , 特呂塞爾大衛 , TRUSSELL, DAVID
IPC分类号： H01J37/36 , H01L21/3065
摘要：揭露電漿反應器用之主動式噴淋頭。主動式噴淋頭包含複數基板層。該複數基板層包含至少一致動器與傳輸元件。該致動器與傳輸元件係藉由一氣體管道耦合至一氣體線。該主動式噴淋頭更包含位於該該複數基板層下方的一電極層。該電極層與該致動器與傳輸元件共用一開口。該致動器與傳輸元件使自該氣體線與該氣體管道所接收之一或多種製程氣體得以在毋需傳統氣體箱的情況下通過而進入該開口中。
简体摘要：揭露等离子反应器用之主动式喷淋头。主动式喷淋头包含复数基板层。该复数基板层包含至少一致动器与传输组件。该致动器与传输组件系借由一气体管道耦合至一气体线。该主动式喷淋头更包含位于该该复数基板层下方的一电极层。该电极层与该致动器与传输组件共享一开口。该致动器与传输组件使自该气体线与该气体管道所接收之一或多种制程气体得以在毋需传统气体箱的情况下通过而进入该开口中。

73. 发明专利

TW201828339A 於半導體裝置製造中高品質氧化矽之低溫形成审中-公开
简体标题：于半导体设备制造中高品质氧化硅之低温形成
公开(公告)号：TW201828339A
公开(公告)日：2018-08-01
申请号：TW106132721
申请日：2017-09-25
申请人：美商蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：麥克勞克林凱文 M , MCLAUGHLIN, KEVIN M. , 法基亞艾米特 , PHARKYA, AMIT , 瑞迪卡蒲瑟利西 , REDDY, KAPU SIRISH
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/76
摘要：在低於約200℃的溫度下藉由PECVD來在半導體基板上沉積氧化矽層，並使用氦電漿處理氧化矽層以將所沉積層的應力降低至小於約80 MPa的絕對值。電漿處理減少氧化矽層中的氫含量，且導致亦可具有高密度與低粗糙度的低應力膜。在一些實施例中，膜係沉積在含有一或更多無法承受大於250℃的溫度之溫度敏感層的基板上，該溫度敏感層例如有機材料層或旋塗介電質層。在一些實施例中，氧化矽膜係沉積至約100-200 Å之間的厚度，且在半導體基板上之其他層的蝕刻期間用作為硬遮罩層。
简体摘要：在低于约200℃的温度下借由PECVD来在半导体基板上沉积氧化硅层，并使用氦等离子处理氧化硅层以将所沉积层的应力降低至小于约80 MPa的绝对值。等离子处理减少氧化硅层中的氢含量，且导致亦可具有高密度与低粗糙度的低应力膜。在一些实施例中，膜系沉积在含有一或更多无法承受大于250℃的温度之温度敏感层的基板上，该温度敏感层例如有机材料层或旋涂介电质层。在一些实施例中，氧化硅膜系沉积至约100-200 Å之间的厚度，且在半导体基板上之其他层的蚀刻期间用作为硬遮罩层。

74. 发明专利

TW201827643A 用於蝕刻金屬之連續及脈衝式射頻電漿审中-公开
简体标题：用于蚀刻金属之连续及脉冲式射频等离子
公开(公告)号：TW201827643A
公开(公告)日：2018-08-01
申请号：TW106129268
申请日：2017-08-29
申请人：美商蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：嘉德瑞什卡阿南德 , CHANDRASHEKAR, ANAND , 慕提亞拉馬杜桑托什庫馬爾 , MUTYALA, MADHU SANTOSH KUMAR
IPC分类号： C23C16/505 , C23C16/52 , H01J37/32 , H01L21/3213 , H01L21/768
摘要：提供使用含氮蝕刻劑氣體蝕刻鎢及其他金屬或含金屬薄膜的方法。此些方法涉及將薄膜暴露至連續波(CW)電漿，然後在朝向蝕刻操作終止前切換至脈衝式電漿。脈衝式電漿具有較低濃度的氮自由基且可緩和鎢表面上的氮化效應。在某些實施例中，在經蝕刻的表面進行接續的沉積而無成核延遲。亦提供施行此些方法的設備。
简体摘要：提供使用含氮蚀刻剂气体蚀刻钨及其他金属或含金属薄膜的方法。此些方法涉及将薄膜暴露至连续波(CW)等离子，然后在朝向蚀刻操作终止前切换至脉冲式等离子。脉冲式等离子具有较低浓度的氮自由基且可缓和钨表面上的氮化效应。在某些实施例中，在经蚀刻的表面进行接续的沉积而无成核延迟。亦提供施行此些方法的设备。

75. 发明专利

TW201827637A 利用鹵化物系前驅體以沉積無金屬原子層沉積氮化矽膜之方法审中-公开
简体标题：利用卤化物系前驱体以沉积无金属原子层沉积氮化硅膜之方法
公开(公告)号：TW201827637A
公开(公告)日：2018-08-01
申请号：TW106132501
申请日：2017-09-22
申请人：美商蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：希姆斯詹姆士 S , SIMS, JAMES S. , 亨利強 , HENRI, JON , 謙德拉瑟哈蘭拉密許 , CHANDRASEKHARAN, RAMESH , 瑪克羅安組約翰 , MCKERROW, ANDREW JOHN , 凡拉德拉真瑟沙撒依 , VARADARAJAN, SESHASAYEE , 凱爾克納凱瑟琳美熹德 , KELCHNER, KATHRYN MERCED
IPC分类号： C23C16/42 , C23C16/44 , C23C16/455 , C23C16/505 , C23C16/52 , H01L21/02
摘要：一種在電漿輔助原子層沉積(PEALD)反應腔室的微容積中受到處理的半導體基板上沉積氮化矽膜的方法，其中單一半導體基板係支撐在基座的陶瓷表面上，且製程氣體係通過噴淋頭的陶瓷表面中的氣體出口導入至半導體基板上方的反應區域中，該方法包括(a)使用氟電漿清潔基座與噴淋頭的該等陶瓷表面，(b)在該等陶瓷表面上沉積無鹵化物原子層沉積(ALD)氧化物底層塗覆，(c)在無鹵化物ALD氧化物底層塗覆上沉積ALD氮化矽的預塗覆，及(d)藉由將一批量的半導體基板的各半導體基板轉移至反應腔室內並在支撐於基座陶瓷表面上之半導體基板上沉積ALD氮化矽膜來處理該批量的半導體基板。
简体摘要：一种在等离子辅助原子层沉积(PEALD)反应腔室的微容积中受到处理的半导体基板上沉积氮化硅膜的方法，其中单一半导体基板系支撑在基座的陶瓷表面上，且制程气体系通过喷淋头的陶瓷表面中的气体出口导入至半导体基板上方的反应区域中，该方法包括(a)使用氟等离子清洁基座与喷淋头的该等陶瓷表面，(b)在该等陶瓷表面上沉积无卤化物原子层沉积(ALD)氧化物底层涂覆，(c)在无卤化物ALD氧化物底层涂复上沉积ALD氮化硅的预涂覆，及(d)借由将一批量的半导体基板的各半导体基板转移至反应腔室内并在支撑于基座陶瓷表面上之半导体基板上沉积ALD氮化硅膜来处理该批量的半导体基板。

76. 发明专利

TW201826382A 具有降低的深寬比依存性之選擇性蝕刻方法审中-公开
简体标题：具有降低的深宽比依存性之选择性蚀刻方法
公开(公告)号：TW201826382A
公开(公告)日：2018-07-16
申请号：TW106134313
申请日：2017-10-05
申请人：美商蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：巴沙發林卡帕阿達爾斯 , BASAVALINGAPPA, ADARSH , 王鵬 , WANG, PENG , 納加希拉瓦巴哈斯卡 , NAGABHIRAVA, BHASKAR , 戈斯麥可 , GOSS, MICHAEL , 勾帕拉達蘇普拉伯哈克拉 , GOPALADASU, PRABHAKARA , 柯納爾藍道夫 , KNARR, RANDOLPH , 施米茨斯特凡 , SCHMITZ, STEFAN , 佛列德菲爾 , FRIDDLE, PHIL
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/311
摘要：提供相對於遮罩來選擇性蝕刻一蝕刻層之方法。提供包含複數蝕刻循環的蝕刻製程，其中各蝕刻循環包含提供沉積階段與蝕刻階段。沉積階段包含：(1)提供沉積階段氣體的氣流，該沉積階段氣體包含含氟碳化物氣體或含氫氟碳化物氣體、及含氧氣體且具有氟碳化物或氫氟碳化物相對氧的一比率，(2)提供RF功率，其將沉積階段氣體形成為電漿，及(3)停止沉積階段。蝕刻階段包含：(1)提供蝕刻階段氣體的氣流，該蝕刻階段氣體包含含氟碳化物氣體或含氫氟碳化物氣體、及含氧氣體，且具有較沉積階段氣體的氟碳化物或氫氟碳化物相對氧的比率來得低的氟碳化物或氫氟碳化物相對氧的一比率，(2) 提供RF功率，及(3)停止蝕刻階段。
简体摘要：提供相对于遮罩来选择性蚀刻一蚀刻层之方法。提供包含复数蚀刻循环的蚀刻制程，其中各蚀刻循环包含提供沉积阶段与蚀刻阶段。沉积阶段包含：(1)提供沉积阶段气体的气流，该沉积阶段气体包含含氟碳化物气体或含氢氟碳化物气体、及含氧气体且具有氟碳化物或氢氟碳化物相对氧的一比率，(2)提供RF功率，其将沉积阶段气体形成为等离子，及(3)停止沉积阶段。蚀刻阶段包含：(1)提供蚀刻阶段气体的气流，该蚀刻阶段气体包含含氟碳化物气体或含氢氟碳化物气体、及含氧气体，且具有较沉积阶段气体的氟碳化物或氢氟碳化物相对氧的比率来得低的氟碳化物或氢氟碳化物相对氧的一比率，(2) 提供RF功率，及(3)停止蚀刻阶段。

77. 发明专利

TW201826344A 內連線結構用之複合介電界面層审中-公开
简体标题：内连接结构用之复合介电界面层
公开(公告)号：TW201826344A
公开(公告)日：2018-07-16
申请号：TW106132733
申请日：2017-09-25
申请人：美商蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：瑞迪卡蒲瑟利西 , REDDY, KAPU SIRISH , 珊卡納葛 , SHANKAR, NAGRAJ , 史旺明內森珊卡 , SWAMINATHAN, SHANKAR , 蘭維爾梅利哈格茲德 , RAINVILLE, MELIHA GOZDE , 帕斯果法蘭克 L , PASQUALE, FRANK L.
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/768
摘要：具有介電常數（k）小於約7且密度至少約2.5 g/cm3之特徵的介電複合膜係沉積在部分製造的半導體元件上以作為蝕刻停止層。在一實施例中，複合膜包含選自由Al、Si、及Ge組成之群組的至少兩元素、及選自由O、N、及C組成之群組的至少一元素。在一實施例中，複合膜包括Al、Si、及O。在一實施方式中，包含曝露的介電層（例如ULK介電質）及曝露的金屬層之基板係與含鋁化合物（諸如三甲基鋁）、且依序與含矽化合物接觸。所吸附的化合物係接著使用含氧電漿（例如在含CO2氣體中形成的電漿）處理以形成包含Al、Si、及O的膜。
简体摘要：具有介电常数（k）小于约7且密度至少约2.5 g/cm3之特征的介电复合膜系沉积在部分制造的半导体组件上以作为蚀刻停止层。在一实施例中，复合膜包含选自由Al、Si、及Ge组成之群组的至少两元素、及选自由O、N、及C组成之群组的至少一元素。在一实施例中，复合膜包括Al、Si、及O。在一实施方式中，包含曝露的介电层（例如ULK介电质）及曝露的金属层之基板系与含铝化合物（诸如三甲基铝）、且依序与含硅化合物接触。所吸附的化合物系接着使用含氧等离子（例如在含CO2气体中形成的等离子）处理以形成包含Al、Si、及O的膜。

78. 发明专利

TW201825776A 用以減少泵抽排氣系統中之排出物積累的系統及方法审中-公开
简体标题：用以减少泵抽排气系统中之排出物积累的系统及方法
公开(公告)号：TW201825776A
公开(公告)日：2018-07-16
申请号：TW106131102
申请日：2017-09-12
申请人：美商蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：薩維爾安東尼奧 , XAVIER, ANTONIO , 高札史蒂芬 , GOZA, STEVEN , 謙德拉瑟哈蘭拉密許 , CHANDRASEKHARAN, RAMESH , 拉芙依艾里恩 , LAVOIE, ADRIEN , 內斯密斯喬瑟夫 , NESMITH, JOSEPH
IPC分类号： F04B37/10 , F04B37/06 , F04D15/00 , F04D25/00
摘要：一種減少基板處理系統的泵抽排氣系統中之排出物積累的方法，包含於一基板處理製程期間進行下述步驟：將一基板配置於一處理腔室中的一基板支撐件上；供應一或更多處理氣體至該處理腔室；以一第一流率將一惰性稀釋氣體供應至該泵抽排氣系統；於該處理腔室中的該基板上執行該基板處理製程；及藉由使用該泵抽排氣系統而從該處理腔室將反應物抽出。該方法包含於該基板處理製程之後進行下述步驟：於一清潔處理期間在該處理腔室中供應包含清潔氣體的清潔電漿；及在該清潔處理期間以小於該第一流率的一第二流率供應該惰性稀釋氣體至該泵抽排氣系統。
简体摘要：一种减少基板处理系统的泵抽排气系统中之排出物积累的方法，包含于一基板处理制程期间进行下述步骤：将一基板配置于一处理腔室中的一基板支撑件上；供应一或更多处理气体至该处理腔室；以一第一流率将一惰性稀释气体供应至该泵抽排气系统；于该处理腔室中的该基板上运行该基板处理制程；及借由使用该泵抽排气系统而从该处理腔室将反应物抽出。该方法包含于该基板处理制程之后进行下述步骤：于一清洁处理期间在该处理腔室中供应包含清洁气体的清洁等离子；及在该清洁处理期间以小于该第一流率的一第二流率供应该惰性稀释气体至该泵抽排气系统。

79. 发明专利

TW201820937A 用於監視電漿處理系統與先進製程及工具控制的方法及系統审中-公开
简体标题：用于监视等离子处理系统与雪铁龙制程及工具控制的方法及系统
公开(公告)号：TW201820937A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：TW106125661
申请日：2017-07-31
申请人：美商蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：古思喬理查亞倫 , GOTTSCHO, RICHARD ALAN
IPC分类号： H05H1/42 , H01L21/3065
摘要：用於操作電漿處理腔室的方法和系統係加以提供。一示例方法包含在真空下在電漿處理腔室內處理一基板。該基板之該處理產生黏附至在該電漿處理腔室之內部區域內之表面的微粒殘留物。該方法包含特徵化該基板之該處理的效能，及在沒有破壞該真空的情況下，在處理該基板之後檢查該電漿處理腔室的內部區域。該檢查步驟係配置成識別在該電漿處理腔室之內部區域的一或多個表面上之該等微粒殘留物的特性。該檢查步驟包含獲得該一或多個表面的光學資料。該方法更包含產生一工具模型以將該基板的該處理之該特徵化的效能相關於該等特徵化的微粒殘留物。在一配置中，該工具模型係藉由重複該檢查複數次而加以最佳化。該工具模型係接著可用於後續檢查腔室的內部表面且提供閉迴路控制，以基於自該工具模型識別之配方的預期效能調整配方的至少一參數。
简体摘要：用于操作等离子处理腔室的方法和系统系加以提供。一示例方法包含在真空下在等离子处理腔室内处理一基板。该基板之该处理产生黏附至在该等离子处理腔室之内部区域内之表面的微粒残留物。该方法包含特征化该基板之该处理的性能，及在没有破坏该真空的情况下，在处理该基板之后检查该等离子处理腔室的内部区域。该检查步骤系配置成识别在该等离子处理腔室之内部区域的一或多个表面上之该等微粒残留物的特性。该检查步骤包含获得该一或多个表面的光学数据。该方法更包含产生一工具模型以将该基板的该处理之该特征化的性能相关于该等特征化的微粒残留物。在一配置中，该工具模型系借由重复该检查复数次而加以最优化。该工具模型系接着可用于后续检查腔室的内部表面且提供闭回路控制，以基于自该工具模型识别之配方的预期性能调整配方的至少一参数。

80. 发明专利

TW201817527A 用於電漿加強化學氣相沉積法加熱之噴淋頭的旋轉摩擦熔接胚料审中-公开
简体标题：用于等离子加强化学气相沉积法加热之喷淋头的旋转摩擦熔接胚料
公开(公告)号：TW201817527A
公开(公告)日：2018-05-16
申请号：TW106128207
申请日：2017-08-21
申请人：美商蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：馬德森艾瑞克 , MADSEN, ERIC , 克恩庫爾特 , KERN, KURT
IPC分类号： B23K20/10 , B23K20/24 , C23C16/455 , C23C16/505
摘要：用於處理基板的沉積設備包含真空腔室，該真空腔室包含基板可在其中加以處理的處理區域。噴淋頭組件包含桿部、面板、及背板，其中該桿部係加以旋轉摩擦熔接至該背板。當基板係在沉積設備內加以處理時，基板基座組件係配置成支撐在其上表面上的基板。
简体摘要：用于处理基板的沉积设备包含真空腔室，该真空腔室包含基板可在其中加以处理的处理区域。喷淋头组件包含杆部、皮肤、及背板，其中该杆部系加以旋转摩擦熔接至该背板。当基板系在沉积设备内加以处理时，基板基座组件系配置成支撑在其上表面上的基板。

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