专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

61. 发明专利

TW544946B X光檢測儀陣列單元的製作方法有权
简体标题： X光检测仪数组单元的制作方法
公开(公告)号：TW544946B
公开(公告)日：2003-08-01
申请号：TW091115600
申请日：2002-07-12
申请人：瀚宇彩晶股份有限公司
发明人：施博盛
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L31/115 , H01L27/14658
摘要：一種X光檢測儀陣列單元的製作方法，用以減少使用光罩數量。第一道微影蝕刻步驟係定義閘極於基底上。第二道微影蝕刻步驟係定義矽島於位在電晶體區的閘極絕緣層上。第三道微影蝕刻步驟係定義共同線於閘極絕緣層上，並且定義源/汲極於矽島上而構成薄膜電晶體(TFT)結構。第四道微影蝕刻步驟係定義畫素電極於平坦化層上。第五道微影蝕刻步驟係定義第一介層洞與第二介層洞穿透介電層與平坦化層，其中第一介層洞係露出源極的表面，第二介層洞係露出部分第一導體層的表面與部分共同線的表面。第六道微影蝕刻步驟係定義電荷收集電極於介電層上。
简体摘要：一种X光检测仪数组单元的制作方法，用以减少使用光罩数量。第一道微影蚀刻步骤系定义闸极于基底上。第二道微影蚀刻步骤系定义硅岛于位在晶体管区的闸极绝缘层上。第三道微影蚀刻步骤系定义共同线于闸极绝缘层上，并且定义源/汲极于硅岛上而构成薄膜晶体管(TFT)结构。第四道微影蚀刻步骤系定义像素电极于平坦化层上。第五道微影蚀刻步骤系定义第一介层洞与第二介层洞穿透介电层与平坦化层，其中第一介层洞系露出源极的表面，第二介层洞系露出部分第一导体层的表面与部分共同线的表面。第六道微影蚀刻步骤系定义电荷收集电极于介电层上。

62. 发明专利

TWI573255B 光檢測裝置有权
简体标题：光检测设备
公开(公告)号：TWI573255B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：TW101129605
申请日：2012-08-15
申请人：濱松赫德尼古斯股份有限公司 , HAMAMATSU PHOTONICS K.K.
发明人：永野輝昌 , NAGANO, TERUMASA , 細川暢郎 , HOSOKAWA, NOBURO , 鈴木智史 , SUZUKI, TOMOFUMI , 馬場隆 , BABA, TAKASHI
IPC分类号： H01L27/144
CPC分类号： H01L31/107 , G01J1/42 , G01T1/208 , H01L27/144 , H01L27/1443 , H01L27/14636 , H01L27/14643 , H01L27/14658 , H01L27/14663 , H01L28/20 , H01L31/02005 , H01L31/022408

63. 发明专利

TWI569435B 具有介電電荷捕捉裝置之影像感測器有权
简体标题：具有介电电荷捕捉设备之影像传感器
公开(公告)号：TWI569435B
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：TW103126489
申请日：2014-08-01
申请人：豪威科技股份有限公司 , OMNIVISION TECHNOLOGIES, INC.
发明人：席勒克歐蕊奧昆 , CELLEK, ORAY ORKUN , 楊大江 , YANG, DAJIANG , 胡信崇 , HU, SING-CHUNG , 奇迪索菲利浦約翰 , CIZDZIEL, PHILIP JOHN , 戴戴森H , TAI, DYSON H. , 陳剛 , CHEN, GANG , 楊存宇 , YANG, CUNYU , 林志強 , LIN, ZHIQIANG
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14645 , H01L27/1461 , H01L27/14612 , H01L27/14625 , H01L27/1464 , H01L27/14643 , H01L27/14649 , H01L27/14658 , H01L31/167

64. 发明专利

TW201705749A 使用雙閘極ＴＦＴ結構的設備及方法审中-公开
简体标题：使用双闸极ＴＦＴ结构的设备及方法
公开(公告)号：TW201705749A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：TW105109288
申请日：2016-03-24
申请人：保健潮流健康公司 , CARESTREAM HEALTH, INC.
发明人：穆斯顏加也華夫K , MRUTHYUNJAYA, RAVI K.
IPC分类号： H04N5/32 , H01L27/146 , H04N5/374 , G01T1/24
CPC分类号： H01L27/14609 , G01T1/247 , H01L27/14614 , H01L27/14632 , H01L27/14641 , H01L27/14658 , H01L27/14687 , H01L27/14692 , H04N5/32 , H04N5/3741
摘要：一種偵測器，其具有排列成行及列之像素之一陣列。該等像素中之每一者具有一光感測器及一開關裝置。每一對列相鄰像素中的開關裝置連接至一共同資料線及一共同底部閘極線。一對頂部閘極線各自連接至該對列相鄰像素中之一者。
简体摘要：一种侦测器，其具有排列成行及列之像素之一数组。该等像素中之每一者具有一光传感器及一开关设备。每一对列相邻像素中的开关设备连接至一共同数据线及一共同底部闸极线。一对顶部闸极线各自连接至该对列相邻像素中之一者。

65. 发明专利

TWI520315B 平面板Ｘ光成像器中之光電二極體及其他感測器結構及用於基於薄膜電子器件來改良平面板Ｘ光成像器中之光電二極體及其他感測器結構之拓撲一致性之方法有权
简体标题：平皮肤Ｘ光成像器中之光电二极管及其他传感器结构及用于基于薄膜电子器件来改良平皮肤Ｘ光成像器中之光电二极管及其他传感器结构之拓扑一致性之方法
公开(公告)号：TWI520315B
公开(公告)日：2016-02-01
申请号：TW099119799
申请日：2010-06-17
申请人：美國密西根州立大學 , THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF MICHIGAN
发明人：安東尼克賴瑞E , ANTONUK, LARRY E.
IPC分类号： H01L27/146 , G01T1/20 , G01T1/24
CPC分类号： G01T1/208 , G01T1/2018 , G01T1/241 , H01L27/14612 , H01L27/1462 , H01L27/14632 , H01L27/14636 , H01L27/14658 , H01L27/14663 , H01L27/14687 , H01L27/14689 , H01L31/105

66. 发明专利

TW201605034A 輻射感測器及其製法审中-公开
简体标题：辐射传感器及其制法
公开(公告)号：TW201605034A
公开(公告)日：2016-02-01
申请号：TW104135939
申请日：2010-06-17
申请人：美國密西根州立大學 , THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF MICHIGAN
发明人：安東尼克賴瑞E , ANTONUK, LARRY E.
IPC分类号： H01L27/146 , G01T1/20 , G01T1/24
CPC分类号： G01T1/208 , G01T1/2018 , G01T1/241 , H01L27/14612 , H01L27/1462 , H01L27/14632 , H01L27/14636 , H01L27/14658 , H01L27/14663 , H01L27/14687 , H01L27/14689 , H01L31/105
摘要：一種輻射感測器包括：一閃爍層，該閃爍層經組態以在與電離輻射相互作用時發射光子；及一光偵測器，其按次序包括一第一電極、一感光層，及接近於該閃爍層而安置之一可透射光子之第二電極。該感光層經組態以在與該等光子之一部分相互作用時產生電子電洞對。該輻射感測器包括：像素電路，其電連接至該第一電極且經組態以量測指示在該感光層中所產生之該等電子電洞對之一成像信號；及一平坦化層，其安置於該像素電路上在該第一電極與該像素電路之間，以使得該第一電極高於包括該像素電路之一平面。該第一電極及該第二電極中之至少一者之一表面至少部分地重疊於該像素電路，且具有高於該像素電路之特徵之一表面反曲。該表面反曲具有大於1/2微米之曲率半徑。
简体摘要：一种辐射传感器包括：一闪烁层，该闪烁层经组态以在与电离辐射相互作用时发射光子；及一光侦测器，其按次序包括一第一电极、一感光层，及接近于该闪烁层而安置之一可透射光子之第二电极。该感光层经组态以在与该等光子之一部分相互作用时产生电子电洞对。该辐射传感器包括：像素电路，其电连接至该第一电极且经组态以量测指示在该感光层中所产生之该等电子电洞对之一成像信号；及一平坦化层，其安置于该像素电路上在该第一电极与该像素电路之间，以使得该第一电极高于包括该像素电路之一平面。该第一电极及该第二电极中之至少一者之一表面至少部分地重叠于该像素电路，且具有高于该像素电路之特征之一表面反曲。该表面反曲具有大于1/2微米之曲率半径。

67. 发明专利

TW201539728A 具有介電電荷捕捉裝置之影像感測器审中-公开
简体标题：具有介电电荷捕捉设备之影像传感器
公开(公告)号：TW201539728A
公开(公告)日：2015-10-16
申请号：TW103126489
申请日：2014-08-01
申请人：豪威科技股份有限公司 , OMNIVISION TECHNOLOGIES, INC.
发明人：席勒克歐蕊奧昆 , CELLEK, ORAY ORKUN , 楊大江 , YANG, DAJIANG , 胡信崇 , HU, SING-CHUNG , 奇迪索菲利浦約翰 , CIZDZIEL, PHILIP JOHN , 戴戴森H , TAI, DYSON H. , 陳剛 , CHEN, GANG , 楊存宇 , YANG, CUNYU , 林志強 , LIN, ZHIQIANG
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14645 , H01L27/1461 , H01L27/14612 , H01L27/14625 , H01L27/1464 , H01L27/14643 , H01L27/14649 , H01L27/14658 , H01L31/167
摘要：本發明揭示一種影像感測器像素，其包含一光敏元件、一浮動擴散區域、一轉移閘極、一介電電荷捕捉區域及一第一金屬接觸件。該光敏元件佈置在一半導體層中以接收沿著一垂直軸之電磁輻射。該浮動擴散區域佈置在該半導體層中，而該轉移閘極佈置在該半導體層上以控制該光敏元件中產生之電荷至該浮動擴散區域之一流動。介電電荷捕捉裝置佈置在該半導體層上以接收沿著該垂直軸之電磁輻射且回應於該電磁輻射捕捉電荷。該介電電荷捕捉裝置經進一步組態以回應於該所捕捉之電荷在該光敏元件中引致電荷。該第一金屬接觸件耦合至該介電電荷捕捉裝置以向該介電電荷捕捉裝置提供一第一偏壓。
简体摘要：本发明揭示一种影像传感器像素，其包含一光敏组件、一浮动扩散区域、一转移闸极、一介电电荷捕捉区域及一第一金属接触件。该光敏组件布置在一半导体层中以接收沿着一垂直轴之电磁辐射。该浮动扩散区域布置在该半导体层中，而该转移闸极布置在该半导体层上以控制该光敏组件中产生之电荷至该浮动扩散区域之一流动。介电电荷捕捉设备布置在该半导体层上以接收沿着该垂直轴之电磁辐射且回应于该电磁辐射捕捉电荷。该介电电荷捕捉设备经进一步组态以回应于该所捕捉之电荷在该光敏组件中引致电荷。该第一金属接触件耦合至该介电电荷捕捉设备以向该介电电荷捕捉设备提供一第一偏压。

68. 发明专利

TWI427316B 放射線檢測器失效
简体标题：放射线检测器
公开(公告)号：TWI427316B
公开(公告)日：2014-02-21
申请号：TW099133643
申请日：2010-10-04
申请人：島津製作所股份有限公司 , SHIMADZU CORPORATION
发明人：佐藤賢治 , SATO, KENJI , 辻久男 , TSUJI, HISAO , 佐佐木理 , SASAKI, OSAMU , 村上大輔 , MURAKAMI, DAISUKE , 山口庸一 , YAMAGUCHI, YOICHI , 山本武史 , YAMAMOTO, TAKESHI , 岸本榮俊 , KISHIMOTO, HIDETOSHI
IPC分类号： G01T1/24 , H01L27/14
CPC分类号： G01T1/244 , H01L27/14618 , H01L27/14658 , H01L27/14676 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

69. 发明专利

TWI404201B 具有電子透鏡之光偵測器陣列有权
简体标题：具有电子透镜之光侦测器数组
公开(公告)号：TWI404201B
公开(公告)日：2013-08-01
申请号：TW098144249
申请日：2009-12-22
申请人：豪威科技股份有限公司 , OMNIVISION TECHNOLOGIES, INC.
发明人：凡尼賈文生 , VENEZIA, VINCENT , 貿伊都力 , MAO, DULI , 泰戴森 , TAI, DYSON , 錢胤 , QIAN, YIN
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14658 , H01L27/14627 , H01L27/14678 , H01L27/14685

70. 发明专利

TW201318154A 光檢測裝置审中-公开
简体标题：光检测设备
公开(公告)号：TW201318154A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：TW101129610
申请日：2012-08-15
申请人：濱松赫德尼古斯股份有限公司 , HAMAMATSU PHOTONICS K.K.
发明人：永野輝昌 , NAGANO, TERUMASA , 細川暢郎 , HOSOKAWA, NOBURO , 鈴木智史 , SUZUKI, TOMOFUMI , 馬場隆 , BABA, TAKASHI
IPC分类号： H01L27/144
CPC分类号： H01L27/14643 , H01L27/1446 , H01L27/14618 , H01L27/14636 , H01L27/14658 , H01L31/107
摘要：本發明之光檢測裝置1包括：半導體光檢測元件10A，其包含半導體基板1N；及搭載基板20，其與半導體光檢測元件10對向配置。半導體光檢測元件10A包含：複數個雪崩光電二極體APD，其以蓋革模式動作並且形成於半導體基板1N內；及電極E7，其相對於各雪崩光電二極體APD電性連接並且配置於半導體基板1N之主面1Nb側。搭載基板20包含：複數個電極E9，其對應於每個電極E7而配置於主面20a側；及滅弧電阻R1，其相對於各電極E9電性連接並且配置於主面20a側。電極E7與電極E9經由凸塊電極BE而連接。
简体摘要：本发明之光检测设备1包括：半导体光检测组件10A，其包含半导体基板1N；及搭载基板20，其与半导体光检测组件10对向配置。半导体光检测组件10A包含：复数个雪崩光电二极管APD，其以盖革模式动作并且形成于半导体基板1N内；及电极E7，其相对于各雪崩光电二极管APD电性连接并且配置于半导体基板1N之主面1Nb侧。搭载基板20包含：复数个电极E9，其对应于每个电极E7而配置于主面20a侧；及灭弧电阻R1，其相对于各电极E9电性连接并且配置于主面20a侧。电极E7与电极E9经由凸块电极BE而连接。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式