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1. 发明专利

TW201717370A 光檢測裝置审中-公开
简体标题：光检测设备
公开(公告)号：TW201717370A
公开(公告)日：2017-05-16
申请号：TW105139293
申请日：2012-08-15
申请人：濱松赫德尼古斯股份有限公司 , HAMAMATSU PHOTONICS K.K.
发明人：永野輝昌 , NAGANO, TERUMASA , 細川暢郎 , HOSOKAWA, NOBURO , 鈴木智史 , SUZUKI, TOMOFUMI , 馬場隆 , BABA, TAKASHI
IPC分类号： H01L27/144
CPC分类号： H01L27/14643 , H01L27/1446 , H01L27/14618 , H01L27/14636 , H01L27/14658 , H01L31/107
摘要：本發明之光檢測裝置1包括：半導體光檢測元件10A，其包含半導體基板1N；及搭載基板20，其與半導體光檢測元件10對向配置。半導體光檢測元件10A包含：複數個雪崩光電二極體APD，其以蓋革模式動作並且形成於半導體基板1N內；及電極E7，其相對於各雪崩光電二極體APD電性連接並且配置於半導體基板1N之主面1Nb側。搭載基板20包含：複數個電極E9，其對應於每個電極E7而配置於主面20a側；及滅弧電阻R1，其相對於各電極E9電性連接並且配置於主面20a側。電極E7與電極E9經由凸塊電極BE而連接。
简体摘要：本发明之光检测设备1包括：半导体光检测组件10A，其包含半导体基板1N；及搭载基板20，其与半导体光检测组件10对向配置。半导体光检测组件10A包含：复数个雪崩光电二极管APD，其以盖革模式动作并且形成于半导体基板1N内；及电极E7，其相对于各雪崩光电二极管APD电性连接并且配置于半导体基板1N之主面1Nb侧。搭载基板20包含：复数个电极E9，其对应于每个电极E7而配置于主面20a侧；及灭弧电阻R1，其相对于各电极E9电性连接并且配置于主面20a侧。电极E7与电极E9经由凸块电极BE而连接。

2. 发明专利

TWI514556B 畫素陣列基板及檢測模組有权
简体标题：像素数组基板及检测模块
公开(公告)号：TWI514556B
公开(公告)日：2015-12-21
申请号：TW100128420
申请日：2011-08-09
申请人：群創光電股份有限公司 , INNOLUX CORPORATION
发明人：陳宇珩 , CHEN, YU HEING
IPC分类号： H01L27/146 , H01L31/0248
CPC分类号： H01L27/14658

3. 发明专利

TWI505451B 共平面高填充係數像素架構有权
简体标题：共平面高填充系数像素架构
公开(公告)号：TWI505451B
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：TW099139602
申请日：2010-11-17
申请人：保健潮流健康公司 , CARESTREAM HEALTH, INC.
发明人：章傑夫辛 , CHANG, JEFF HSIN , 崔德沃提摩西J , TREDWELL, TIMOTHY J. , 海勒葛列高里N , HEILER, GREGORY N.
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14658 , H01L27/14603 , H01L27/14609 , H01L27/14612 , H01L27/14636 , H01L27/14659 , H01L31/022408

4. 发明专利

TWI501413B 光電轉換裝置及射線成像裝置有权
简体标题：光电转换设备及射线成像设备
公开(公告)号：TWI501413B
公开(公告)日：2015-09-21
申请号：TW099118796
申请日：2010-06-09
申请人：新力股份有限公司 , SONY CORPORATION
发明人：田中勉 , TANAKA, TSUTOMU
IPC分类号： H01L31/10 , H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14632 , G01T1/24 , H01L25/167 , H01L27/146 , H01L27/14623 , H01L27/14643 , H01L27/14658 , H01L27/14663 , H01L27/14687 , H01L31/105 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

5. 发明专利

TWI459931B Ｘ光攝像裝置有权
简体标题：Ｘ光摄像设备
公开(公告)号：TWI459931B
公开(公告)日：2014-11-11
申请号：TW099108567
申请日：2010-03-23
申请人：濱松赫德尼古斯股份有限公司 , HAMAMATSU PHOTONICS K.K.
发明人：高木慎一郎 , TAKAGI, SHIN-ICHIRO , 米田康人 , YONETA, YASUHITO , 鈴木久則 , SUZUKI, HISANORI , 村松雅治 , MURAMATSU, MASAHARU , 常深博 , TSUNEMI, HIROSHI , 鶴剛 , TSURU, TAKESHI , 堂谷忠靖 , DOTANI, TADAYASU , 幸村孝由 , KOHMURA, TAKAYOSHI
IPC分类号： A61B6/00 , G01T1/24
CPC分类号： G01T1/244 , H01L27/14618 , H01L27/14623 , H01L27/14658 , H01L31/02164 , H01L31/115 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

6. 发明专利

TW201318152A 光檢測裝置审中-公开
简体标题：光检测设备
公开(公告)号：TW201318152A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：TW101129605
申请日：2012-08-15
申请人：濱松赫德尼古斯股份有限公司 , HAMAMATSU PHOTONICS K.K.
发明人：永野輝昌 , NAGANO, TERUMASA , 細川暢郎 , HOSOKAWA, NOBURO , 鈴木智史 , SUZUKI, TOMOFUMI , 馬場隆 , BABA, TAKASHI
IPC分类号： H01L27/144
CPC分类号： H01L31/107 , G01J1/42 , G01T1/208 , H01L27/144 , H01L27/1443 , H01L27/14636 , H01L27/14643 , H01L27/14658 , H01L27/14663 , H01L28/20 , H01L31/02005 , H01L31/022408
摘要：本發明之半導體光檢測元件10包含：複數個雪崩光電二極體APD，其以蓋革模式動作並且形成於半導體基板1N內；滅弧電阻R1，其相對於各雪崩光電二極體APD串列連接並且配置於半導體基板1N之主面1Na側；及複數個貫通電極TE，其與滅弧電阻R1電性連接且自主面1Na側至主面1Nb側為止貫通半導體基板1N而形成。搭載基板20包含對應於每個貫通電極TE而配置於主面20a側之複數個電極E9。貫通電極TE與電極E9經由凸塊電極BE而電性連接，且半導體基板1N之側面1Nc與玻璃基板30之側面30c為同一平面。
简体摘要：本发明之半导体光检测组件10包含：复数个雪崩光电二极管APD，其以盖革模式动作并且形成于半导体基板1N内；灭弧电阻R1，其相对于各雪崩光电二极管APD串行连接并且配置于半导体基板1N之主面1Na侧；及复数个贯通电极TE，其与灭弧电阻R1电性连接且自主面1Na侧至主面1Nb侧为止贯通半导体基板1N而形成。搭载基板20包含对应于每个贯通电极TE而配置于主面20a侧之复数个电极E9。贯通电极TE与电极E9经由凸块电极BE而电性连接，且半导体基板1N之侧面1Nc与玻璃基板30之侧面30c为同一平面。

7. 发明专利

TW201308610A 薄膜電晶體及其製造方法、顯示裝置、影像傳感器、Ｘ線傳感器以及Ｘ線數位攝影裝置审中-公开
简体标题：薄膜晶体管及其制造方法、显示设备、影像传感器、Ｘ线传感器以及Ｘ线数码摄影设备
公开(公告)号：TW201308610A
公开(公告)日：2013-02-16
申请号：TW101127463
申请日：2012-07-30
申请人：富士軟片股份有限公司 , FUJIFILM CORPORATION
发明人：小野雅司 , ONO, MASASHI , 高田真宏 , TAKATA, MASAHIRO , 鈴木真之 , SUZUKI, MASAYUKI , 田中淳 , TANAKA, ATSUSHI
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/7869 , C23C14/08 , C23C14/086 , C23C14/3464 , G02F1/1368 , G02F2001/13685 , H01L21/02381 , H01L21/02488 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L27/14658 , H01L27/3262
摘要：薄膜電晶體包括：閘極電極；閘極絕緣膜，與上述閘極電極接觸；氧化物半導體層，其包括第1區域以及第2區域，並且經由上述閘極絕緣膜而與上述閘極電極對向配置，上述第1區域以In(x)Zn(1-x)O(y)(0.4≦x≦0.5、y＞0)表示，上述第2區域以In(a)Ga(b)Zn(c)O(d)(b/(a+b)＞0.250、c＞0、d＞0)表示，且相對於上述閘極電極而位於較上述第1區域更遠的位置；源極電極及汲極電極，其相互隔開配置，並且可經由上述氧化物半導體層而導通。
简体摘要：薄膜晶体管包括：闸极电极；闸极绝缘膜，与上述闸极电极接触；氧化物半导体层，其包括第1区域以及第2区域，并且经由上述闸极绝缘膜而与上述闸极电极对向配置，上述第1区域以In(x)Zn(1-x)O(y)(0.4≦x≦0.5、y＞0)表示，上述第2区域以In(a)Ga(b)Zn(c)O(d)(b/(a+b)＞0.250、c＞0、d＞0)表示，且相对于上述闸极电极而位于较上述第1区域更远的位置；源极电极及汲极电极，其相互隔开配置，并且可经由上述氧化物半导体层而导通。

8. 发明专利

TW200832689A 具減少耦合量的高填入因數感測器 HIGH FILL-FACTOR SENSOR WITH REDUCED COUPLING 审中-公开
简体标题：具减少耦合量的高填入因子传感器 HIGH FILL-FACTOR SENSOR WITH REDUCED COUPLING
公开(公告)号：TW200832689A
公开(公告)日：2008-08-01
申请号：TW096132657
申请日：2007-08-31
申请人：保健潮流健康公司 CARESTREAM HEALTH, INC.
发明人：葛列高里N 海勒 HEILER, GREGORY N. , 提摩西約翰崔德沃 TREDWELL, TIMOTHY JOHN , 馬克D 貝齊 BEDZYK, MARK D. , 羅傑S 克爾 KERR, ROGER S. , 猶理維格蘭寧柯 VYGRANENKO, YURIY , 丹尼斯史崔亞齊雷 STRIAKHILEV, DENIS , 洪永泰 HONG, YONGTAEK , 傑克森C 賴 LAI, JACKSON C. , 阿羅奇亞納桑 NATHAN, AROKIA
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/14658
摘要：一光感測器陣列包括資料線及掃描線(124,148)、形成於一基板(102)上之一背面(110)中之每一資料線/掃描線對的電路。在一第一電極掃描線(148)上,一開關元件(112)回應一掃描信號,從而將一第一端子(106)連接至一第二端子(108)。一前面(120)具有多個感測元件(122),該等元件指示對一接收之刺激之量測且包括一電荷收集電極(130)。一安置在該背面(110)與該前面(120)之間的絕緣層(140)含有至少一第一通路(136),該第一通路將該背面(110)中之該開關元件(112)的該第一端子(108)連接至該前面(120)中之該感測元件(122)之一電荷收集電極(130)。一第二通路(126)連接在該開關元件(112)之第二端子(108)與該資料線(124)之間。
简体摘要：一光传感器数组包括数据线及扫描线(124,148)、形成于一基板(102)上之一背面(110)中之每一数据线/扫描线对的电路。在一第一电极扫描线(148)上,一开关组件(112)回应一扫描信号,从而将一第一端子(106)连接至一第二端子(108)。一前面(120)具有多个传感组件(122),该等组件指示对一接收之刺激之量测且包括一电荷收集电极(130)。一安置在该背面(110)与该前面(120)之间的绝缘层(140)含有至少一第一通路(136),该第一通路将该背面(110)中之该开关组件(112)的该第一端子(108)连接至该前面(120)中之该传感组件(122)之一电荷收集电极(130)。一第二通路(126)连接在该开关组件(112)之第二端子(108)与该数据线(124)之间。

9. 发明专利

TWI298947B 固態成像裝置及製造該裝置之方法 SOLID-STATE IMAGING DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME 有权
简体标题：固态成像设备及制造该设备之方法 SOLID-STATE IMAGING DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
公开(公告)号：TWI298947B
公开(公告)日：2008-07-11
申请号：TW093133655
申请日：2004-11-04
申请人：新力股份有限公司 SONY CORPORATION
发明人：丸山康 MARUYAMA, YASUSHI , 阿部秀司 ABE, HIDESHI , 森裕之 MORI, HIROYUKI
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/14645 , H01L27/14621 , H01L27/14625 , H01L27/14627 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/14643 , H01L27/14658 , H01L27/14683 , H01L27/14685 , H01L27/14689
摘要：本發明係關於一種固態成像裝置,其具有一高感光度及
一形成小型化像素之結構;且係關於一種製造該固態成像
裝置之方法,在該固態成像裝置中介面穩定、光譜特性優
良且該固態成像裝置可以高良品率來製造。
該固態成像裝置包括至少一形成有一光感應器部分之矽
層及一形成於該矽層之前表面側上的佈線層,且其中使光L
自與該矽層之前表面側相對之後表面側進入,且矽層4之厚
度為10��m或更小。並且,製造該固態成像裝置之方法至少
包括以下步驟:在一疊層基板之矽層中形成一光感應器部
分之半導體區域,在該疊層基板中將一矽基板、一中間層
及一矽層層疊;將一第一支撐基板貼合於該矽層上;移除
該矽基板及該中間層;其後於該矽層上形成一佈線部分;
將一第二支撐基板貼合於該佈線部分之上,並移除該第一
支撐基板以暴露出該矽層。
简体摘要：本发明系关于一种固态成像设备,其具有一高感光度及一形成小型化像素之结构;且系关于一种制造该固态成像设备之方法,在该固态成像设备中界面稳定、光谱特性优良且该固态成像设备可以高良品率来制造。该固态成像设备包括至少一形成有一光感应器部分之硅层及一形成于该硅层之前表面侧上的布线层,且其中使光L 自与该硅层之前表面侧相对之后表面侧进入,且硅层4之厚度为10��m或更小。并且,制造该固态成像设备之方法至少包括以下步骤:在一叠层基板之硅层中形成一光感应器部分之半导体区域,在该叠层基板中将一硅基板、一中间层及一硅层层叠;将一第一支撑基板贴合于该硅层上;移除该硅基板及该中间层;其后于该硅层上形成一布线部分; 将一第二支撑基板贴合于该布线部分之上,并移除该第一支撑基板以暴露出该硅层。

10. 发明专利

TW200814309A 輻射線成像裝置及輻射線成像系統 RADIATION IMAGING APPARATUS AND RADIATION IMAGING SYSTEM 审中-公开
简体标题：辐射线成像设备及辐射线成像系统 RADIATION IMAGING APPARATUS AND RADIATION IMAGING SYSTEM
公开(公告)号：TW200814309A
公开(公告)日：2008-03-16
申请号：TW096120554
申请日：2007-06-07
申请人：佳能股份有限公司 CANON KABUSHIKI KAISHA
发明人：望月千織 MOCHIZUKI, CHIORI , 渡邊實 WATANABE, MINORU , 石井孝昌 ISHII, TAKAMASA , 森下正和 MORISHITA, MASAKAZU
IPC分类号： H01L , G01T
CPC分类号： G01T1/241 , H01L27/14632 , H01L27/14658 , H01L27/14659 , H01L27/14663
摘要：一種輻射線成像裝置,包含像素區域,位於基板100上,包括配置成矩陣之複數個像素,各像素具有將輻射線轉換成電荷的轉換元件101,及連接至轉換元件101的切換元件102。轉換元件101具有上電極層119、下電極層115、配置於上電極層119與下電極層115之間的半導體層117。上電極層119或下電極層115具有至少位於配置半導體層117的區域內之開口200。
简体摘要：一种辐射线成像设备,包含像素区域,位于基板100上,包括配置成矩阵之复数个像素,各像素具有将辐射线转换成电荷的转换组件101,及连接至转换组件101的切换组件102。转换组件101具有上电极层119、下电极层115、配置于上电极层119与下电极层115之间的半导体层117。上电极层119或下电极层115具有至少位于配置半导体层117的区域内之开口200。

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