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    • 63. 发明专利
    • 有機金屬化合物,彼之製法與應用方法 ORGANOMETALLIC COMPOUNDS, PROCESSES AND METHODS OF USE
    • 有机金属化合物,彼之制法与应用方法 ORGANOMETALLIC COMPOUNDS, PROCESSES AND METHODS OF USE
    • TW200948820A
    • 2009-12-01
    • TW098101527
    • 2009-01-16
    • 普雷瑟科技股份有限公司英特爾股份有限公司
    • 湯普森 大衛吉瑞 瓊恩拉瓦 亞卓安多明蓋茲 瓊安
    • C07FC23CH01L
    • C07F15/0046
    • 本發明係關於具有式(L1)yM(L2)z之有機金屬化合物,其中M是金屬或類金屬,L1係相同或不同且為:(i)經取代或未經取代陰離子性4電子供體配位子,或(ii)經取代或未經取代之具有懸垂的中性2電子供體部分之陰離子性4電子供體配位子,L2係相同或不同且為:(i)經取代或未經取代陰離子性2電子供體配位子,或(ii)經取代或未經取代中性2電子供體配位子;y是整數2;及z是0至2之整數;及其中M的氧化數與L1及L2之電荷的總合等於0;本發明亦關於一種製備有機金屬化合物之方法,以及一種從有機金屬化合物製造膜或塗層之方法。有機金屬化合物係在半導體應用中作為用於膜沈積之化學氣相或原子層沈積先質。
    • 本发明系关于具有式(L1)yM(L2)z之有机金属化合物,其中M是金属或类金属,L1系相同或不同且为:(i)经取代或未经取代阴离子性4电子供体配位子,或(ii)经取代或未经取代之具有悬垂的中性2电子供体部分之阴离子性4电子供体配位子,L2系相同或不同且为:(i)经取代或未经取代阴离子性2电子供体配位子,或(ii)经取代或未经取代中性2电子供体配位子;y是整数2;及z是0至2之整数;及其中M的氧化数与L1及L2之电荷的总合等于0;本发明亦关于一种制备有机金属化合物之方法,以及一种从有机金属化合物制造膜或涂层之方法。有机金属化合物系在半导体应用中作为用于膜沉积之化学气相或原子层沉积先质。
    • 65. 发明专利
    • 由聚合物與陶瓷之混合物製成之靜電吸盤 POLYCERAMIC E-CHUCK
    • 由聚合物与陶瓷之混合物制成之静电吸盘 POLYCERAMIC E-CHUCK
    • TW200915473A
    • 2009-04-01
    • TW097120940
    • 2008-06-05
    • 普雷瑟科技股份有限公司 PRAXAIR TECHNOLOGY, INC.
    • 馬慕德 奈姆 NAIM, MAHMOOD
    • H01L
    • H02N13/00H01J2237/2007H01L21/67109H01L21/6831H01L21/6875H01L21/68757Y10T279/23
    • 本發明揭示一種用於夾持工作基底之靜電夾頭,該夾頭包含三層,其中選擇所包括之非導電層的介電常數以提供整體較低之電容予夾頭。在本發明之夾頭組合中,與基底(例如晶圓)接觸之介電頂層具有較佳大於約5之介電常數,且電阻率較佳大於約1E6 ohm.m,然而,介電底層具有較佳少於約5之介電常數及較佳大於約1E10 ohm.m之電阻率。中間層較佳具有電阻率少於約1 ohm.m之導電層。靜電夾頭可以結合至塗覆有抗電弧介電材料之熱槽(sink)。熱槽也可作為RF電極。熱槽可以提供冷卻劑及氣體通道以饋送冷卻用氣體至晶圓背面。熱槽可以具有送料直通以將動力供給靜電夾頭中之分段的電極。用於送料直通之通道、氣體送料孔及舉針(lift pins)可用陶瓷或聚合物作襯裡以防止任何放電至熱槽。靜電夾頭是用以夾持工作基底,例如半導體工具中所用之Si、GaAs、SiO2等。
    • 本发明揭示一种用于夹持工作基底之静电夹头,该夹头包含三层,其中选择所包括之非导电层的介电常数以提供整体较低之电容予夹头。在本发明之夹头组合中,与基底(例如晶圆)接触之介电顶层具有较佳大于约5之介电常数,且电阻率较佳大于约1E6 ohm.m,然而,介电底层具有较佳少于约5之介电常数及较佳大于约1E10 ohm.m之电阻率。中间层较佳具有电阻率少于约1 ohm.m之导电层。静电夹头可以结合至涂覆有抗电弧介电材料之热槽(sink)。热槽也可作为RF电极。热槽可以提供冷却剂及气体信道以馈送冷却用气体至晶圆背面。热槽可以具有送料直通以将动力供给静电夹头中之分段的电极。用于送料直通之信道、气体送料孔及举针(lift pins)可用陶瓷或聚合物作衬里以防止任何放电至热槽。静电夹头是用以夹持工作基底,例如半导体工具中所用之Si、GaAs、SiO2等。