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1. 发明专利

TW200948820A 有機金屬化合物，彼之製法與應用方法 ORGANOMETALLIC COMPOUNDS, PROCESSES AND METHODS OF USE 审中-公开
简体标题：有机金属化合物，彼之制法与应用方法 ORGANOMETALLIC COMPOUNDS, PROCESSES AND METHODS OF USE
公开(公告)号：TW200948820A
公开(公告)日：2009-12-01
申请号：TW098101527
申请日：2009-01-16
申请人：普雷瑟科技股份有限公司 , 英特爾股份有限公司
发明人：湯普森大衛 , 吉瑞瓊恩 , 拉瓦亞卓安 , 多明蓋茲瓊安
IPC分类号： C07F , C23C , H01L
CPC分类号： C07F15/0046
摘要：本發明係關於具有式(L1)yM(L2)z之有機金屬化合物，其中M是金屬或類金屬，L1係相同或不同且為：（i）經取代或未經取代陰離子性4電子供體配位子，或（ii）經取代或未經取代之具有懸垂的中性2電子供體部分之陰離子性4電子供體配位子，L2係相同或不同且為：（i）經取代或未經取代陰離子性2電子供體配位子，或（ii）經取代或未經取代中性2電子供體配位子；y是整數2；及z是0至2之整數；及其中M的氧化數與L1及L2之電荷的總合等於0；本發明亦關於一種製備有機金屬化合物之方法，以及一種從有機金屬化合物製造膜或塗層之方法。有機金屬化合物係在半導體應用中作為用於膜沈積之化學氣相或原子層沈積先質。
简体摘要：本发明系关于具有式(L1)yM(L2)z之有机金属化合物，其中M是金属或类金属，L1系相同或不同且为：（i）经取代或未经取代阴离子性4电子供体配位子，或（ii）经取代或未经取代之具有悬垂的中性2电子供体部分之阴离子性4电子供体配位子，L2系相同或不同且为：（i）经取代或未经取代阴离子性2电子供体配位子，或（ii）经取代或未经取代中性2电子供体配位子；y是整数2；及z是0至2之整数；及其中M的氧化数与L1及L2之电荷的总合等于0；本发明亦关于一种制备有机金属化合物之方法，以及一种从有机金属化合物制造膜或涂层之方法。有机金属化合物系在半导体应用中作为用于膜沉积之化学气相或原子层沉积先质。

2. 发明专利

TW200948819A 有機金屬化合物，彼之製法與應用方法 ORGANOMETALLIC COMPOUNDS, PROCESSES AND METHODS OF USE 审中-公开
简体标题：有机金属化合物，彼之制法与应用方法 ORGANOMETALLIC COMPOUNDS, PROCESSES AND METHODS OF USE
公开(公告)号：TW200948819A
公开(公告)日：2009-12-01
申请号：TW098101526
申请日：2009-01-16
申请人：普雷瑟科技股份有限公司 , 英特爾股份有限公司
发明人：湯普森大衛 , 吉瑞瓊恩 , 拉瓦亞卓安 , 多明蓋茲瓊安
IPC分类号： C07F , C23C
CPC分类号： C07F15/0046
摘要：本發明係關於具有式（L1）M（L2）y之有機金屬化合物，其中M是金屬或類金屬，L1是經取代或未經取代陰離子性6電子供體配位子，L2係相同或不同且為：（i）經取代或未經取代陰離子性2電子供體配位子，（ii）經取代或未經取代陰離子性4電子供體配位子，（iii）經取代或未經取代中性2電子供體配位子，或（iv）具有懸垂的中性2電子供體部分之經取代或未經取代陰離子性4電子供體配位子，及y為1至3之整數，及其中M的氧化數與L1及L2之電荷的總合等於0；以及關於一種製備有機金屬化合物之方法，及一種從有機金屬化合物製造膜或塗層之方法。有機金屬化合物係在半導體應用中作為用於膜沈積之化學氣相或原子層沈積先質。
简体摘要：本发明系关于具有式（L1）M（L2）y之有机金属化合物，其中M是金属或类金属，L1是经取代或未经取代阴离子性6电子供体配位子，L2系相同或不同且为：（i）经取代或未经取代阴离子性2电子供体配位子，（ii）经取代或未经取代阴离子性4电子供体配位子，（iii）经取代或未经取代中性2电子供体配位子，或（iv）具有悬垂的中性2电子供体部分之经取代或未经取代阴离子性4电子供体配位子，及y为1至3之整数，及其中M的氧化数与L1及L2之电荷的总合等于0；以及关于一种制备有机金属化合物之方法，及一种从有机金属化合物制造膜或涂层之方法。有机金属化合物系在半导体应用中作为用于膜沉积之化学气相或原子层沉积先质。

3. 发明专利

TW200948818A 有機金屬化合物，彼之製法與應用方法 ORGANOMETALLIC COMPOUNDS, PROCESSES AND METHODS OF USE 审中-公开
简体标题：有机金属化合物，彼之制法与应用方法 ORGANOMETALLIC COMPOUNDS, PROCESSES AND METHODS OF USE
公开(公告)号：TW200948818A
公开(公告)日：2009-12-01
申请号：TW098101525
申请日：2009-01-16
申请人：普雷瑟科技股份有限公司 , 英特爾股份有限公司
发明人：湯普森大衛 , 吉瑞瓊恩 , 拉瓦亞卓安 , 多明蓋茲瓊安
IPC分类号： C07F , C23C , H01L
CPC分类号： C07F15/0046
摘要：本發明係關於具有式L1ML2之有機金屬化合物，其中M是金屬或類金屬，L1是經取代或未經取代6電子供體陰離子性配位子，及L2是經取代或未經取代6電子供體陰離子性配位子，其中L1及L2係相同或不同，並且關於一種製備有機金屬化合物之方法，以及一種自該有機金屬化合物製造膜或塗層之方法。該有機金屬化合物在半導體應用中用作膜沉積之化學氣相或原子層沉積先質。
简体摘要：本发明系关于具有式L1ML2之有机金属化合物，其中M是金属或类金属，L1是经取代或未经取代6电子供体阴离子性配位子，及L2是经取代或未经取代6电子供体阴离子性配位子，其中L1及L2系相同或不同，并且关于一种制备有机金属化合物之方法，以及一种自该有机金属化合物制造膜或涂层之方法。该有机金属化合物在半导体应用中用作膜沉积之化学气相或原子层沉积先质。

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