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    • 59. 发明专利
    • 具改良之容差及簡化製程之積體薄膜金屬電阻
    • 具改良之容差及简化制程之积体薄膜金属电阻
    • TW425579B
    • 2001-03-11
    • TW088111519
    • 1999-07-13
    • 摩托羅拉公司
    • 葛瑞羅利J.唐恩喬唯卡沙唯克亞麗森布勒
    • H01C
    • H05K1/167G03F7/00H01C17/07H05K3/0023H05K3/025H05K3/048H05K3/386H05K2201/0317H05K2201/09881H05K2203/0152H05K2203/1461
    • 一種製造具有預定製程及維度特性之電阻器(12)及特別金屬電阻膜(14)之微電子總成之方法。該方法通常包含施用光敏性電介質至基板(18)形成介電層(20)。介電層經光成像而聚合介電層之第一部分(22)於基板之第一區上,留下介電層之其餘部分(24)未聚合。然後施加電阻膜(28)至介電層,及介電層經顯像而同時去除其未聚合部分以及光阻膜之覆於未聚合部分上方部分,因此光阻膜之保留於第二部分上方部分形成電阻器。另一種製程順序係於介電層曝光於照射之前施加光阻膜,然後經由電阻膜曝光介電層。電阻膜較佳為多層膜其包括一電阻層(28)如鎳-磷,鎳-鉻或其它含線合金及一保護性襯層(30)如銅層。
    • 一种制造具有预定制程及维度特性之电阻器(12)及特别金属电阻膜(14)之微电子总成之方法。该方法通常包含施用光敏性电介质至基板(18)形成介电层(20)。介电层经光成像而聚合介电层之第一部分(22)于基板之第一区上,留下介电层之其余部分(24)未聚合。然后施加电阻膜(28)至介电层,及介电层经显像而同时去除其未聚合部分以及光阻膜之覆于未聚合部分上方部分,因此光阻膜之保留于第二部分上方部分形成电阻器。另一种制程顺序系于介电层曝光于照射之前施加光阻膜,然后经由电阻膜曝光介电层。电阻膜较佳为多层膜其包括一电阻层(28)如镍-磷,镍-铬或其它含线合金及一保护性衬层(30)如铜层。